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EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-flash

EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！

  • 前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結一下。存儲器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時
  • 關鍵字： 存儲器  flash  EEPROM  

群聯(lián)3月營收年增73%，創(chuàng)歷史單月新高紀錄

  • 近日，存儲廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營運結果，合并營收為新臺幣67.75億元，年成長達73%，刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長達64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場需求持續(xù)緩步回升趨勢不
  • 關鍵字： 群聯(lián)  SSD固態(tài)硬盤  NAND Flash  

3D NAND，1000層競爭加速

  • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
  • 關鍵字： NAND Flash  存儲芯片  鎧俠  

第二季NAND Flash合約價季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高

  • TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應商庫存降低，以及減產(chǎn)效應影響，預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應商已降低供應此類別產(chǎn)品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術進一步升級及
  • 關鍵字： TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  

西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務拆分最新進展，新任CEO揭曉

  • 月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務拆分后，將保留原名，專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營?，F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長。圖片來源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進展如何？據(jù)悉，自2021年以來，西部數(shù)據(jù)及
  • 關鍵字： 閃存芯片  NAND Flash  西部數(shù)據(jù)  

基于最新的E/E架構，構建安全且經(jīng)濟高效的下一代執(zhí)行器和傳感器應用

  • 概述近年來，汽車E/E架構發(fā)生了巨大變化，給執(zhí)行器和傳感器應用帶來了影響，如車燈、車窗和后視鏡等車身控制、發(fā)動機泵和風扇等電機控制，以及傳感器控制等應用。傳統(tǒng)上，這些應用使用低成本的小型16位微控制器（MCU），但現(xiàn)在則需要更先進的16位MCU。在本白皮書中，我們將介紹可應對E/E架構變化的最新的16位RL78/F2x MCU。沖 壽美代——高性能運算及模擬與電源方案事業(yè)部E/E架構變化所面臨的挑戰(zhàn)● 改用無刷直流電機電動汽車（xEV）的加速普及正在推動E/E架構的變化。由于對降低噪音和功耗的需要，電
  • 關鍵字： 汽車  微控制器  E/E  

淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效

  • 前言半導體產(chǎn)品老化是一個自然現(xiàn)象，在電子應用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導體在經(jīng)過一段時間連續(xù)工作之后，其功能會逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現(xiàn)象進行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個電子管誕生以來，電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來越緊密，特別是進入21世紀以來，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
  • 關鍵字： 電遷移  半導體失效  世健  Microchip  Flash FPGA  

10BASE-T1S標準如何支持和推動新汽車E/E架構的部署？

  • 新的IEEE汽車以太網(wǎng)標準不斷涌現(xiàn)，10BASE-T1S以太網(wǎng)是最新標準之一。本文討論汽車行業(yè)的發(fā)展趨勢，它們反映了汽車電子/電氣(E/E)架構的變化，以及新10BASE-T1S標準如何支持和推動這種新架構的部署。大趨勢提供新機遇汽車行業(yè)目前正在經(jīng)歷大變革。汽車制造商需要快速針對幾個大趨勢提供解決方案，例如個性化、電氣化、自動化和全面互連。OEM需要徹底改變他們的E/E架構，以支持新功能。雖然這種變革帶來了重大的技術挑戰(zhàn)，但也為OEM提供了機會，讓他們開始考慮在E/E架構中不再使用基于獨立域的解決方案，因
  • 關鍵字： 以太網(wǎng)標準  10BASE-T1S  E/E架構  

OpenAI 宣布 DALL-E 3 圖像生成器將加入水印

  • 2 月 7 日消息，OpenAI 宣布，其圖像生成器 DALL-E 3 將開始為所生成的圖像添加來自內(nèi)容來源和真實性聯(lián)盟 (C2PA) 的水印，以幫助用戶識別使用人工智能 (AI) 生成的內(nèi)容。該水印將出現(xiàn)在 ChatGPT 網(wǎng)站和 DALL-E 3 模型 API 生成的圖像中，移動端用戶將于 2 月 12 日起看到水印。水印包含兩個部分：不可見的元數(shù)據(jù)組件和可見的 CR 符號，后者位于每個圖像的左上角。用戶可以通過 Content Credentials Verify 等網(wǎng)站查詢由 OpenAI 平臺生
  • 關鍵字： OpenAI  DALL-E 3  圖像生成器  

一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%

  • 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
  • 關鍵字： NAND Flash  

閃存芯片將掀起新一輪漲價潮

  • 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢，供應鏈人士透露，2024 年 1 月，預計 NOR Flash 價格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢，到第二季度，漲幅將達到 10%。過去幾年，隨著整個半導體市場的變化，NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導致當年的價格進入下行周期。經(jīng)過一年的低迷期后，NOR Flash 價格在 2
  • 關鍵字： NOR Flash  

NAND Flash和NOR Flash的異同

  • NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲技術，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結構，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點· 兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進行擦寫和再編程?！?兩者在寫之前都要先
  • 關鍵字： NAN  Flash  NOR  存儲結構  

預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應商產(chǎn)能利用率提早拉升
  • 關鍵字： NAND Flash  TrendForce  

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  NAND Flash  

集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  NAND Flash  
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