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主副電源,MOS管自動切換電路分析
- 先看一下這個電路:USB外接電源與鋰電池自動切換電路設(shè)計如果主副輸入電壓相等,同時要求輸出也是同樣的電壓,不能有太大的壓降,怎么設(shè)計?這個電路巧妙的利用了MOS管導(dǎo)通的時候低Rds的特性,相比二極管的方式,在成本控制較低的情況下,極大的提高了效率。本電路實現(xiàn)了,當(dāng)Vin1 = 3.3V時,不管Vin2有沒有電壓,都由Vin1通過Q3輸出電壓,當(dāng)Vin1斷開的時候,由Vin通過Q2輸出電壓。因為選用MOS管的Rds非常小,產(chǎn)生的壓降差不多為數(shù)十mV,所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1 =
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一個高溫引發(fā)的悲劇,你永遠想象不到用戶把你的產(chǎn)品用在哪里?
- 曾經(jīng)的我呢還一個單純的小攻城獅,當(dāng)自己設(shè)計完的電路板通過了功能測試、性能測試、環(huán)境實驗后,我就可以開開心心的玩耍了,但是永遠也想想不到用戶會把你的產(chǎn)品用在什么地方(客戶你們考慮過產(chǎn)品的感受嗎)。具體是這樣的一個很簡單的串口RS485電路,具體電路如下圖所示,用了這個電路后就不要單獨信號去管理485芯片的收發(fā)分時了(是不是很方便,我也這么想的)。問題就是出現(xiàn)這這個電路上,我們做環(huán)境實驗的時候是在55度做的一點點問題都木有,該收收該發(fā)發(fā),但是一到了用戶那里工作一小會就掛了,啥也木的了,經(jīng)過本人的現(xiàn)場排查(踩點
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MOS管常見的幾種應(yīng)用電路
- 一、開關(guān)和放大器MOS管最常見的電路可能就是開關(guān)和放大器。1. 開關(guān)電路G極作為普通開關(guān)控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區(qū),具體仿真結(jié)果可在上節(jié)文章看到。二、時序電路中作為反相器使用下圖示例電路中,芯片1正常工作時,PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時序要求,在芯片1正常工作后,使能芯片2??梢钥吹叫酒?的使能端初始連接VCC為高電平,當(dāng)芯片1輸出高電平后,(關(guān)注公眾號:硬件筆記本)MOS管導(dǎo)通,芯片2的使能端被拉低為低電平,芯片2開始正常工作。這時MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
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8種開關(guān)電源MOS管的工作損耗計算
- MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分:1、導(dǎo)通損耗Pon導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負載電流(即漏源電流) IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。導(dǎo)通損耗計算:先通過計算得到 IDS(on)(t) 函數(shù)表達式并算出其有效值 IDS(on)rms ,再通過如下電阻損耗計算式計算:Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說明:計算 IDS(on)rms 時使用的時期僅是導(dǎo)通時間 Ton ,而不是整個工作周期 Ts ;RDS(
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MOS管開關(guān)電路設(shè)計,用三極管控制會燒壞?
- 三極管有NPN型和PNP型,同理MOS管也有N溝道和P溝道的,三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E,而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管,我們在電路設(shè)計中都會遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計一個MOS管的開關(guān)電路呢?MOS管開關(guān)電路我們一般會用一個三極管去控制,如下圖!MOS管開關(guān)電路但是這個電路的缺點也是顯而易見,由于MOS管有一個寄生的二極管,如果CD5V的濾波電容過大,或者后端有別的電壓串進來,會把前端給燒壞!電流路徑如下:后端電流路徑如何改善這個問題呢?有兩個方式,一種
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MOS管開關(guān)電路設(shè)計,用三極管控制會容易燒壞?
