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Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造，為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級(jí)導(dǎo)通或開關(guān)損耗。日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)
- 關(guān)鍵字： Vishay INT-A-PAK IGBT功率模塊
使用J2ME技術(shù)實(shí)現(xiàn)手機(jī)觸摸屏開發(fā)的方法
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