　　英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗)與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣的技術(shù)平臺(tái)，C6器件針對(duì)易用性進(jìn)行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。　　CoolMOS™ C6/E6是來(lái)自英飛凌的第六代市場(chǎng)領(lǐng)先的高壓超級(jí)結(jié)功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開(kāi)關(guān)性能，
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英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列

　　英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數(shù)校正)級(jí)或PWM(脈寬調(diào)制)級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)具有更低的電容開(kāi)關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。　　C6系列是英飛凌推
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