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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

華邦：NOR Flash市場3Q漲價不易

  • 　　存儲器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%，稅后獲利較上季成長率高達222%;總經(jīng)理詹東義表示，華邦宣告轉(zhuǎn)型告捷，第2季標準型DRAM營收比重降至2%，未來華邦是全方面存儲器供應(yīng)商，第2季表現(xiàn)最佳的是NOR Flash產(chǎn)品線，其次是Mobile RAM，惟原本預(yù)計第4季才會供需平衡的NOR Flash市場，提前在第3季發(fā)生，因此預(yù)期第3季NOR Flash價格上漲不易，但華邦會推出新產(chǎn)品和持續(xù)耕耘一線大客戶，第3季整體成長動能仍是持續(xù)。 　　華邦第2季合并營收新臺幣85.31億元，較上季成長22%，
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DRAM漲價效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗價格承受力

  • 　　近2年DRAM價格的高點都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢，除了是全球經(jīng)濟局勢變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認為，2010年上半1顆DDR3單價3美元的時光已難再現(xiàn)，因為隨著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來DRAM產(chǎn)業(yè)不會有暴利，只有合理的利潤空間。 　　2010年3~4月是DRAM價格的高峰期，當時個人計算機(PC)換機潮涌現(xiàn)，DRAM市場陷入嚴重的供不應(yīng)求，供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程，狀況也
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DRAM漲價效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗價格承受力

  • 　　近2年DRAM價格的高點都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢，除了是全球經(jīng)濟局勢變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認為，2010年上半1顆DDR3單價3美元的時光已難再現(xiàn)，因為隨著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來DRAM產(chǎn)業(yè)不會有暴利，只有合理的利潤空間。 　　2010年3~4月是DRAM價格的高峰期，當時個人計算機(PC)換機潮涌現(xiàn)，DRAM市場陷入嚴重的供不應(yīng)求，供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程，狀況也
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DDR2季度出貨大幅縮水 三星芯片份額第一

  • 　　市場調(diào)研公司集邦科技今天發(fā)布了二季度全球內(nèi)存市場統(tǒng)計報告。受到期貨價格穩(wěn)定和出貨量小幅增長的利好影響，該季度全球DRAM收入環(huán)比上漲15.2%到107億美元。雖然1Gb DDR3的現(xiàn)貨價格環(huán)比下降了3%，但是2GB DDR3內(nèi)存的期貨價格卻環(huán)比上漲了10%;受到1Gb DDR2價格進一步下滑的影響，DDR2內(nèi)存該季度的出貨量大幅度降低。 　　二季度全球DRAM出貨量環(huán)比增長10%，但所用晶圓出貨量增長率只有3.8%。集邦科技分析稱，芯片供應(yīng)商都將重點放在了制程工藝的升級，而非產(chǎn)能提升上面。 　　三
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先進制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求

  • 　　Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴廠競賽劃下句點。 　　正因產(chǎn)能擴充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點且逐季好轉(zhuǎn)，全球DRAM需求量亦同步擴張，使得長年下跌的DRAM報價亦在2009年得以止跌回升。 　　于此同時，全球DRAM市場的
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EUV要加大投資強度

  • 　　未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
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先進制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求

  • 　　Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴廠競賽劃下句點。 　　正因產(chǎn)能擴充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點且逐季好轉(zhuǎn)，全球DRAM需求量亦同步擴張，使得長年下跌的DRAM報價亦在2009年得以止跌回升。 　　于此同時，全球DRAM市場的
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力晶半導(dǎo)體：DRAM芯片價格8月回漲

  • 　　內(nèi)存價格最近是一路下滑，特別是已經(jīng)失去主流地位的DDR2。不過力晶半導(dǎo)體董事長黃崇仁近日就表示，DRAM芯片價格將在8月份反彈，價格回漲，十一月份和十二月份可能會受季節(jié)性銷售因素影響再度下滑。 　　黃崇仁稱，DRAM芯片近期的價格下滑是由于市場需求過低導(dǎo)致，并不是芯片供應(yīng)商之間的價格戰(zhàn)引起，而且他還認為，PC OEM廠商為了降低生產(chǎn)成本，降低了一些產(chǎn)品的存儲容量，從而影響了市場需求。 　　他還對未來2-3年的DRAM持樂觀態(tài)度，不過認為芯片容量的上升對產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的促進有限。 　　此外黃崇仁還表
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誰是下一個奇夢達？

  • 　　近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業(yè)務(wù)支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預(yù)計這些支出中將有相當一部分進入DRAM業(yè)務(wù)。 　　2007年以來，DRAM市場開始了一段令廠商苦不堪言的低迷期，直到2009年第一季度見底。此間曾排名第三的DRAM大廠奇夢達轟然倒塌，令業(yè)界震驚扼腕。市場低迷的根本原因是產(chǎn)能過剩、供過于求。2006年市場獲得
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Immersion機臺缺貨　臺DRAM廠改采購舊機種應(yīng)急

  • 　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機種上，交期幾乎拉到快12個月，使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時;存儲器業(yè)者透露，爾必達(Elpida)陣營開始轉(zhuǎn)向采購舊機種XT:1950i應(yīng)急。然美光(Micron)陣營則認為，舊機種頂多用到40奈米制程就是極限，不像新機種NXT:1950i可以一路做到30奈米。 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在進入50奈米以下制程，都必須開始用Immersion Scanner，此機
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ASML整合微影方案獲意法采用

  • 　　受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程，對浸潤式顯影機臺需求大增，讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導(dǎo)體制程推進5x奈米以下先進制程，制程復(fù)雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品，已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 　　ASML指出，隨著半導(dǎo)體制程推進到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經(jīng)費越來越高昂，生產(chǎn)時程亦拉得更長，良率更難提升，制程容許度(p
  • 關(guān)鍵字： ASML  DRAM  晶圓代工  

第三季度DRAM價格或下滑

  • 　　據(jù)韓國ET NEWS報導(dǎo)，過去1年2個月期間呈現(xiàn)上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。 　　據(jù)相關(guān)業(yè)者及證券師指出，自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價格進入第3季后可能會有 5%的價格下滑。業(yè)界相關(guān)人員表示，第3季DRAM價格依據(jù)PC業(yè)者的調(diào)降要求，可能會有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應(yīng)不大。 　　摩根大通(JP Morgan Chase &
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  40納米  

爾必達赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

  • 　　據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進一步合作。 　　據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計劃書，經(jīng)濟部正進行審查中。 　　官員透露，爾必達來臺設(shè)立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
  • 關(guān)鍵字： TIMC  NAND  DRAM  

亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場強力支撐

  • 　　全球半導(dǎo)體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導(dǎo)體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關(guān)注。 　　美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達2
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

SEMI：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場今年將增長104%

  • 　　國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)的發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備年中預(yù)測指出，今年半導(dǎo)體設(shè)備市場將由谷底翻揚，預(yù)計增長達104%,明年市場仍審慎樂觀，將持續(xù)有9%的增長幅度。 　　半導(dǎo)體設(shè)備與西于14日起于美西舊金山展開，主辦單位半同步公布半導(dǎo)體設(shè)備資本支出年中預(yù)測報告。 　　SEMI的預(yù)估，2010年半導(dǎo)體設(shè)備營收將達325億美元，折合新臺幣可望突破兆元，為半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者捎來佳音，同時超越2008年金融海嘯前的295億美元水準。報告指出， 2009年因為全球景氣不佳，讓整體設(shè)備市場慘跌46%,但今年設(shè)備市
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體設(shè)備  晶圓  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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