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邊緣環(huán)境和Gen AI將共同推動(dòng)2023下半年中國(guó)HCI和SDS市場(chǎng)增長(zhǎng)

  • IDC在關(guān)于數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的預(yù)測(cè)中指出，隨著全球企業(yè)更多地實(shí)施高性能的、數(shù)據(jù)密集型的工作負(fù)載，以及對(duì)現(xiàn)有的應(yīng)用進(jìn)行現(xiàn)代化改造，將更大程度地利用云原生架構(gòu)和微服務(wù)，導(dǎo)致數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施環(huán)境更加復(fù)雜，同時(shí)政府的政策指導(dǎo)和業(yè)務(wù)發(fā)展的壓力依舊推動(dòng)垂直行業(yè)繼續(xù)采購(gòu)SDS&HCI產(chǎn)品，從而推動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。IDC近日發(fā)布了《中國(guó)軟件定義存儲(chǔ) (SDS)及超融合存儲(chǔ)系統(tǒng) (HCI)市場(chǎng)季度跟蹤報(bào)告，2023年第二季度》，認(rèn)為最終用戶(hù)市場(chǎng)對(duì)SDS&HCI系統(tǒng)的需求仍將推動(dòng)中國(guó)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)，但過(guò)往疫情的影響讓
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最強(qiáng)安卓芯片大曝光：驍龍8 Gen 3年底上市，小米14可能首發(fā)

  • 今年要說(shuō)移動(dòng)領(lǐng)域最令人矚目的芯片，除了蘋(píng)果即將發(fā)布的A17以外，就算是高通的新一代旗艦芯片了。高通預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候的驍龍峰會(huì)上推出其最新的移動(dòng)芯片組，如果不出意外的話(huà)也就是驍龍8 Gen 3了。對(duì)于這款芯片，其實(shí)陸陸續(xù)續(xù)已經(jīng)有不少信息了，而我們也簡(jiǎn)單匯總了一下，包括它的發(fā)布日期、規(guī)格、性能以及首發(fā)機(jī)型。在發(fā)布日期方面，按照過(guò)去的傳統(tǒng)，高通會(huì)在年底11月召開(kāi)年度驍龍峰會(huì)，屆時(shí)應(yīng)該會(huì)發(fā)布驍龍8 Gen 3這款芯片。一般來(lái)說(shuō)，高通會(huì)在11月發(fā)布，然后12月正式上市。不過(guò)有一些消息稱(chēng)高通有可能會(huì)提前發(fā)布這款旗
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研華工業(yè)存儲(chǔ)SQFlash 730系列:高性能&低功耗 PCIe Gen.4 SSD

  • 研華近期推出工業(yè)級(jí)PCIe4.0新品”SQFlash 730系列”，產(chǎn)品采用高性能主控IC芯片，支持NVMe1.4協(xié)議，提供工業(yè)級(jí)寬溫解決方案，可廣泛應(yīng)用于惡劣環(huán)境中。SQFlash 730系列擁有工業(yè)級(jí)的穩(wěn)定性和可靠性，為工業(yè)應(yīng)用提供了保障。高性能讀取/寫(xiě)入來(lái)自StorageNewsletter的一篇報(bào)導(dǎo)，NVMe整體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2020年的446億美元增長(zhǎng)到2025年的1635億美元。在HPC存儲(chǔ)行業(yè)，PCIe Gen.4規(guī)格預(yù)計(jì)將在2023年達(dá)到72%。隨著對(duì)硬件設(shè)備和數(shù)據(jù)流的需求增加，需要高性
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GEEKBENCH:驍龍8 Gen 3比蘋(píng)果iPhone芯片要優(yōu)秀得多

  • 最近，隨著新處理器的發(fā)布，手機(jī)行業(yè)正變得越來(lái)越熱門(mén)，而高通的 Snapdragon 系列一直處于競(jìng)爭(zhēng)的前沿。Snapdragon 8 Gen 2 是高端智能手機(jī)的熱門(mén)選擇，但與蘋(píng)果的 A 系列芯片相比，性能略遜一籌。不過(guò)，高通旨在通過(guò)即將發(fā)布的 Snapdragon 8 Gen 3 來(lái)填補(bǔ)這一差距，據(jù)傳它將配備 Arm Cortex-X4 核心、獨(dú)特的 1+5+2 核心配置以及 TSMC 的 N4P 工藝節(jié)點(diǎn)。高通 Snapdragon 8 Gen 3 在 Geekbench 中超越了蘋(píng)果 A16 Bio
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高通：搭載衛(wèi)星連接的驍龍 8 Gen 2 安卓手機(jī)今年下半年推出，首先支持應(yīng)急消息

