SK海力士(SK Hynix)正式發(fā)表第二代36層3D NAND Flash服務器用固態(tài)硬碟(SSD)，借由推出3D NAND Flash固態(tài)硬碟及其他高規(guī)格產(chǎn)品，積極搶攻企業(yè)市場。
據(jù)亞洲經(jīng)濟報導，日前SK海力士參加在大陸深圳召開的英特爾開發(fā)者論壇(IDF)，并公開采用第二代3D NAND Flash與控制器的服務器用NVMe介面固態(tài)硬碟。據(jù)了解，SK海力士從2016年初開始量產(chǎn)36層3D NAND Flash。
SK海力士公開的1TB NVMe介面固態(tài)硬碟，采用3D NAND Flas
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SK Hynix SSD
現(xiàn)在PC硬件中最實惠的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存了，8GB內(nèi)存重回199元大關，240/256GB硬盤售價低至400元，簡直是白菜價。
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三星 SK Hynix
受終端各應用部門對存儲器產(chǎn)品需求疲弱的影響，2015年第4季韓國第二大存儲器廠商SK海力士(SK Hynix)營收僅達4.4兆韓元，較前季4.9兆韓元衰退10%，亦較2014年同期衰退14%。
在產(chǎn)品價格下滑、出貨狀況不如預期，加上營業(yè)費用占營收比重攀升等影響，2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達8,710億韓元，較前季1兆韓元衰退16.9%，不僅獲利表現(xiàn)不如預期，也是自2014年第4季以來連續(xù)4季衰退。
2015年第4季SK海力士DRAM部門受到PC與移動裝置需求疲弱影響，位元出貨量較
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SK Hynix 存儲器
在中國半導體業(yè)者積極爭取市占的環(huán)境中，三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK Hynix今(2015)年仍持續(xù)擴大在全球半導體市場的占有率。
韓媒BusinessKorea 14日報導，科技市調(diào)機構(gòu)IC Insights 13日發(fā)表一就報告指出，三星今年仍是全球第二大半導體制造商、銷售額達到416億美元，緊追在英特爾(Intel Corp.)的503億美元之后。不過，兩家公司的差距已從去年的157億美元收斂至87億美元，主要是因為英特爾今年營收下降了2%、但三星卻成長1
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三星 SK Hynix
南韓記憶體大廠SKHynix雖一口回絕了紫光集團(TsinghuaUnigroup)共組合資企業(yè)的提議，但商場沒有永遠敵人，韓媒傳出在競爭日益激烈的環(huán)境下，SKHynix有意與紫光簽立專利授權(quán)協(xié)議，希望能降低一些市場風險。
韓國時報29日報導，駐扎首爾的數(shù)名歐美投資銀行基金經(jīng)理人直指，SKHynix其實很想(morethaninterested)和紫光合作、分享記憶體晶片專利科技，未來或許會和紫光就公司市占較低的快閃記憶體簽訂廣泛的專利授權(quán)合約，因為紫光的生產(chǎn)成本更為低廉。根據(jù)經(jīng)理人的說法，中國
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SK Hynix 紫光
清華紫光在政策助力下，一年來動作頻頻，大舉并購相關半導體廠商外，也不斷對臺灣放話，最新消息是在南亞科前總經(jīng)理高啟全的牽線下，紫光正與 SK Hynix 洽談合作的可能，想藉此切入 NAND Flash 市場。
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紫光 SK Hynix
目前全球內(nèi)存芯片市場由韓國三星電子(Samsung Electronics)、SK Hynix 以及美國美光(Micron Technology)三強主導，但此三強局面將因中國廠商搶進而產(chǎn)生變化?
韓國媒體中央日報日文版 7 日報導，根據(jù)中國最大面板廠京東方(BOE)內(nèi)部消息人士 6 日透露，BOE 于 3 月 23 日舉行了理事會，并決議將進軍內(nèi)存芯片市場，且 BOE 經(jīng)營團隊已向員工公告了上述消息。
據(jù)報導，中國企業(yè)在半導體設計及半導體代工領域已展露頭角，惟在內(nèi)存市場上，目前仍未有中國
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京東方 Hynix
記憶體模組廠威剛(3260-TW)董事長陳立白表示，今年DRAM全年仍處于缺貨的情況，從第1季就會開始缺貨。至于威剛今年獲利可望維持和去年相當，將可再賺進1個股本。威剛2日股價受到激勵，最高來到74.7元，漲幅近5%，開盤不到2小時，成交量爆逾7000張，比前1交易日2872張大幅增加，帶動創(chuàng)見(2451-TW)、南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)股價普遍上漲，其中，華亞科盤中最高來到23.1元，漲幅逾4%，開盤2小時，成交量逾2萬張，超越前1交易日的成交量。
陳立白表示，DR
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Hynix DRAM
上月韓國電信服務供應商SKTelecom斥資3.34萬億韓元(折合約30億美元)收購DRAM芯片制造商海力士(Hynix)共計21%的股份，日前經(jīng)由后者股東會同意和批準，海力士將正式更名為SK海力士(SKHynix)，新的公司Logo和官方主頁亦已經(jīng)上線。
Hynix更名SKHynix
據(jù)雙方表示，這筆交易已經(jīng)在近日全部完成，往后海力士將改名為SK海力士，除了繼續(xù)推出DRAM芯片外，還會針對市場需要擴大業(yè)務范圍，對其他種類的芯片進行生產(chǎn)，目標是成為“全球最好的半導體廠商&rdq
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Hynix DRAM
外電報導，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預期Hynix Q4
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Hynix NAND
韓國海力士(Hynix)半導體的股東透露，公司股東現(xiàn)在愿意接受新的競購方案，負責安排控股權(quán)出售事宜的顧問行正在接洽潛在競購買家。此前由于其他競購方的退出，韓國移動通信運營商SK電訊成為海力士股權(quán)的獨家競買方，這為股東爭取出現(xiàn)競購局面的努力蒙上了陰影。
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Hynix 內(nèi)存
韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認為這項技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關的技術(shù)研發(fā)完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產(chǎn)STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰(zhàn)略的其它部分，兩家公司還將擴大專利交叉授權(quán)的范圍。
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Hynix STT-MRAM
據(jù)韓國媒體報導，直到7月5日還在考慮是否購并海力士半導體(Hynix)的現(xiàn)代重工業(yè)(Hyundai Heavy Industries)，最終決定不提出意向申請書(LOI)，然現(xiàn)又傳出韓國SK集團將要推動購并海力士。由于SK集團主要經(jīng)營通信及煉油事業(yè)，已感受到事業(yè)成長極限的SK集團，選擇半導體作為集團新成長動力，架構(gòu)通信服務、煉油和半導體3大事業(yè)主軸。若SK集團確定投標，海力士的股權(quán)拋售局面也將出現(xiàn)反轉(zhuǎn)。
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SK Hynix 半導體
Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。
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Hynix NAND
據(jù)南韓電子新聞報導，全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細制程轉(zhuǎn)換競爭中，一直緊追在海力士之后的爾必達(Elpida)，可能會更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，并動搖海力士數(shù)年來維持的競爭力。對此說法，海力士反駁道，目前皆依照計劃日程順利進行轉(zhuǎn)換中?！?/li>
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Hynix DRAM
hynix介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價格操控與處份
2004 [
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