flash 文章進(jìn)入flash技術(shù)社區(qū)

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯　價(jià)格走揚(yáng)

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，NAND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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火災(zāi)后瘋7供應(yīng)商三星Flash廠部分復(fù)工

三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對(duì)供應(yīng)緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復(fù)速度很快，給當(dāng)?shù)毓╇娋趾腿菓?yīng)急處理點(diǎn)個(gè)贊。
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會(huì)非常缺

　　全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價(jià)效應(yīng)。　　慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心，立足全球的國(guó)際公司，上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來(lái)新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會(huì)后，針對(duì)今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

　　中國(guó)大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。　　某研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片，相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。　　　　預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。　　拓墣
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TrendForce：2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片

　　中國(guó)大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片，相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。　　TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認(rèn)識(shí)嗎？

　　Flash存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對(duì)它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn)，給大家一個(gè)全新認(rèn)識(shí)?！　∫?、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡(jiǎn)單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

　　資料儲(chǔ)存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動(dòng)，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。　　此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲(chǔ)存領(lǐng)
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手機(jī)標(biāo)稱16G內(nèi)存，為何實(shí)際卻少于16G

　　摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 　　我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實(shí)際存儲(chǔ)容量卻總是小于這些值呢?難道
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中國(guó)下個(gè)購(gòu)并標(biāo)的：NAND Flash控制芯片

　　中國(guó)政府近來(lái)積極透過中資集團(tuán)陸續(xù)收購(gòu)或入資海外半導(dǎo)體公司，期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?，F(xiàn)階段，邏輯晶片從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試皆已具雛型，反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì)MIC認(rèn)為，中資集團(tuán)下一波購(gòu)并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。　　資策會(huì)MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國(guó)近期積極透過購(gòu)并，來(lái)改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國(guó)在本土邏輯IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、邏輯IC封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
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TrendForce：經(jīng)濟(jì)前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(zhǎng)有限

　　全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明，各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對(duì)保守，TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長(zhǎng)，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(zhǎng)44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會(huì)加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(zhǎng)率將大幅增長(zhǎng)50%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增

　　NAND Flash記憶體在出廠時(shí)是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯(cuò)誤位元，因此在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理，以及利用錯(cuò)誤更正編碼(ECC)演算法修正錯(cuò)誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲(chǔ)存效能。　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速，平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來(lái)降低成本，在售價(jià)大幅下降情況下，愈來(lái)愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢(shì)，取代原本使用的NOR型快閃記
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中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長(zhǎng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲(chǔ)存
關(guān)鍵字： NAND Flash SSD

中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長(zhǎng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲(chǔ)存
關(guān)鍵字： AND Flash

科技行業(yè)為Flash準(zhǔn)備“葬禮”

過去多年時(shí)間里，來(lái)自Adobe的熱門軟件Flash讓網(wǎng)絡(luò)變得更豐富，然而，F(xiàn)lash的安全性一直飽受詬病，而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明，F(xiàn)lash應(yīng)當(dāng)走向消亡。
關(guān)鍵字： Adobe Flash

基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時(shí)，需對(duì)片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲(chǔ)部分框圖。　　　　圖1存儲(chǔ)部分原理框圖　　在設(shè)計(jì)中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
關(guān)鍵字： ARM7 FLASH

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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]