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基本半導(dǎo)體——第三代半導(dǎo)體前景無限

相比于數(shù)字半導(dǎo)體，我國在模擬與功率半導(dǎo)體的差距要更大一些，因?yàn)楣β势骷粌H僅是產(chǎn)品設(shè)計的問題，還涉及到材料等多個技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點(diǎn)迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等，基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應(yīng)用領(lǐng)域，市場潛力大，也是基本半導(dǎo)體要重點(diǎn)發(fā)力的市場。站在劉誠的角
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變頻電源開關(guān)芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

隨著科技的發(fā)展，電器設(shè)備使用越來越廣泛，功能越來越強(qiáng)大，體積也越來越小，對電源模塊的要求不斷增加。開關(guān)電源具有效率高、成本低及體積小的特點(diǎn)，在電氣設(shè)備中獲得了廣泛的應(yīng)用。經(jīng)分析，開關(guān)電源電路多個器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差，導(dǎo)致開關(guān)芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能，使產(chǎn)品各項(xiàng)性能有效提高，滿足電路設(shè)計需求，減少售后失效。
關(guān)鍵字：開關(guān)電源高壓瓷片電容芯片耐壓提升可靠性 202105 MOSFET

特定工作條件下的開關(guān)電源模塊失效分析

針對在某特定工作條件下發(fā)生的短路失效問題，進(jìn)行了開關(guān)電源模塊及其外圍電路的工作原理分析，通過建立故障確定了失效原因，運(yùn)用原理分析與仿真分析的方法找到了開關(guān)電源模塊的損傷原因與機(jī)理，并給出了對應(yīng)的改進(jìn)措施。
關(guān)鍵字：開關(guān)電源模塊電源振蕩失效分析 MOSFET 202105

Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

如今為商用車輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設(shè)計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外，電力電
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原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續(xù)漲價

相比去年，已有多款MOSFET產(chǎn)品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內(nèi)得不到解決，有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為下半年該產(chǎn)品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續(xù)大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區(qū)新冠肺炎疫情延燒，導(dǎo)致產(chǎn)能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等IDM大廠又再度將產(chǎn)品的價格上調(diào)了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內(nèi)訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調(diào)MOSFET價格。相比去年，
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使用IC采樣保持放大器

采樣保持(S/H)功能是數(shù)據(jù)采集和模數(shù)轉(zhuǎn)換過程的基礎(chǔ)。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數(shù)應(yīng)用中，S/H用作數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉(zhuǎn)換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執(zhí)行模數(shù)轉(zhuǎn)換所需的時間段內(nèi)，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必須具備的系統(tǒng)功能模塊，所用的模數(shù)轉(zhuǎn)換器在進(jìn)行轉(zhuǎn)換期間，必須提供恒定且準(zhǔn)確的模擬輸入。逐次逼近類型模數(shù)轉(zhuǎn)換器就是
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大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案

大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯(lián)大品佳推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案的展示板圖當(dāng)前，系統(tǒng)對于電源設(shè)計要求正在變得愈發(fā)苛刻。隨著能源法規(guī)不斷完善，針對效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構(gòu)已不能滿足需求，因此必須有新一代的架構(gòu)設(shè)計來滿足現(xiàn)行的需求。大聯(lián)大品佳針對高效率的5G電源應(yīng)用，基于NXP技術(shù)推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術(shù)IC
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硅晶體管創(chuàng)新還有可能嗎？意法半導(dǎo)體超結(jié)MDmesh案例研究

前言自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來，半導(dǎo)體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進(jìn)展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術(shù)進(jìn)步，在封城隔離期間我們就無不可能遠(yuǎn)程辦公，與外界保持聯(lián)系?？傊?，沒有半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)步，人類就無法享受科技奇跡。舉個例子，處理器芯片運(yùn)算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進(jìn)更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導(dǎo)體微處理器迭代50多年?，F(xiàn)在，我們即將到達(dá)原子學(xué)和物理學(xué)的理論極限，需要新的技術(shù)，例如，分層垂直堆疊技術(shù)。同時，我們
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貿(mào)澤與Vishay攜手推出全新電子書介紹汽車級電子元件的新應(yīng)用

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書An Automotive Grade Above（推動汽車電子進(jìn)一步發(fā)展），探討支持電動汽車 (EV) 充電、車載信息娛樂系統(tǒng)等各種汽車應(yīng)用所需的高性能解決方案。在這本電子書中，來自貿(mào)澤和Vishay的行業(yè)專家就現(xiàn)代汽車設(shè)計中一些富有創(chuàng)新性的技術(shù)提出了深入的見解，這些技術(shù)包括用于人機(jī)交互的光電傳感器和用于電動/混動汽車設(shè)計的光
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儲能領(lǐng)域蘊(yùn)藏節(jié)能機(jī)會 ADI積極推動節(jié)能減排

ADI 公司的檢測、信號轉(zhuǎn)換和信號處理技術(shù)為全球的能源基礎(chǔ)設(shè)施提供支持。從發(fā)電端的發(fā)電機(jī)電流電壓監(jiān)測/ 風(fēng)機(jī)振動監(jiān)測、輸電環(huán)節(jié)的導(dǎo)線舞動監(jiān)測/ 導(dǎo)線覆冰監(jiān)測/ 地質(zhì)災(zāi)害監(jiān)測、變電環(huán)節(jié)的變壓器振動監(jiān)測到配電環(huán)節(jié)故障指示以及用電環(huán)節(jié)的電力計量，從微電網(wǎng)和公用事業(yè)到數(shù)據(jù)中心和工廠，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動汽車充電樁的大規(guī)模部署，ADI的高性能半導(dǎo)體解決方案可幫助合作伙伴設(shè)計智能、靈活、高效的電力與能源系統(tǒng)。ADI中國汽車技術(shù)市場?高級經(jīng)理王星煒1? ?儲能系統(tǒng)B
關(guān)鍵字： 202107 MOSFET 儲能

超結(jié)高壓MOSFET驅(qū)動電路及EMI設(shè)計

分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)過程中由于Coss和Crss電容更強(qiáng)烈的非線性產(chǎn)生更快開關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅(qū)動參數(shù)對開關(guān)過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅(qū)動電路開關(guān)波形及開關(guān)性能的變化。最后，設(shè)計了優(yōu)化驅(qū)動電路，實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的EMI結(jié)果，并給出了相應(yīng)驅(qū)動電路的EMI測試結(jié)果。
關(guān)鍵字： 202106 超結(jié) 驅(qū)動 EMI 非線性 MOSFET

ROHM開發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機(jī)驅(qū)動。近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機(jī)所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。在這種背景下，
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Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資
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安森美半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專用臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實(shí)現(xiàn)類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關(guān)取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關(guān)類型，無論是超級結(jié)
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功率器件的演變

隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調(diào)（HVAC）和工業(yè)驅(qū)動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發(fā)電、配電、轉(zhuǎn)換和消耗）所能達(dá)到的能效將決定整個電力基礎(chǔ)設(shè)施的負(fù)擔(dān)增加程度。在每個功率級，能效低會導(dǎo)致產(chǎn)生熱量，這是主要的副產(chǎn)物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當(dāng)大的影響。在轉(zhuǎn)換級，電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要?dú)w咎于導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。更高能效的半導(dǎo)體意味著更少的熱量，因此也減少了能源浪費(fèi)。低能效的半導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
關(guān)鍵字： 202105 MOSFET