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功率MOS管損壞的典型

  • 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質負載的開關運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
  • 關鍵字： MOS  

巧用MOS管的體二極管

  • 用過MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀態(tài)的。用過MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀
  • 關鍵字： MOS  二極管  

世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案

  • 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
  • 關鍵字： NCP51820  安森美  半導體  電源供應器  GaN MOS Driver  

放大器設計：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

  • 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有
  • 關鍵字： 放大器  晶體管  MOS  BJT  

RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用

  • 開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關管，控制其關斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關管，控制其關斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長中，開關電源憑借其70%~
  • 關鍵字： 瑞森半導體  MOS  開關電源  

TP4054 TP4056 TP4057專業(yè)電源管理IC MOS

  • 極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節(jié)鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內部帶有電池反接保護及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4～6V,靜態(tài)工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護和指示燈?？勺鳛镾MT貼片模塊使用貼裝在其他主板上
  • 關鍵字： 充電IC  TP4054  TP4056  TP4057  電源管理IC  MOS  

基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

  • 隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構更具競爭力，在電路設計上相對容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設計界面可滿足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應用，提高在設計上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片，借由數(shù)位控制與參數(shù)設定功能來改變輸出電壓，藉以符合各種不同產(chǎn)品的應用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn)，更可以減少客戶的產(chǎn)品設計與開發(fā)
  • 關鍵字： Infineon  Mos  Charger  AdapterXDPS2201  CYPD3174  

MOS管的Miller 效應

  • 本文對于 MOS 管工作在開關狀態(tài)下的 Miller 效應的原因與現(xiàn)象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現(xiàn)電源的緩啟動。01 Miller效應一、簡介MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文  ZVS振蕩電路工作原理分析[1]  中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形。可以看到柵極電壓在上升階段具有一個平坦的小臺階。這就是彌勒效應所帶來的 MOS 管驅動電壓波
  • 關鍵字： MOS  Miller  

場效應管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關導通

  • 1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場
  • 關鍵字： MOSFET  MOS  場效應管  

開關電源MOS管有哪些損耗，如何減少MOS管損耗

  • 一、什么是開關電源開關模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個人電腦，而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開關損耗開關損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
  • 關鍵字： 開關電源  MOS  MOSFET  

模電設計的九個級別，你到哪個段位了？

  • 模擬電路設計的九個級別，類似下圍棋的段位。請從一段到九段仔細閱讀，看看自己處于什么水平，值得一看哦~
  • 關鍵字： 模電  模擬電路  MOS  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

超低靜態(tài)功耗、內置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

  • 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應用范圍及更低的價格需求，金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內置高壓MOS且性價比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應用于中小功率AC/DC反激式開關電源的高性能電流模式PWM控制器，內置高壓功率MOS，最大輸出功率達20W，待機功耗＜75mW，具有極低的啟動電流和工作電流，可在實現(xiàn)低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時，PWM開關頻率固定；降低負載后，進入綠色模式，開關頻率降低；在空載和輕載時，
  • 關鍵字： EMI  PWM  MOS  

靜態(tài)電流8mA！小體積RS485隔離收發(fā)模塊——TD5(3)31S485-L、TD5(3)21D485-L系列

  • 一、產(chǎn)品簡介低功耗產(chǎn)品意味著損耗小，尤其在電池供電場合優(yōu)勢凸顯（如礦井監(jiān)控系統(tǒng)），同時低功耗可以提高系統(tǒng)的抗干擾能力，提高整機設備的可靠性。金升陽近期推出低功耗、高可靠、小體積RS485隔離收發(fā)模塊——TD5(3)31S485-L、TD5(3)21D485-L系列，靜態(tài)電流低至8mA，滿足煤礦、儀器儀表等對功耗要求嚴苛的應用場景。該系列產(chǎn)品的加工采用全貼片工藝，客戶可輕松實現(xiàn)自動化加工，大大降低生產(chǎn)成本。SMD封裝產(chǎn)品的體積L*W*H＝17.00*12.14*9.45(mm)，DIP封裝產(chǎn)品體積L*W*H
  • 關鍵字： TD5(3)31S485-L  TD5(3)21D485-L系列  

工程師必須掌握的MOS管驅動設計細節(jié)

  • 一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結電容存在。這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單......
  • 關鍵字： MOS  MOSFET  
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