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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用
- EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用?! PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對多種設(shè)備同時(shí)充電,可傳送高達(dá)300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始
- 接近62%的能源被白白浪費(fèi) 美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì),本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)
- 未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機(jī)市場,還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場機(jī)遇。 未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì),隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強(qiáng)勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
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2021年全球MOCVD市場將突破11億美元
- 什么是MOCVD? MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。 MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長,是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。 根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì),全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
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第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件
- GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
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趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng),紫外LED要做弄潮兒
- 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
- 關(guān)鍵字: 照明 紫外LED GaN 第三代半導(dǎo)體
MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢
- MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術(shù)手段,為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價(jià)值,致力于構(gòu)筑更加美好的世界。 在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中,MACOM的技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量,讓數(shù)百萬人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。 日前在上海舉辦的EDICON展會上,MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據(jù)客戶的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
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汽車功率元器件市場前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報(bào)告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
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前瞻性技術(shù):加速GaN技術(shù)應(yīng)用
- 相較于過去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運(yùn)作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實(shí)現(xiàn)更高的效率。 電源供應(yīng)設(shè)計(jì) 德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計(jì)至電源解決方案中,進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗(yàn),TI針對GaN進(jìn)行了數(shù)百萬小時(shí)的加速測試,并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。 GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手,它能夠在保持或提
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汽車功率元器件市場前景廣闊
- 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報(bào)告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn),使用200毫米(和
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電源設(shè)計(jì)控必須了解的2017三大趨勢
- 2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流! 需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點(diǎn)在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
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下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專為實(shí)現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設(shè)計(jì)
- 引言 太陽能不再是一項(xiàng)新興技術(shù),而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù),日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(jià)(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當(dāng)),并且改進(jìn)傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構(gòu)成的目標(biāo)前進(jìn),因?yàn)閷⒚姘逯械闹绷麟娹D(zhuǎn)換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠?! 〉?,雖然太陽能面板在近幾年價(jià)格顯著降低,但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術(shù)推動。先進(jìn)復(fù)雜的多級功率開關(guān)拓?fù)涞呐d起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實(shí)現(xiàn)更加快速的功率開關(guān),與傳統(tǒng)系
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gan-on-sapphire器件介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan-on-sapphire器件的理解,并與今后在此搜索gan-on-sapphire器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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