cmos“ 文章 進(jìn)入cmos“技術(shù)社區(qū)
德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片
- 在地?zé)嵘a(chǎn)和石油生產(chǎn)過程中溫度通常會超過200℃,高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝,可以制造出超緊湊型微芯片,這種微芯片在高達(dá)300℃的溫度下也能正常工作。 傳統(tǒng)的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫,但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實(shí)施持續(xù)冷卻,但是很難實(shí)現(xiàn)。此外,市場上也存在專門的高溫芯片,但是尺寸過大(最小尺寸也達(dá)1微米)。 IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
- 關(guān)鍵字: 微芯片 CMOS
一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡介
- 因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管,也就是一個(gè)耗盡型器件,它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
- 關(guān)鍵字: MOS CMOS
卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬顆
- 作為專注在WiFi、藍(lán)牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商,卓勝微電子今日宣布,公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能?!弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示:“作為全球智能手機(jī)市場的領(lǐng)先者,三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求,同時(shí)它對合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力?!? 卓勝微電子的GPS
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卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆
- 2014年5月5日,作為專注在WiFi,藍(lán)牙,GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商,卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示:“作為全球智能手機(jī)市場的領(lǐng)先者,三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求,同時(shí)它對合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 卓勝微電子的G
- 關(guān)鍵字: GPSLNA 卓勝 RF CMOS
分析師預(yù)測2019年MRAM市場可達(dá)21億美元
- 市場研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates的最新報(bào)告預(yù)測,磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition,STT)等形式──將在未來因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報(bào)告指出,因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性,MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)??赏?013年的1.9億美元左右,到2019年成長至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長率(CAGR)估計(jì)為50%。
- 關(guān)鍵字: MRAM CMOS
先進(jìn)封裝技術(shù):可穿戴電子設(shè)備成功的關(guān)鍵
- 最近以來智能手表、體征監(jiān)測等穿戴式電子設(shè)備受到業(yè)界的極大關(guān)注,但市場一直處于“雷聲大,雨點(diǎn)小”的狀態(tài)。究其原因,有以下幾個(gè)因素制約了穿戴式電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)突破:小型化低功耗技術(shù)還滿足不了需求、“殺手級”應(yīng)用服務(wù)缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習(xí)慣仍需培養(yǎng)?! 募夹g(shù)層面上看,先進(jìn)封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一,特別是系統(tǒng)級封裝(SiP)以及3D封裝等。據(jù)深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會秘書長蔡錦江介紹,2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內(nèi)鏡就采用SiP技術(shù)將光學(xué)鏡頭、應(yīng)用處理器、
- 關(guān)鍵字: 穿戴式 SiP 3D CMOS
基于視覺的駕駛員輔助嵌入式系統(tǒng)(上)
- 本文簡要描述了基于攝像頭的主動安全系統(tǒng)的應(yīng)用、引入它的動機(jī)及好處。此外,本文還介紹了視覺處理的未來解決方案與技術(shù)進(jìn)步,可確保在功率有限的情況下實(shí)現(xiàn)最大性能。適用于前照燈控制、車道保持、交通標(biāo)志識別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案,目前使用分辨率高達(dá)120萬像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著新一代傳感器的推出,分辨率將進(jìn)一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測物體,需要復(fù)雜的算法。車道保持、自動緊急剎車或交通擁堵輔助等半自動駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級別,但所有這些
- 關(guān)鍵字: 嵌入式 CMOS FPGA MAC
非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計(jì)
- 針對SOI二極管型非制冷紅外探測器,設(shè)計(jì)了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu),將探測器輸出電壓信號轉(zhuǎn)化為電流信號進(jìn)行積分。設(shè)計(jì)了虛擬電流源結(jié)構(gòu),消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì),5V電源電壓供電。當(dāng)探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時(shí),讀出電路仿真結(jié)果表明:動態(tài)輸出范圍2V,線性度99.68%,信號輸出頻率5MHz,功耗116mW。
- 關(guān)鍵字: 紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
一種14位210MSPS校準(zhǔn)電流DAC設(shè)計(jì)
- 本文設(shè)計(jì)了一種3.3V 14位210MSPS 電流型DAC。該轉(zhuǎn)換器包括高速模擬開關(guān)、帶隙參考電路、電流調(diào)整電路和高速鎖存器等。采用了分段電流沉結(jié)構(gòu),同時(shí)還采取了電流源調(diào)整技術(shù),改善了芯片的線性參數(shù)。電路基于0.35μm CMOS工藝設(shè)計(jì),芯片面積3.8mm2。測試表明,其刷新率可達(dá)210MSPS,INL為±0.8LSB,DNL為±0.5LSB,SFDR@fclk=210MSPS為72dBC@fout=5.04MHz,在3.3V電壓下工作時(shí)功耗小于120mW。
- 關(guān)鍵字: DAC CMOS
一種數(shù)字化的雙向微型無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 本文提出了一種全新的數(shù)字化的雙向微型無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng), 該系統(tǒng)具有可實(shí)時(shí)觀察病人消化道圖像、全消化道檢查、提供三維深度圖像數(shù)據(jù)等功能。 對消化道疾病的檢查, 目前最常用和最直接有效的方法就是內(nèi)窺鏡檢查, 它在消化道疾病的診斷中起著極為重要的作用。但現(xiàn)有的常用內(nèi)窺鏡系統(tǒng)都不得不帶有引導(dǎo)插管, 給系統(tǒng)操作帶來不便, 同時(shí)給檢查病人也帶來很大的痛苦, 而且檢查的部位受到限制, 無法實(shí)現(xiàn)對小腸部分的檢查。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展, 以色列人開發(fā)出了無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)[1],其發(fā)展還在起步階段, 存在一些局限性, 比如圖像
- 關(guān)鍵字: 無線 CMOS
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