  • IT之家 1 月 6 日消息，高通公司今天宣布計(jì)劃將基于衛(wèi)星的連接引入下一代安卓智能手機(jī)，為三星和谷歌等智能手機(jī)制造商提供一種通過(guò)衛(wèi)星功能與蘋(píng)果及 iPhone 14 機(jī)型 SOS 緊急求救競(jìng)爭(zhēng)的方式。Snapdragon Satellite 是衛(wèi)星公司 Iridium 提供的基于衛(wèi)星的雙向消息傳遞解決方案，Snapdragon Satellite 提供從南極點(diǎn)到北極點(diǎn)的真正的全球覆蓋。高通表示，驍龍 8 Gen 2 移動(dòng)平臺(tái)將內(nèi)置對(duì)使用衛(wèi)星連接的消息傳遞支持，使用該技術(shù)的智
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三星將代工部分高通驍龍8 Gen 2用于Galaxy S23系列

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，高通新一代旗艦移動(dòng)平臺(tái)驍龍8 Gen 2，已在本月正式推出，多款搭載這一移動(dòng)平臺(tái)的智能手機(jī)，隨后也將陸續(xù)推出。對(duì)于高通新推出的驍龍8 Gen 2移動(dòng)平臺(tái)，有報(bào)道稱(chēng)三星電子旗下的代工業(yè)務(wù)部門(mén)，將代工一部分，用于三星電子的Galaxy S23系列智能手機(jī)。從外媒的報(bào)道來(lái)看，高通驍龍8 Gen 2移動(dòng)平臺(tái)，將由臺(tái)積電和三星電子兩家晶圓代工商代工，其中臺(tái)積電代工常規(guī)版本，三星電子代工的則是超頻版本。外媒在報(bào)道中還披露，爆料人士稱(chēng)三星電子為高通代工的驍龍8 Gen 2移動(dòng)平臺(tái)，將采用4nm LPE制
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金士頓推出DataTraveler Max閃存盤(pán)新品

  • 中關(guān)村在線(xiàn)消息，金士頓于近日發(fā)布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤(pán)新品。其特點(diǎn)是采用了USB 3.2 Gen 2方案，具有高達(dá)1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫(xiě)入速度。此外該系列閃存盤(pán)采用了帶橫紋的伸縮頭設(shè)計(jì)，能夠在收納時(shí)更好地保護(hù)USB接頭。金士頓表示，DataTraveler Max系列高性能閃存盤(pán)設(shè)計(jì)之初就充分考慮到了便攜性和便利性，黑/紅外殼可一眼分辨其接口，并帶有掛繩孔和LED狀態(tài)指示燈。容量方面，DataTraveler Max系
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高通推全新S8+ Gen 1、S7 Gen1平臺(tái)

  • 高通技術(shù)公司宣布推出為新一代頂級(jí)和高階Android智能型手機(jī)打造的最新行動(dòng)平臺(tái)產(chǎn)品組合Snapdragon 8+ Gen 1和Snapdragon 7 Gen 1。高通最新的旗艦平臺(tái)Snapdragon 8+是一款強(qiáng)大的頂級(jí)平臺(tái)，帶來(lái)增強(qiáng)的功效和效能，以最終提升涵蓋所有裝置上的體驗(yàn)。Snapdragon 7提供一系列高階、眾所期望的功能和技術(shù)，并且讓全世界更多人都能享受到這些體驗(yàn)。根據(jù)Counterpoint Research、IDC和StrategyAnalytics的最新調(diào)查結(jié)果顯示，高通技術(shù)公司在
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首款搭載驍龍8 Gen 1+的手機(jī)將于6月底上市