- 三極管有NPN型和PNP型,同理MOS管也有N溝道和P溝道的,三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E,而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管,我們在電路設(shè)計中都會遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計一個MOS管的開關(guān)電路呢?MOS管開關(guān)電路我們一般會用一個三極管去控制,如下圖!MOS管開關(guān)電路但是這個電路的缺點也是顯而易見,由于MOS管有一個寄生的二極管,如果CD5V的濾波電容過大,或者后端有別的電壓串進來,會把前端給燒壞!電流路徑如下:后端電流路徑如何改善這個問題呢?有兩個方式,一種
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【干貨】使用 MOS管構(gòu)建雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器
- 今天可以大家分享的是:使用 MOS 管構(gòu)建一個簡單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路邏輯電壓電平的變化范圍很大,從1.8V-5V。標(biāo)準邏輯電壓為5V、3.3V、1.8V等。但是,使用 5V邏輯電平的系統(tǒng)/控制器(如Arduino)如何與使用3.3V邏輯電平的另一個系統(tǒng)(如ESP8266)通信呢?這個時候就需要用到邏輯電平轉(zhuǎn)換器,這里還將介紹 MOS管構(gòu)建一個簡單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路。一、高電平和低電平輸入電壓從微處理器/微控制器方面來看,邏輯電平的值不是固定的,對此有一定的耐受性,例如,5V邏輯電平微控制器可以
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MOS管在BMS中的應(yīng)用方案
- BMS確保電池高效安全運行,MOS管檢測過充、過放、過流等。電池電壓高低與MOS管選型相關(guān),選擇時需注意熱設(shè)計、RDS(ON)和雪崩能量。微碧專注MOS產(chǎn)品20余年,適用于高性能BMS場景。BMS(電池管理系統(tǒng))負責(zé)監(jiān)控、控制和保護電池,以確保電池的高效運行和安全性。MOS管在其中起到了檢測過充電,過放電,充放電過流等作用。在充電狀態(tài)時,當(dāng)電池充電后過壓時,充電控制端會由高電平轉(zhuǎn)為低電平,從而使MOS管Q1關(guān)斷,充電回路被切斷,進入過電壓保護。當(dāng)電池通過負載放電,電池電壓低于設(shè)定值時,放電控制端由高電平轉(zhuǎn)
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MOS管在LED非隔離器中的應(yīng)用方案
- MOS管在LED非隔離電源中調(diào)節(jié)亮度和電流,確保LED穩(wěn)定工作并延長壽命。它作為開關(guān)元件、電流驅(qū)動器和保護器,提高電源穩(wěn)定性和安全性。選型時需注意額定電壓、電流、導(dǎo)通電阻和耐壓能力。推薦微碧半導(dǎo)體的MOS管產(chǎn)品,具有穩(wěn)定性和可靠性,適用于LED非隔離電源等場景。MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)被廣泛應(yīng)用于LED中,主要用于調(diào)節(jié)LED的亮度和電流,實現(xiàn)對LED的高效控制。在LED非隔離電源的應(yīng)用方案中,MOS管(絕緣柵場效應(yīng)管)扮演著關(guān)鍵性角色,提升LED非隔離電源的穩(wěn)定性和安全性。LED非隔離設(shè)計
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MOS管在汽車LED 中的應(yīng)用方案
- LED汽車燈采用LED技術(shù),提供外部照明和舒適光源。設(shè)計中需解決熱極限、EMC等挑戰(zhàn)。有源紋波補償Buck電路是關(guān)鍵,可提升LED驅(qū)動電源的可靠性與壽命。選擇適合的MOSFET可降低開關(guān)損耗,提高電源效率。選型時考慮功率、電壓、電流承受、開關(guān)速度、熱特性和封裝類型。微碧半導(dǎo)體的MOSFET產(chǎn)品具有卓越性能和可靠性,為汽車LED驅(qū)動提供解決方案。摘要由作者通過智能技術(shù)生成有用MOS管在汽車LED 中的應(yīng)用方案LED汽車燈已成為車輛照明領(lǐng)域的一大亮點,其采用LED技術(shù),既能提供外部照明,又能為車內(nèi)帶來舒適的光
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MOS管驅(qū)動電流估算
- 例:FDH45N50F如下參數(shù):有人可能會這樣計算:開通電流帶入數(shù)據(jù)得關(guān)斷電流帶入數(shù)據(jù)得于是乎得出這樣的結(jié)論,驅(qū)動電流只需 250mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎?這里必須要注意這樣一個條件細節(jié),RG=25Ω。所以這個指標(biāo)沒有什么意義。應(yīng)該怎么計算才對呢?其實應(yīng)該是這樣的,根據(jù)產(chǎn)品的開關(guān)速度來決定開關(guān)電流。根據(jù)I=Q/t,獲得了具體MOS管Qg數(shù)據(jù),和我們線路的電流能力,就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50,它在Vgs=10V,VDS=400V,Id=48A的時候,Qg=105nC。如果用1A的
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MOS管基礎(chǔ)及選型指南
- MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢,在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。▉ 場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管分為結(jié)型(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型(MOSFET)兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor,也
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MOS驅(qū)動好不好,波形一看就知道
- 如何從MOS管的驅(qū)動波形來判斷驅(qū)動好不好,到底是哪里出了問題?本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動波形?;A(chǔ)知識一般認為三極管是電流驅(qū)動型,所以驅(qū)動三極管,要在基極提供一定的電流。一般認為MOS管是電壓驅(qū)動型,所以驅(qū)動MOS管,只需要提供一定的電壓,不需要提供電流。實際是這樣嗎?由于MOS管的制作工藝,決定了本身GS之間有結(jié)電容以及GD之間有彌勒電容,DS也有寄生電容,這使得MOS管的驅(qū)動變得不那么簡單。備注:如下圖為軟件繪制,示意圖僅供參考,便于理解。1、MOS正常驅(qū)動波形描述:MOS一般是慢開快關(guān),上升沿相
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