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meso-synchronous 文章 進(jìn)入meso-synchronous技術(shù)社區(qū)
CMOS快被取代？英特爾將采用MESO降低10倍功耗
- 目前，現(xiàn)有的CMOS半導(dǎo)體工藝正在逐步逼近物理極限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來(lái)十年的計(jì)算時(shí)代中，CMOS工藝很有可能被新技術(shù)取代?！ 〗?，英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件，這種常溫量子材質(zhì)制造的設(shè)備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv，減少5倍，能耗降低10-30倍，而且運(yùn)行速度也是CMOS工藝的5倍?！ ∵@項(xiàng)技術(shù)是英特爾、加州大學(xué)伯克利分校合作的，論文已經(jīng)發(fā)表在《自然》雜志上，它所用的MESO是一種鉍，鐵和氧(BiFeO3)組成的
- 關(guān)鍵字： CMOS，MESO
關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的分析
- 游戲機(jī)、數(shù)字電視(DTV)和個(gè)人電腦等流行的消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功能越來(lái)越多，性能也越來(lái)越高。除了考慮傳輸線不 ...
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 Gpbs DRAM 接口設(shè)計(jì) 碼間干擾 低通濾波器 頻率偏移 信號(hào)幅度 meso-synchronous FlexPhase
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meso-synchronous介紹
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