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1993年，第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功

  • 　　1993年，第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
  • 關(guān)鍵字： 華晶  DRAM  

1985年，第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功

  • 　　1985年，第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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