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為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

  • 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM),  自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后,電能表經(jīng)過一個世紀(jì)多的演進(jìn):由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表,包含新的預(yù)付費電能表 (pre-paid) 復(fù)費率電能
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由單片IC構(gòu)成的廉價100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器

  • 電路的功能以往一提到F-F轉(zhuǎn)換器,往往選用混合集成組件,而本電路使用了單片V-F轉(zhuǎn)換器,這是一種廉價的100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器標(biāo)準(zhǔn)電路,它把0~10V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸,可以把模擬信號
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F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計之比較

  •   引言   高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導(dǎo)體元器件的發(fā)展,同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。   若系統(tǒng)設(shè)計需要采用半導(dǎo)體存儲器技術(shù),工程師有(但不限于)以下選擇:電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中,要確定最適合的存儲器選擇,是一項重要的設(shè)計考慮事項。
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Ramtron發(fā)布具射頻功能之無線存儲器MaxArias

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前宣布,現(xiàn)正向數(shù)個行業(yè)的客戶提供首款MaxArias™無線存儲器產(chǎn)品的beta測試樣品。Ramtron的MaxArias™無線存儲器產(chǎn)品將無線存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合,能夠在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中,實現(xiàn)創(chuàng)新性數(shù)據(jù)采集功能。   Ramtron首個無線存儲器系列稱作MaxArias WM71
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Ramtron推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA,進(jìn)一步擴(kuò)大其符合AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)要求的F-RAM存儲器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲器,可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車溫度范圍工作,是Ramtron不斷增長的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的汽車存儲器產(chǎn)品的新成員。
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關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說明

  •   全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品,分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號,工作電壓范圍為2.0V至3.6V,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾
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Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88,適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。   與nvSRAM相比,F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝,具有高速訪問、無延遲(NoDelay™)
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Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣,具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓,其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,并采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)28腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點。FM28V020可用于工業(yè)控制、
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Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件擴(kuò)展V系列產(chǎn)品線

  •   全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation,發(fā)布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品,分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號,工作電壓范圍為2.0V至3.6V,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay&t
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Ramtron 4Mb F-RAM器件獲選用于工業(yè)用固態(tài)硬盤

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布,其4Mb F-RAM器件FM22L16已獲深圳市盛博科技嵌入式計算機(jī)有限公司采用,以生產(chǎn)創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備—固態(tài)硬盤 (solid-state disk, SSD)。   盛博科技專門研究、開發(fā)和生產(chǎn)基于國際標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式硬件和軟件系統(tǒng),瞄準(zhǔn)工業(yè)自動化市場,終端客戶遍及軌道運輸、電力、醫(yī)療設(shè)備和運動控制等應(yīng)用領(lǐng)域。   除了能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)
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Ramtron推出32Kb器件擴(kuò)展F-RAM串口存儲器

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32,提供具高速讀/寫性能、低電壓運行,以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器,工作電壓為2.7V至3.6V,采用8腳SOIC封裝,使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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混合動力是新能源汽車切入點 IGBT成驅(qū)動核心

  •   目前,混合動力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外,混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。   節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視,在最近的國際汽車展上,多家汽車企業(yè)推出了電動和混合動力汽車,這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今,中國對于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個關(guān)鍵時期,今年2月,財政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點工作的通知》,推廣節(jié)能與
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RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議,兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國 佛蒙特 州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù),一旦安裝完畢,這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)。   Ramtron首席運營官 Bob Djokovich 稱:“我們期
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RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議

  •         世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議,兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國 佛蒙特 州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè)  Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù),一旦安裝完畢,這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基
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RAMTRON 4兆位并口F-RAM存儲器提供FBGA封裝選擇

  •   全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封裝的4兆位 (Mb) F-RAM存儲器。FM22LD16 是采用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 并口非易失性FRAM,具有高訪問速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點。FM22LD16 與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容,并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用、多功能打印機(jī)、自動導(dǎo)航系統(tǒng),以及許多
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f-ram存儲器介紹

  F-RAM存儲器   鐵電隨機(jī)存儲器(F-RAM),相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言,鐵電隨機(jī)存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用,高性能,但它們有著共同的弱點:在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。   目錄 [ 查看詳細(xì) ]

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