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MOS管常見的幾種應(yīng)用電路

一、開關(guān)和放大器MOS管最常見的電路可能就是開關(guān)和放大器。1. 開關(guān)電路G極作為普通開關(guān)控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區(qū)，具體仿真結(jié)果可在上節(jié)文章看到。二、時序電路中作為反相器使用下圖示例電路中，芯片1正常工作時，PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2?？梢钥吹叫酒?的使能端初始連接VCC為高電平，當(dāng)芯片1輸出高電平后，(關(guān)注公眾號：硬件筆記本）MOS管導(dǎo)通，芯片2的使能端被拉低為低電平，芯片2開始正常工作。這時MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
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8種開關(guān)電源MOS管的工作損耗計(jì)算

MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：1、導(dǎo)通損耗Pon導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負(fù)載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。導(dǎo)通損耗計(jì)算：先通過計(jì)算得到 IDS(on)(t) 函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通過如下電阻損耗計(jì)算式計(jì)算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說明：計(jì)算 IDS(on)rms 時使用的時期僅是導(dǎo)通時間 Ton ，而不是整個工作周期 Ts ；RDS(
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MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)，用三極管控制會燒壞？

三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設(shè)計(jì)中都會遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個MOS管的開關(guān)電路呢？MOS管開關(guān)電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關(guān)電路但是這個電路的缺點(diǎn)也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
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MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)，用三極管控制會容易燒壞？

三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設(shè)計(jì)中都會遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個MOS管的開關(guān)電路呢？MOS管開關(guān)電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關(guān)電路但是這個電路的缺點(diǎn)也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
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MOS管及其外圍電路設(shè)計(jì)

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【干貨】使用 MOS管構(gòu)建雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器

今天可以大家分享的是：使用 MOS 管構(gòu)建一個簡單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路邏輯電壓電平的變化范圍很大，從1.8V-5V。標(biāo)準(zhǔn)邏輯電壓為5V、3.3V、1.8V等。但是，使用 5V邏輯電平的系統(tǒng)/控制器（如Arduino）如何與使用3.3V邏輯電平的另一個系統(tǒng)（如ESP8266）通信呢？這個時候就需要用到邏輯電平轉(zhuǎn)換器，這里還將介紹 MOS管構(gòu)建一個簡單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路。一、高電平和低電平輸入電壓從微處理器/微控制器方面來看，邏輯電平的值不是固定的，對此有一定的耐受性，例如，5V邏輯電平微控制器可以
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MOS管在BMS中的應(yīng)用方案

BMS確保電池高效安全運(yùn)行，MOS管檢測過充、過放、過流等。電池電壓高低與MOS管選型相關(guān)，選擇時需注意熱設(shè)計(jì)、RDS(ON)和雪崩能量。微碧專注MOS產(chǎn)品20余年，適用于高性能BMS場景。BMS（電池管理系統(tǒng)）負(fù)責(zé)監(jiān)控、控制和保護(hù)電池，以確保電池的高效運(yùn)行和安全性。MOS管在其中起到了檢測過充電，過放電，充放電過流等作用。在充電狀態(tài)時，當(dāng)電池充電后過壓時，充電控制端會由高電平轉(zhuǎn)為低電平，從而使MOS管Q1關(guān)斷，充電回路被切斷，進(jìn)入過電壓保護(hù)。當(dāng)電池通過負(fù)載放電，電池電壓低于設(shè)定值時，放電控制端由高電平轉(zhuǎn)
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MOS管在LED非隔離器中的應(yīng)用方案

MOS管在LED非隔離電源中調(diào)節(jié)亮度和電流，確保LED穩(wěn)定工作并延長壽命。它作為開關(guān)元件、電流驅(qū)動器和保護(hù)器，提高電源穩(wěn)定性和安全性。選型時需注意額定電壓、電流、導(dǎo)通電阻和耐壓能力。推薦微碧半導(dǎo)體的MOS管產(chǎn)品，具有穩(wěn)定性和可靠性，適用于LED非隔離電源等場景。MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）被廣泛應(yīng)用于LED中，主要用于調(diào)節(jié)LED的亮度和電流，實(shí)現(xiàn)對LED的高效控制。在LED非隔離電源的應(yīng)用方案中，MOS管（絕緣柵場效應(yīng)管）扮演著關(guān)鍵性角色，提升LED非隔離電源的穩(wěn)定性和安全性。LED非隔離設(shè)計(jì)
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MOS管在汽車LED 中的應(yīng)用方案

