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memsstar談MEMS刻蝕與沉積工藝的挑戰(zhàn)

  •   魯?冰?(《電子產(chǎn)品世界》記者)  不久前,MEMS蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè)memsstar向《電子產(chǎn)品世界》介紹了MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系,對(duì)中國(guó)本土MEMS制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等?! ? MEMS比CMOS的復(fù)雜之處  MEMS與CMOS的根本區(qū)別在于:MEMS是帶活動(dòng)部件的三維器件,CMOS是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是MEMS獨(dú)有的,例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子,由于CMOS器件沒有活動(dòng)部件,因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱?,?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上
  • 關(guān)鍵字: 202006  MEMS  CMOS  memsstar  

memsstar的MEMS征程

  •   MEMS是多學(xué)科交叉融合的前沿技術(shù),在后摩爾時(shí)代,MEMS正在憑借其層出不窮的新應(yīng)用而大放異彩。MEMS以其微型化的優(yōu)勢(shì),在消費(fèi)電子、醫(yī)療電子和汽車電子等方面有著廣闊的應(yīng)用前景。   
  • 關(guān)鍵字: memsstar  MEMS  
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