首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> lpddr5x dram

存儲器3Q景氣NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  • 　　存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。 　　雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  50納米  

傳世界先進有意投資茂德中科12吋廠

  • 　　茂德申請負債降息暫化解當前財務(wù)危機后，引進新資金成為當務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個出價者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進出價新臺幣100億元，想買茂德12吋廠，且推測背后應(yīng)是獲得臺積電默許，主要系因驅(qū)動IC未來采12吋廠生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢，世界先進可趁此機會撿便宜。不過，茂德和世界先進對此事都予以否認?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 茂德中科  DRAM  

瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺灣DRAM廠

  • 　　瑞晶董事會日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達到8.8萬片，成為邁向30納米制程進展最快的臺系DRAM廠。此外，董事會也通過，向臺灣歐力士公司申請機器設(shè)備售后租回融資約10億元，持續(xù)添購重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤機臺等?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 瑞晶  DRAM  

力成科技布局先進封裝技術(shù)

  • 　　力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進封裝技術(shù)布局，繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土，預(yù)計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示，實驗工廠以開發(fā)新技術(shù)為主，包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計開發(fā)時程約1年，屆時新竹廠正好開始啟用，新產(chǎn)品效益可望適時于2012~2013年發(fā)酵?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 封裝  DRAM  

華芯預(yù)計內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)收入將過億元

  • 　　華芯半導(dǎo)體公司市場營銷部經(jīng)理殷和國6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對《第一財經(jīng)日報》透露，預(yù)計今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來超過1億元的收入。 　　
  • 關(guān)鍵字： 華芯  DRAM  

iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

  • 　　據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預(yù)計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DRAM  

爾必達宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

  • 　　日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： DDR3  DRAM  

爾必達開發(fā)出全球最薄的DRAM

  • 　　日本半導(dǎo)體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。 　　超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動設(shè)備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

Rambus指責(zé)海力士美光非法共謀

  • 　　據(jù)國外媒體報道，美國存儲芯片制造商Rambus在周一加利福尼亞州開審的反壟斷訴訟案中指出，韓國存儲芯片制造商海力士和美國存儲芯片制造商美光科技曾使用了“非法的陰謀”，欲將Rambus趕出計算機存儲芯片市場。Rambus在此訴訟案中，針對海力士和美光科技侵犯公司DRAM存儲芯片的行為，提出了高達129億美元的索賠要求。Rambus表示，依據(jù)加利福尼亞 州的相關(guān)法律，該公司43億美元的損害賠償將自動增加兩倍，達到129億美元。截至目前，海力士與美光科技對此報道未置可否。　
  • 關(guān)鍵字： Rambus  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)：美日聯(lián)合抗三星

  • 　　DRAM價格持續(xù)處于跌價泥淖，不只臺系DRAM廠陸續(xù)轉(zhuǎn)型、退出，國際大廠也在尋求長遠生存之道，近日傳出爾必達(Elpida)、美光 (Micron)、南亞科高層接觸頻繁，為未來可能的合作暖身，其中華亞科成為這次整并的中心點，因此也傳出爾必達對華亞科的股權(quán)有興趣，為此和美光、臺塑接洽;業(yè)界認為DRAM產(chǎn)業(yè)未來在技術(shù)、資金等門檻越來越高下，若要有效對抗三星電子(Samsung Electronics)，美日結(jié)盟勢為必走之路。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合之路迫在眉睫

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)走過2008年底的全球金融風(fēng)暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠都把產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做其它產(chǎn)品，如Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，PC DRAM仍是面臨持續(xù)崩跌局面，因此集成的議題持續(xù)被討論;金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)即表示，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)不集成只有死路一條;某臺廠 DRAM廠高層即表示，整并最恰當?shù)姆绞绞?家母廠(美光、爾必達)先自行整并，臺灣DRAM廠自然會集成?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

Mobile RAM防線恐失守

  • 　　行動裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 　　存儲器業(yè)者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

爾必達2Gbit LPDDR2產(chǎn)品使用HKMG技術(shù)

  • 　　日本爾必達公司近日宣布成功開發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術(shù)的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級別DRAM芯片產(chǎn)品。HKMG技術(shù)即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(shù)(縮寫為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術(shù)的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  
共1831條 69/123 |‹ « 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 » ›|

lpddr5x dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473