LED汽車燈采用LED技術(shù)，提供外部照明和舒適光源。設(shè)計(jì)中需解決熱極限、EMC等挑戰(zhàn)。有源紋波補(bǔ)償Buck電路是關(guān)鍵，可提升LED驅(qū)動電源的可靠性與壽命。選擇適合的MOSFET可降低開關(guān)損耗，提高電源效率。選型時考慮功率、電壓、電流承受、開關(guān)速度、熱特性和封裝類型。微碧半導(dǎo)體的MOSFET產(chǎn)品具有卓越性能和可靠性，為汽車LED驅(qū)動提供解決方案。摘要由作者通過智能技術(shù)生成有用MOS管在汽車LED 中的應(yīng)用方案LED汽車燈已成為車輛照明領(lǐng)域的一大亮點(diǎn)，其采用LED技術(shù)，既能提供外部照明，又能為車內(nèi)帶來舒適的光
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MOS管驅(qū)動電流估算

例：FDH45N50F如下參數(shù)：有人可能會這樣計(jì)算：開通電流帶入數(shù)據(jù)得關(guān)斷電流帶入數(shù)據(jù)得于是乎得出這樣的結(jié)論，驅(qū)動電流只需 250mA左右即可。仔細(xì)想想這樣計(jì)算對嗎？這里必須要注意這樣一個條件細(xì)節(jié)，RG=25Ω。所以這個指標(biāo)沒有什么意義。應(yīng)該怎么計(jì)算才對呢？其實(shí)應(yīng)該是這樣的，根據(jù)產(chǎn)品的開關(guān)速度來決定開關(guān)電流。根據(jù)I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數(shù)據(jù)，和我們線路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時候，Qg=105nC。如果用1A的
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MOS管基礎(chǔ)及選型指南

MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。▉ 場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也
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MOS管的三個極怎么判定？

相信很多工程師在使用電子測量儀器的時候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三個極怎么判定？MOS管符號上的三個腳，辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方：G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2. 是N溝道還是P溝道？三個腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當(dāng)然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個腳極性。判斷溝道之后，再判斷三個腳極性。3. 寄生二極管的方向如何判定？接下來，是寄生二極管的方向判斷：它的
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MOS驅(qū)動好不好，波形一看就知道

如何從MOS管的驅(qū)動波形來判斷驅(qū)動好不好，到底是哪里出了問題？本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動波形?；A(chǔ)知識一般認(rèn)為三極管是電流驅(qū)動型，所以驅(qū)動三極管，要在基極提供一定的電流。一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動型，所以驅(qū)動MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。實(shí)際是這樣嗎？由于MOS管的制作工藝，決定了本身GS之間有結(jié)電容以及GD之間有彌勒電容，DS也有寄生電容，這使得MOS管的驅(qū)動變得不那么簡單。備注：如下圖為軟件繪制，示意圖僅供參考，便于理解。1、MOS正常驅(qū)動波形描述：MOS一般是慢開快關(guān)，上升沿相
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MOS(場效應(yīng)管)最常用的方法

MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當(dāng)下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導(dǎo)通；2、若使用NMOS當(dāng)上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓，因?yàn)镾極對地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時為低電平，導(dǎo)通時接近高電平VCC。當(dāng)然NMOS也是
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為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度？如何解決這個問題？

今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒，還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。mos管驅(qū)動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅(qū)動芯片驅(qū)動，我們就以這個驅(qū)動設(shè)計(jì)為主。說起mos管關(guān)斷，通常電壓會比開通時高，所以關(guān)斷的損失也會比開通時大，所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關(guān)呢？咱們看看這張圖在mos管開通時，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當(dāng)mos管關(guān)斷時，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]