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電源設計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 2 部分

  • 在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統(tǒng)組件的物理屬性
  • 關鍵字： 溫升  2部分  MOSFET  估算  設計  電源  TI  德州儀器  

估算熱插拔MOSFET溫升的方案

  • 　本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
  • 關鍵字： MOSFET  熱插拔  方案    

估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升

  • 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電...
  • 關鍵字： MOSFET  溫升  

MOSFET雪崩能量的應用考慮

  • 　在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中
  • 關鍵字： 考慮  應用  能量  雪崩  MOSFET  

國際整流器公司擴大汽車專用MOSFET 組合

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。 　　
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

RF功率MOSFET產品及工藝

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字： 3G  MOSFET  RF功率放大器  RF  

恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

  • 　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關應用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節(jié)器、同步整流器。 　　技術要點： 　　&mi
  • 關鍵字： 恩智浦  MOSFET  

Diodes新即插即用器件提升負載點轉換器效率

  • 　　Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴展了旗下DIOFET產品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個經過優(yōu)化的控制MOSFET及一個專有DIOFET集成在一個SO8封裝中，為消費類及工業(yè)應用的負載點轉換器提供高效的解決方案。
  • 關鍵字： Diodes  mosfet  

如何為具體應用恰當的選擇MOSFET

  • 雖然工程師都熟諳MOSFET數據手冊上的品質因數，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
  • 關鍵字： MOSFET    

深入理解功率MOSFET數據表

  • 本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數據表中的常用主要參數,以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計。　　數據表中的參數分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
  • 關鍵字： MOSFET  數據表    

瑞薩電子高壓MOS在進行產品開發(fā)時的注意要點

  • 　　本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產品開發(fā)時的選型以及特性的說明，為客戶的產品開發(fā)提供參考性的設計意見。 　　MOSFET以其電壓控制、開關頻率高、開關速度快等優(yōu)點，廣泛應用于電源等產品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應用十分廣泛。 　　MOSFET最重要的兩個參數是漏源電壓(VDSS)和導通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細觀察，因為它們只有
  • 關鍵字： Renesas  MOSFET  

PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數校正IC產品系列

  • 　　用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數和縮小電路板占用面積，同時簡化系統(tǒng)設計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。 　　歐洲
  • 關鍵字： PI  HiperPFS  MOSFET  控制器芯片  

Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。 　　
  • 關鍵字： Vishay Siliconix  MOSFET  
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