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新日本無線開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2

  • 　　新日本無線現(xiàn)開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產(chǎn)品是設(shè)有旁通電路的寬帶低噪音放大器，最適合于便攜式數(shù)字電視。 　　【開發(fā)背景】 　　近年來，隨著便攜式設(shè)備和汽車導(dǎo)航儀等可接收地面數(shù)字廣播的產(chǎn)品越來越多，為了提高終端的接收靈敏度、市場需求具有高增益/高線性度/低噪音指數(shù)的低噪音放大器(以后稱作LNA)。為了適應(yīng)市場的要求，新日本無線開發(fā)了NJG1129MD7(08年12月公布)。NJG1139UA2是在此之上采用了小型化封裝，減少了外部元件，并為了更加容易使用而開
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砷化鎵產(chǎn)業(yè)恢復(fù)減慢 未來市場規(guī)模將低預(yù)期

  • 　　Strategy Analytics 砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導(dǎo)體研究部門發(fā)布最新報告“砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)預(yù)測 : 2008-2013”。分析指出，全球經(jīng)濟(jì)衰退造成砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)2008年的年增長率由先前預(yù)測的9%降至6%;而2009年砷化鎵 (GaAs) 市場的預(yù)計收益為35億美元，比2008年下降5%，完全抵消前一年的增長。 　　Strategy Analytics 的砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導(dǎo)體技術(shù)市場研究部主管 Asif Anwar
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砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

  • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。 　　一直
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Strategy Analytics：VSAT 經(jīng)受住經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴考驗

  • 　　Strategy Analytics 砷化鎵及化合物半導(dǎo)體技術(shù) (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服務(wù)發(fā)布最新研究報告“來自 Satcom/VSAT 市場的 GaAs 設(shè)備機(jī)會：2008-2013”。報告指出長設(shè)計周期，加之被抑制的消費需求，將使得 VSAT 比大多數(shù)其他通信市場能夠更好的經(jīng)受住目前經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴的考驗，并且轉(zhuǎn)化為對砷化鎵 (GaAs) 設(shè)備的穩(wěn)定需求。 　　砷化鎵 (GaAs) 半導(dǎo)體技術(shù)廣泛用于空間
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DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開關(guān)

  • 介紹了基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計的一款寬帶反射型MMIC SPST開關(guān)的相關(guān)技術(shù)，基于成熟的微波單片集成電路設(shè)計平臺開展了寬帶SPST開關(guān)設(shè)計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時，對電路的通孔特性進(jìn)行了分析，對電路設(shè)計流程進(jìn)行了闡述。要獲得期望帶寬的開關(guān)，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數(shù)量對插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關(guān)電路成功開發(fā)。
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帶有旁通性能1SEG用寬帶低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1129MD7現(xiàn)開始發(fā)放樣品

  • 新日本無線已開發(fā)完成了最適用于1SEG信號用調(diào)諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現(xiàn)開始樣品供貨。 近年來，手機(jī)和車載導(dǎo)航等能接收1SEG信號產(chǎn)品在不斷地增加，因終端接收信號靈敏度不足，故具有高增益／高線性／低噪聲的高性能LNA是市場需要。新日本無線為滿足這種市場需求，開發(fā)了NJG1134HA8（08年3月27日發(fā)表）。NJG1129MD7就是為了滿足市場所求的更高靈敏度，所開發(fā)了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。 該產(chǎn)品是可支持47
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基于CAN總線的GaAs光電陰極制備測控系統(tǒng)

  • CAN總線在GaAs光電陰極制備測控系統(tǒng)中的應(yīng)用成功的解決了系統(tǒng)測控信息量多，對可靠性和實時性要求高的難題，該測控系統(tǒng)的研制成功將有利于對GaAs光電陰極制備工藝進(jìn)行深入的理論研究，促進(jìn)提高GaAs光電陰極的制備水平，該系統(tǒng)具有良好的應(yīng)用前景和推廣價值。
  • 關(guān)鍵字： 陰極  制備  系統(tǒng)  光電  GaAs  CAN  總線  基于  

CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器

  • 　　Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無線應(yīng)用。 　　HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器，無需外部匹配電路，從而成為競爭對手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF應(yīng)用AH-1與AM-1增益單元。 　　HMC636ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到
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Hittite Microwave推出22到46 GHz有源X2倍頻器

  • 　　Hittite Microwave Corporation近日推出一個新款GaAs MMIC有源X2倍頻器，從而使設(shè)計者可以實現(xiàn)頻率覆蓋22到46GHz的連續(xù)輸出。這一器件在時鐘發(fā)生器，點對點無線電、軍事和航空、VSAT以及測試設(shè)備應(yīng)用中，還具有優(yōu)越的基波和諧波抑制。 　　HMC598有源X2倍頻器使用GaAs PHEMT技術(shù)，以裸片形式提供。器件由輸入放大器、低轉(zhuǎn)換損耗倍頻器和一個輸出緩沖放大器組成。當(dāng)用+5 dBm輸入信號驅(qū)動時，倍頻器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型輸入功率。高輸出
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移動終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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