flash 文章 進(jìn)入flash技術(shù)社區(qū)
NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 0 引言 計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展,存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲空間,其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
- 據(jù)了解,由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
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TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)
- TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號處理器(DSP),主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域,并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器,可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
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海力士看好存儲器價(jià)格反彈
- 韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對于臺系DRAM廠而言,可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分,海力士與臺廠目前都有1~2個(gè)月不等庫存,短期仍可支應(yīng)生產(chǎn),但中長線來看,日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清,目前市場買盤多是邊走邊看,沒有一窩蜂搶貨,但也會擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問題。
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DSP芯片(TMS320C6711D)的Flash存儲器
- 在嵌入式系統(tǒng)中,為了實(shí)現(xiàn)程序的脫機(jī)自動(dòng)運(yùn)行,程序往往固化在電可擦除的Flash存儲器中。要實(shí)現(xiàn)一個(gè)嵌入式系統(tǒng)...
- 關(guān)鍵字: DSP TMS320C6711D Flash
TMS320F2812芯片開發(fā)中Flash代碼性能的研究
- TMS320F2812是目前性能非常優(yōu)秀的32位定點(diǎn)DSP,集成了多種外設(shè)。對TMS320F2812開發(fā)通常利用TI公司的CCS2集成...
- 關(guān)鍵字: TMS320F2812 Flash
基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫
- 基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言
在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,經(jīng)常要使用片外存儲器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器容量比較小時(shí), 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù),如常量、原始數(shù)據(jù)庫等存儲到片外的存儲器中,從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部 - 關(guān)鍵字: 方式 實(shí)現(xiàn) FLASH 擦寫 映射 地址 DSP 嵌入式 系統(tǒng) 通過
flash介紹
閃存(Flash ROM):
是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成,寫入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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