Peregrine半導體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術的創(chuàng)始人、先進的射頻解決方案之先驅，今天，在電子設計創(chuàng)新會議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個可重構射頻前端(?RFFE?)系統。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺的設計──?
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Peregrine 射頻 SOI
針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調制積分(GMI)結構，將探測器輸出電壓信號轉化為電流信號進行積分。設計了虛擬電流源結構，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設計，5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結果表明：動態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
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紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關，其插入損耗堪稱智能手機市場業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小。該產品即日起交付樣品。
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東芝 射頻天線 SOI
電子技術的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領智能生活，意法半導體執(zhí)行副總裁兼數字融合事業(yè)部總經理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術演進。
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ST 機頂盒 多媒體處理器 FD-SOI
隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
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助力 平臺 NovaThor 下一代 FD-SOI:
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。
根據SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。
FD-SOI技術平臺包括全功能且經過硅驗證的設計平臺和設
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ST 晶圓 FD-SOI
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。
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意法 納米 FD-SOI
華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產品量產后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現量產。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術，由華潤上華在2010年實現量產的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經全面掌握了SOI工藝技術，具備了根據市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產權的SOI工藝技術能力。
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華潤微電子 半導體 SOI
華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產品量產后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現量產。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術，由華潤上華在2010年實現量產的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內尚屬首家。
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華潤上華 SOI CDMOS
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設
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意法 芯片 FD-SOI
CCFL和LED是當前LCD僅有的兩種背光源，CCFL是傳統的背光方式，而LED作為LCD背光的后起之秀，正在迅速搶占LCD背光市場。電視機廠商和面板廠商之所以積極推動LED背光液晶電視，原因在于全球各國的耗電量規(guī)定以及其環(huán)保
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TV 背光 方案 成本 LED 降低 200V SOI 工藝 有效 利用
隨著智能功率IC的發(fā)展.其應用領域和功能都在不斷地擴展。而作為智能功率IC中的重要一類柵驅動IC在功率開關、顯示驅動等領域得到廣泛應用。在柵驅動電路中需要電平位移電路來實現從低壓控制輸入到高壓驅動輸出的電平轉
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電平 位移 電路設計 技術 集成 SOI 高壓 基于
隨著半導體產業(yè)向22納米技術節(jié)點外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，FinFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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SOI 體硅 FinFET
ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術。
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ARM 45納米 SOI
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