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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進(jìn)制程受益
- 對(duì)全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以發(fā)現(xiàn),在該季度,代工業(yè)整體需求旺盛,一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢(shì)。不過(guò),雖然需求旺盛,但是由于代工產(chǎn)品種類及技術(shù)水平的差別,各代工廠在凈利潤(rùn)方面卻是冷暖自知,中芯國(guó)際(SMIC)成為DRAM價(jià)格嚴(yán)重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損,但是通過(guò)與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動(dòng)下,不久中芯國(guó)際有望走出低迷。 第三季度代工需求旺盛 綜合各家代工廠第三季度的財(cái)報(bào),可以發(fā)現(xiàn)(見(jiàn)表“全球前
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 中芯國(guó)際 IC DRAM 模擬IC
IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè),2007年全球芯片銷售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè),2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。 報(bào)告指出,如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu),這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。 IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說(shuō),今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對(duì)各
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設(shè)計(jì)
應(yīng)用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動(dòng)視頻是關(guān)鍵
- 美國(guó)和歐洲市場(chǎng)強(qiáng)勁的季節(jié)銷售,以及緊隨其后的中國(guó)新年銷售旺季,將有助于決定DRAM是否供過(guò)于求、邏輯芯片供應(yīng)正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。 應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)ikeSplinter預(yù)測(cè),如果情況不是很好,2008年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會(huì)太強(qiáng)勁。2007年,半導(dǎo)體設(shè)備資本開(kāi)支增長(zhǎng)率為0到5%之間,而半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)預(yù)計(jì)為5%到10%之間。 Splinter表示,“尚未為止,2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因?yàn)殇N售沒(méi)有增加,而是由于遭遇沉重的價(jià)格壓力。粗略估計(jì),邏輯芯片
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IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無(wú)利潤(rùn)繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%,略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
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2007年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%
- 市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量成長(zhǎng)率從原來(lái)的8%提升到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng),如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%,NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%,界面集成電路出貨量增長(zhǎng)60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%,汽車模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。 ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量成長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng),這是前所未有的大牛市。
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 集成電路 IC DRAM 消費(fèi)電子
從過(guò)去到未來(lái)
- 如果你認(rèn)為過(guò)去的歸過(guò)去,未來(lái)的歸未來(lái),那么你就錯(cuò)了,因?yàn)闆](méi)有過(guò)去就不會(huì)有現(xiàn)在,沒(méi)有現(xiàn)在當(dāng)然就不會(huì)有未來(lái)。然而過(guò)去、現(xiàn)在、未來(lái)之間是如何相互依存的呢?從某方面來(lái)說(shuō)這是神秘難以解答的一件事,但簡(jiǎn)單來(lái)講就是靠記憶的作用,過(guò)去雖然不存在了,卻可以回想,未來(lái)雖然還沒(méi)有決定,現(xiàn)在卻可以一步步去計(jì)劃、設(shè)想與實(shí)踐
- 關(guān)鍵字: NVM SRAM DRAM
DRAM十月價(jià)格持續(xù)下跌;ETT現(xiàn)貨價(jià)急漲12%
- 上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場(chǎng)eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見(jiàn)的急漲局面,DDR2512MbeTT價(jià)格收在1.17美元,漲幅約11.9%;相較之下,品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢(shì),上漲至1.37美元,幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出,上周DDR2eTT的強(qiáng)勁漲勢(shì),是因?yàn)閑TT主要的供貨商進(jìn)行70nm轉(zhuǎn)進(jìn),供給量減少,部份買主逢低買進(jìn)拉抬買氣,進(jìn)而帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng),因此這波價(jià)格上揚(yáng)主要是短期市場(chǎng)操作結(jié)果,而非市場(chǎng)終端需求帶動(dòng);此外,這波投機(jī)性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒,并沒(méi)有
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 集邦 DRAM ETT MCU和嵌入式微處理器
DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)走弱 合約市場(chǎng)交易冷清
- 現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價(jià)格緩步盤堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后,暫時(shí)止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面,由于現(xiàn)貨市場(chǎng)供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價(jià)格持續(xù)小幅上揚(yáng),DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。 十月份合約市場(chǎng)相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認(rèn)為,倘若預(yù)期十一
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1美元失守!臺(tái)DRAM廠難逃虧損百億
