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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
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12月上旬合約價DRAM持平　Flash下跌

  • 　　12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 　　近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當(dāng)有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
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爾必達與臺灣茂德簽DRAM代工 預(yù)計明年量產(chǎn)

  • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，日本記憶體晶片大廠爾必達與臺灣茂德、華邦結(jié)盟，市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強調(diào)爾必達會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。 　　茂德董事長陳民良透露，將引進新的投資對象，目前潛在合作對象有四個集團，但堅決不透露是誰中選。 　　業(yè)內(nèi)揣測，有意入股或金援茂德者，可能是結(jié)盟的爾必達，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
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TIMC案觸礁　施顏祥提出3大處理原則

  • 　　在臺灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關(guān)之后，國發(fā)基金投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)也面臨停擺。“經(jīng)濟部”長施顏祥對此表示，“立法院”和社會各界對于國發(fā)基金投資TIMC有意見，“經(jīng)濟部”都聽到了。目前經(jīng)濟部對DRAM產(chǎn)業(yè)再造的僵局有3大處理原則，分別是調(diào)整 DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。 　　施顏祥表示，臺灣每年支付DRAM技術(shù)母廠新臺幣200億
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爾必達蠶食臺12寸廠DRAM產(chǎn)能

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會，說明雙方合作代工細節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作，日廠在臺灣存儲器領(lǐng)域勢力越來越龐大，不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。 　　爾必達經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元氣逐漸恢復(fù)后，
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中國臺灣芯片公司改變策略應(yīng)對市場下滑危機

  • 　　臺灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。 　　由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱：力晶)等臺灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現(xiàn)反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。 　　與此同時，韓國和日本的競爭對手憑藉更先進、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。 　　為應(yīng)對上述局面，臺資公司
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標(biāo)直指臺積電

  • 　　據(jù)報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。 　　根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。 　　三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位，但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能，目標(biāo)直指臺積電。 　　三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強調(diào)
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DRAM廠資本支出競賽　三星更勝臺廠一籌

  • 　　臺系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元，且主要支出集中在臺塑集團身上，臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴大投資規(guī)模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領(lǐng)域資本支出至少30億美元來看，臺系4家DRAM廠合計資本支出仍遠落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。 　　三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺DRAM產(chǎn)業(yè)，亦讓美、日系
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臺“經(jīng)濟部”無力扭轉(zhuǎn)情勢　DRAM再造方案全面停擺

  • 　　根據(jù)政府官員表示，日前“立法院”經(jīng)濟委員會通過決議，要求行政院國發(fā)基金不得用于「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」一事，經(jīng)過“經(jīng)濟部”一再向立委溝通，確定未獲得立委同意，目前「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」已面臨全面停擺的情況。 　　官員透露，在和爾必達(Elpida)談判的過程中，爾必達始終未承諾提出符合行政院所要求的相關(guān)承諾，恐怕讓“經(jīng)濟部”失去為臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)繼續(xù)向“立法院”爭取國發(fā)基金挹注的重要立足點
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海力士CEO稱Win 7系統(tǒng)有助于DRAM行業(yè)

  • 　　據(jù)國外媒體報道，全球第二大內(nèi)存制造商海力士半導(dǎo)體CEO周三表示，公司預(yù)計明年1至3月DRAM收入下滑將小于以往季度。 　　“過去在第一季度，DRAM收入會下滑20%，但我認為在2010年首季不會出現(xiàn)這種幅度的下滑。”首席執(zhí)行官Kim Jong-Kap表示。 　　Kim稱，微軟新操作系統(tǒng)Windows 7推漲了個人電腦的需求。同時有利的因素還包括新興市場的需求增長，以及趨緊的供貨。
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三星擬明年投資60億美元擴大芯片業(yè)務(wù)

  • 　　北京時間12月2日消息，據(jù)國外媒體報道，《韓國先驅(qū)報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務(wù)。 　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務(wù)，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。 　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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臺“經(jīng)濟部”主導(dǎo)的TIMC成立計劃走向窮途末路

  • 　　臺“立法院經(jīng)濟委員會”本月26日一致投票通過反對臺經(jīng)濟部一項要求政府向臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC)注資的提案，這意味著臺灣當(dāng)局主導(dǎo)的力圖重建本土內(nèi)存工業(yè)的改革計劃第四次遭到政府其它部門的反對。 　　與此形成鮮明對比的是，韓國聯(lián)合通訊社本月26日援引韓國知識經(jīng)濟部的說法，稱南韓政府計劃支持三星以及海力士公司開發(fā)自旋極化磁隨機存取內(nèi)存技術(shù)(STT-MRAM)的項目.政府將于2014年前向該項目注資240億韓元(合2050萬美元)，占項目總預(yù)算的一半。 　　此前三星與海力士公司
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臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率　惟制程進度仍落后

  • 　　經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已開始大量投產(chǎn)，領(lǐng)先臺廠2個世代之多，臺系DRAM廠在追趕的進度上，再度顯得相當(dāng)吃力。 　　就像過去每次的景氣循環(huán)一樣，當(dāng)走出谷底的初期，國際大廠總是早一步獲利，臺廠緩步跟隨在后，這次也不例外，臺廠再度過年初的財務(wù)危機之后，隨著DRAM
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ddr5 dram介紹

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