  • 4月8日消息，高通驍龍8 Gen 1+ 芯片組可能比預(yù)期來(lái)得要更快。據(jù)gsmarena報(bào)道，供應(yīng)鏈中的一位消息人士透露，搭載 Android 旗艦芯片驍龍8 Gen 1+ 的手機(jī)最早將于6月上市，最遲7月上市。搭載驍龍8 Gen 1+ 的首批設(shè)備將在中國(guó)推出，但目前尚未透露名稱(chēng)。不過(guò)，傳聞一加10 Ultra 將使用該處理器。此前消息稱(chēng)，驍龍8 Gen 1+將基于臺(tái)積電的4納米半導(dǎo)體制造工藝，可能與驍龍8 Gen 1非常相似，但頻率可能略高。而據(jù)韓國(guó)科技論壇 Meeco 的可靠爆料人，引述消息人士說(shuō)法稱(chēng)，
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TE Connectivity推出新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器 支持16 Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸

  • 全球高速計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用領(lǐng)域創(chuàng)新連接方案領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)今日宣布推出新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器。該款連接器符合PCI-SIG CEM 4.0行業(yè)規(guī)范，支持16 Gbps高帶寬，可用于下一代Intel和AMD平臺(tái)。TE新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器采用1.00mm間距，兼容各代PCI Express信號(hào)設(shè)計(jì)，同時(shí)支持16 Gbps（PCIe Gen 4）、8.0 Gbps（PCIe Gen 3）、5.0 Gbps（PCIe Gen 2）和2.5 Gbps（PCI
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業(yè)界首家性能和功耗領(lǐng)先的PCI Express Gen 5時(shí)鐘和緩沖器

  • 中國(guó)，北京- 2019年4月17日- Silicon Labs（亦稱(chēng)“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）日前推出了滿(mǎn)足最新一代PCI Express?（PCIe?）5.0規(guī)范的完整時(shí)鐘解決方案組合，能夠提供同類(lèi)最佳的抖動(dòng)性能，且具有顯著的設(shè)計(jì)余量。Si5332任意頻率時(shí)鐘系列產(chǎn)品可生成抖動(dòng)性能達(dá)140fs RMS的PCIe Gen 5參考時(shí)鐘，優(yōu)化了PCIe SerDes性能，且同時(shí)滿(mǎn)足Gen 5規(guī)范并有余量。Si5332時(shí)鐘能夠生成PCIe和通用頻率的任意組合，可在各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘樹(shù)整合。Silic
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IDT推出全球最高性能Gen 3 PCI Express交換器件

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 發(fā)布全球最高性能的 Gen 3 PCI Ex-press (PCIe) 交換芯片系列，用于固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 存儲(chǔ)陣列和云計(jì)算應(yīng)用。新的交換芯片系列以占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的 IDT 高性能、可升級(jí)的 PCIe Gen 1 和 Gen 2 交換芯片為基礎(chǔ)，支持多達(dá) 64 通道和 16 端口的容量，并支持更多協(xié)議，以改善效率和降
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IDT推出Gen 3 PCI Express交換器件

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT公司 (Integrated Device Technology) 發(fā)布全球最高性能的Gen 3 PCI Express (PCIe) 交換芯片系列，用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD) 存儲(chǔ)陣列和云計(jì)算應(yīng)用。新的交換芯片系列以占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的 IDT 高性能、可升級(jí)的 PCIe Gen 1 和 Gen 2 交換芯片為基礎(chǔ)，支持多達(dá)64 通道和16 端口的容量，并支持更多協(xié)議，以改善效率和降低功耗。
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德州儀器 EPC Gen 2 硅芯片技術(shù)

  •  助力 Sontec 貼裝金屬的 RFID 標(biāo)簽性能更上層樓 面向消費(fèi)類(lèi)家電與電子產(chǎn)品的零售供應(yīng)鏈管理解決方案 面向超高頻 (UHF) 應(yīng)用的射頻識(shí)別 (RFID) 技術(shù)與金屬產(chǎn)品或金屬環(huán)境之間總是很難配合，如同油與水的關(guān)系，這使得通過(guò) RFID 技術(shù)管理金屬產(chǎn)品零售供應(yīng)鏈 (RSC) 面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對(duì)上述挑戰(zhàn)，日前，韓國(guó)領(lǐng)先的 RFID 組件與中間件
  • 關(guān)鍵字： 2  EPC  Gen  測(cè)量  測(cè)試  德州儀器  硅芯片技術(shù)  
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