- 全球DRAM現(xiàn)貨價(jià)16日正式跌破1美元重要心理關(guān)卡,以目前現(xiàn)貨報(bào)價(jià)及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估,臺(tái)DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計(jì)將蒙受約1億美元損失,且未來(lái)虧損數(shù)字恐持續(xù)擴(kuò)大,若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價(jià)無(wú)法翻揚(yáng),初步估計(jì)臺(tái)DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺(tái)幣100億元以上,其中,以力晶處境最為不利。  
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM 1美元 MCU和嵌入式微處理器
今年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支將達(dá)437億美元
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱,全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支增長(zhǎng)速度正在減緩,這種低迷的狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支總額將達(dá)到437億美元,比2006年增長(zhǎng)4.1%。2008年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)始預(yù)計(jì)將比2007年增長(zhǎng)0.3%。 Gartner分析師稱,2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支的增長(zhǎng)將影響到2008年的增長(zhǎng)。2008年半導(dǎo)體大型設(shè)備的開(kāi)支將勉強(qiáng)實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng),晶圓加工設(shè)備的開(kāi)支將出現(xiàn)小幅度的負(fù)增長(zhǎng)。后端設(shè)備市場(chǎng)的前景仍是正增長(zhǎng)。 Gar
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索尼與奇夢(mèng)達(dá)組建合資公司 開(kāi)發(fā)DRAM儲(chǔ)存芯片
- 地時(shí)間本周二,日本索尼和德國(guó)芯片制造商奇夢(mèng)達(dá)宣布,它們計(jì)劃建立一個(gè)芯片設(shè)計(jì)合資機(jī)構(gòu),開(kāi)發(fā)消費(fèi)電子和游戲機(jī)使用的DRAM儲(chǔ)存芯片。 兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱,新的合資機(jī)構(gòu)稱為 Qreatic Design,計(jì)劃在今年年前在東京成立,在由雙方30名專家組成的芯片設(shè)計(jì)合資公司中,兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開(kāi)發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的DRAM芯片。 奇夢(mèng)達(dá)是全球最大的DRAM儲(chǔ)存芯片制造商之一,盡管索尼內(nèi)部擁有它自己的芯片設(shè)計(jì)
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集邦:9月下旬DRAM合約價(jià)格預(yù)計(jì)下滑10%
- DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)需求不佳,整體報(bào)價(jià)呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%,價(jià)格下跌至1.54美元。其余顆粒報(bào)價(jià)皆呈現(xiàn)微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來(lái)由于市場(chǎng)需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度,使得價(jià)格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價(jià)格跌破5月低點(diǎn)后,部分分銷商及模塊廠開(kāi)始備貨,使得現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)反彈,間接帶動(dòng)了些許買氣。而合約市場(chǎng)方面,由于現(xiàn)貨價(jià)格快速下跌,加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫(kù)存水位,因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動(dòng)作。
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微處理器
DRAM價(jià)格跌至新低 分析師稱還可能進(jìn)一步下滑
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來(lái)自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競(jìng)爭(zhēng)使得內(nèi)存價(jià)格猛跌,行業(yè)分析師預(yù)測(cè),DRAM價(jià)格還將進(jìn)一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價(jià)格已比兩周前下跌了12.5%,周二時(shí)跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運(yùn)營(yíng)一家對(duì)內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對(duì)用戶產(chǎn)生三個(gè)重大影響:第一,DRAM價(jià)格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM DDR DDR2 存儲(chǔ)器
ST推出最新的DRAM內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)專用溫度傳感器
- 高性能模擬器件和混合信號(hào)產(chǎn)品的主導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所:STM)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片,新產(chǎn)品完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)的溫度監(jiān)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)內(nèi)的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標(biāo)準(zhǔn)更快,但是內(nèi)存過(guò)熱的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內(nèi)存溫度,為中央處理器調(diào)整數(shù)據(jù)流量和采取防過(guò)熱措施提供依據(jù),因此溫度傳感器在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中變得更為重要。 STTS424是一個(gè)獨(dú)立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片,而STTS
- 關(guān)鍵字: 測(cè)試 測(cè)量 ST DRAM 溫度傳感器 測(cè)試測(cè)量
DRAM市場(chǎng)重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂(lè)觀氣氛 下半年將出現(xiàn)反彈
- 2001年DRAM市場(chǎng)價(jià)格崩潰以來(lái),經(jīng)歷了市場(chǎng)惡化最嚴(yán)重的半年后,2007年下半年DRAM市場(chǎng)開(kāi)始重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂(lè)觀氣氛,預(yù)計(jì)2007年下半年銷售價(jià)格將一路走高。下半年的樂(lè)觀因素包括返校帶來(lái)的銷售高峰,以及季節(jié)性假日需求來(lái)臨,其它具體原因還包括:2007年P(guān)C出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng)12%,內(nèi)存平均容量為1.4GB,比2006年的平均800MB內(nèi)存增長(zhǎng)75%。2007年第2季度,預(yù)計(jì)每臺(tái)電腦平均內(nèi)存容量為1.3GB,2007年第3季度預(yù)計(jì)達(dá)到1.4GB,2007年第4季度發(fā)展到1.6GB。一些DRAM供應(yīng)商相信,到200
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM 嵌入式
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