首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

日韓決裂，半導(dǎo)體誰最受傷？

  • 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時間，此次出口限制可謂是對韓國企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時的“日本偷襲珍珠港”。
  • 關(guān)鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  半導(dǎo)體  光刻  DRAM  

美光推出面向移動應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

  • 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機(jī)設(shè)計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當(dāng)前和下一代
  • 關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)  

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM

  • 根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導(dǎo)指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預(yù)估，美光的該項新產(chǎn)品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
  • 關(guān)鍵字： 美光  10納米  DRAM  

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑，下游
  • 關(guān)鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  東芝  DRAM/NAND  

國際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴(kuò)張

  • 　　在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán)，讓市場注意力集中到國內(nèi)存儲器布局上。當(dāng)前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內(nèi)存儲方隊既要面對技術(shù)、團(tuán)隊等方面的疊代差距，又要面對當(dāng)前國際半導(dǎo)體市場勢弱，存儲大幅降價的風(fēng)險，迎難而上，逆勢擴(kuò)張?！　H半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫　　6月30日晚間，紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國際，此時紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴(kuò)張。　　據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)最新統(tǒng)計，5月全球半
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  存儲  DRAM  

美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

  • 6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。
  • 關(guān)鍵字： 紫光  DRAM  閃存  

DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價逼近生產(chǎn)成本　跌勢趨緩訊號浮現(xiàn)

  • DRAM價格第2季大幅走跌，根據(jù)供應(yīng)鏈透露，6月起DRAM顆?，F(xiàn)貨價格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

  • 半導(dǎo)體無所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  SDI  

三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進(jìn)16nm

  • 作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個行業(yè)。前幾年內(nèi)存價格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  16nm  三星電子  

MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團(tuán)隊發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。　　MRAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
  • 關(guān)鍵字： MRAM  DRAM  

集邦咨詢：DRAM均價受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年

  • 　　Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季?！　「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周?！　∵M(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 集邦咨詢  DRAM  

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

  • 　　根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導(dǎo)指出，中國一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成。　　報導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NANDFlash  

手機(jī)存儲芯片價格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國廠商陰謀論成真？

  • 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調(diào)研報告顯示，DRAM跌價幅度超過預(yù)期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價格跑贏了房價”的內(nèi)存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 存儲  DRAM  

DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  • 　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導(dǎo)，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機(jī)用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計今年出口的前景也不樂觀。　　在韓國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%?！　2B(企業(yè)間交易)市場價格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
  • 關(guān)鍵字： DRAM  SK海力士  
共1902條 17/127 |‹ « 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 » ›|

ddr5 dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473