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cmos digital image sensor 文章 進入cmos digital image sensor技術社區(qū)

基于CMOS圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng)設計

  • 為滿足納型衛(wèi)星的遙感系統(tǒng)要求, 設計了一套基于互補型金屬氧化物半導體CMOS 圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng), 采用PC 機模擬星上數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能, 通過控制器局域網CAN總線實現(xiàn)了對CMOS 相機的控制和圖像傳輸?shù)裙δ堋Ｍㄟ^熱循環(huán)實驗, 得到了該CMOS 相機平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線, 預測其適于在10～25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經受- 25～60 ℃的衛(wèi)星艙內溫度變化。
  • 關鍵字： CMOS  圖像傳感器  納型衛(wèi)星  遙感    

DALSA與IBM等多方合作 創(chuàng)立新微電子創(chuàng)新中心

  • 　　日前，由謝布克大學、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司攜手成立的新微電子創(chuàng)新中心在加拿大魁北克Bromont高科技園區(qū)正式落成。該研究中心將對下一代硅片集成以及MEMS系統(tǒng)進行深入研究與開發(fā)。 　　新的微電子創(chuàng)新中心對于DALSA未來的發(fā)展尤為關鍵，尤其是在MEMS與WLP相關設備的安裝和未來操作職責上擔負主要角色。 　　Dalsa是一家MEMS、高壓CMOS和先進CCD制造代工廠。
  • 關鍵字： IBM  MEMS  CMOS  

2009年全球圖像傳感器市場規(guī)模預測

  • 　　市場研究機構StrategiesUnlimited指出，全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%，來到64億美元規(guī)模，不過接下來將逐漸恢復正常成長。該機構預期，未來數(shù)年該市場的平均年成長率會維持在個位數(shù);到09年為止，其十年來的復合年成長率高達22%。 　　圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經濟景氣循環(huán)影響，而這樣的負面影響恐怕會持續(xù)下去，特別是在該市場因為幾乎所有手機都內建相機而經歷爆炸性成長之后。未來幾年，預計圖像傳感器的銷售量仍將呈現(xiàn)成長，但短期需求波動、供應過剩或吃緊，以及沉重的價
  • 關鍵字： CCD  傳感器  CMOS  

基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

  • 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對
  • 關鍵字： Telescopic  0.13  CMOS  工藝    

G-sensor價格預期下降10-20%

  • 　　根據(jù)市場消息來源，由于飛思卡爾產能擴展完成，三軸加速度計(g-sensors)的報價預期在2009年第三季度將比目前的每只一美金下降0.1-0.2美金。 　　飛思卡爾從2009年一季度開始擴充產能并生產低價的g-sensor。但其他IDM廠商如ADI、ST、Bosch仍對市場需求持謹慎態(tài)度，沒有增加產能的計劃。 　　但是，在飛思卡爾產能擴展完成后，價格競爭不可避免。另外，Bosch在消費電子市場加碼發(fā)力，提供靈活的報價。
  • 關鍵字： 飛思卡爾  G-sensor  

高性能CMOS集成電壓比較器設計


  • 電壓比較器是對輸入信號進行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個模擬信號和另一個模擬信號(參考信號)，并以輸出比較得到的二進制信號。其在A／D轉換器、數(shù)據(jù)傳輸器、切換功率調節(jié)器等設備中有著廣泛的應用。在
  • 關鍵字： CMOS  性能  集成  電壓比較器    

耶魯大學與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內存芯片技術FeDRAM

  • 　　SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學家們將這種內存稱為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質材料制作。 　　這種技術能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外，有關的制
  • 關鍵字： 內存芯片  CMOS  FeDRAM  

CMOS圖像傳感器集成A/D轉換器技術的研究

  • 片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發(fā)展趨勢。
  • 關鍵字： CMOS  圖像傳感器  集成  轉換器    

國產芯片已達國際主流芯片品質

  • 　　今年國內拉動內需，特別是3G的啟動建設和FTTH進入實質性的發(fā)展階段，使光模塊市場一片紅火，預計今年我們可實現(xiàn)60%的業(yè)務增長。 　　由于對IC行業(yè)來說光通信市場不大，所以光收發(fā)IC芯片的供應商并不是很多，在國內我們是第一家量產高速收發(fā)芯片的IC公司。 　　國內芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上，研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來說，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術優(yōu)勢，采用相對低成本的工藝，做出同樣的產品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
  • 關鍵字： 3G  CMOS  IC設計  FTTH  

ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動

  • 　　意法半導體和法國電子信息技術實驗室CEA-LETI宣布，法國經濟、工業(yè)和就業(yè)部長，以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術開發(fā)協(xié)議。 　　Nano2012是由意法半導體領導的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持，旨
  • 關鍵字： ST  CMOS  32nm  22nm  Nano2012    

豪威CMOS傳感器量產 擴大對臺積電訂單

  • 　　CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠豪威科技(OmniVision)與臺積電合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的傳感器新產品，陸續(xù)獲得一線智能型手機OEM廠設計案(design win)，預計本季度開始大量出貨。 　　豪威已開始擴大對臺積電下單，臺積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測試，并計畫在12寸廠以65納米投片。
  • 關鍵字： 臺積電  CMOS  傳感器  65納米  

從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導半導體業(yè)創(chuàng)新

  • 　　幾十年來，摩爾定律所闡述的生產力效益定律一直是半導體行業(yè)發(fā)展的驅動力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術大幅提升了PC、手機等產品的生產力。然而，經濟學正給半導體行業(yè)帶來革命性轉變。未來，“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。 　　產品研發(fā)從性能驅動轉為經濟學驅動 　　半導體產業(yè)是個相對年輕的產業(yè)。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數(shù)量每18個月翻一番以來，半導體器件制造商一直追求生產力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而，半導體產業(yè)正
  • 關鍵字： NXP  摩爾定律  CMOS  晶體管  

MEMS代工產業(yè)呈高度分散與高競爭性

  • 　　法國市場研究機構Yole Development針對微機電系統(tǒng)(MEMS)市場發(fā)表最新報告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務，使得該領域變得高度分散與高競爭性，但又是整體MEMS產業(yè)不可缺少的一塊。 　　Yole表示，大型的開放MEMS代工廠現(xiàn)在都很賺錢，并開始升級到8吋晶圓制程;不過由于MEMS在消費性應用領域的高成長性，以及來自其它高潛力應用市場的商機，也吸引了許多來自主流半導體產業(yè)的新進者投入競爭。 　　Yole并指出，由于這些來自半導體產業(yè)的新進者，具備能結合CMOS技術
  • 關鍵字： MEMS  晶圓  CMOS  

韓國三星發(fā)布采用45nm工藝技術的應用處理器

  • 　　韓國三星電子發(fā)布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術的應用處理器“S5P6440”。其特點是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產品。 　　該處理器配備有英國ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內核“ARM1176”。CPU內核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線“AXI”連接。 　　還配備有支持現(xiàn)行及新一代多值NAND閃存的錯誤訂正用硬件，以及支持移動DDR或D
  • 關鍵字： 三星  45納米  CMOS  S5P6440  
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cmos digital image sensor介紹

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