首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> mos 管

英飛凌推出抗輻射加固型MOS開(kāi)關(guān)器件

  • 英飛凌科技推出其首個(gè)專(zhuān)用于空間和航空應(yīng)用而設(shè)計(jì)的電源開(kāi)關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類(lèi)拔萃的性能，可支持面向空間應(yīng)用的高能效電源調(diào)理和電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOS  

舞臺(tái)功放MOS管改裝電路圖及方法

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專(zhuān)業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關(guān)鍵字： 電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)  

基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
  • 關(guān)鍵字： C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路    

無(wú)比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

采用C-MOS與非門(mén)的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路及工作原理分析

  • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
  • 關(guān)鍵字： 電路  工作  原理  分析  驅(qū)動(dòng)  脈沖  C-MOS  與非門(mén)  發(fā)光二極管  

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

  • 采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
  • 關(guān)鍵字： C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路  

可設(shè)定10~100秒的長(zhǎng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路及工作原理

  • 電路的功能若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門(mén)限電壓，比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
  • 關(guān)鍵字： 工作  原理  電路  定時(shí)  時(shí)間  C-MOS  設(shè)定  

V-MOS管測(cè)試

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  MOS  

MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器自制

  • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過(guò)程：　　 　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號(hào)發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
  • 關(guān)鍵字： 自制  逆變器  效應(yīng)  MOS  

高性能、可高壓直接驅(qū)動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
  • 關(guān)鍵字： 光耦  可調(diào)  死區(qū)時(shí)間  MOS  

MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

  • 1　引　言　　目前,實(shí)現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長(zhǎng)度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對(duì)器件的特性
  • 關(guān)鍵字： 行為  建模  及其  效應(yīng)  管短溝  MOS  

電源變壓器的MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器制作

  • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛(ài)好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過(guò)程。
  • 關(guān)鍵字： 逆變器  制作  效應(yīng)  MOS  變壓器  電源  

舞臺(tái)功放MOS管改裝方法

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專(zhuān)業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關(guān)鍵字： 方法  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)  

基于MOS開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問(wèn)題研究

  • 摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問(wèn)題，通過(guò)分析其干擾信號(hào)頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz，4kV脈沖源，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
  • 關(guān)鍵字： 電磁兼容  問(wèn)題  研究  脈沖  高壓  MOS  開(kāi)關(guān)  高頻  基于  
共95條 5/7 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 »

mos 管介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條mos 管!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)mos 管的理解，并與今后在此搜索mos 管的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473