nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

跟上連接和融合的發(fā)展步伐

　　 MIPS 科技公司營銷副總裁Art Swift 　　2010 年我們在全球看到的最大的趨勢就是連接和融合。在整個市場，硬件平臺的融合和因特網(wǎng)連接正逐漸成為幾乎每個電子設備的一部分。對于消費者而言，這基本上意味著他們可以在任何時間和地點，在任何屏幕上瀏覽任何內(nèi)容。半導體設計人員需要跟上市場不斷變化的步伐， MIPS 致力于提供全面的解決方案幫助我們的客戶取勝。這意味著我們將為客戶提供更多以內(nèi)容為中心的解決方案，并對 Android、Linux、Flash、Java 和其他平臺優(yōu)化進行大量投資。
關鍵字： MIPS Android Linux Flash Java

SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局

　　最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的競爭激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片，其對手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。　　　　據(jù)SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示，SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程NAND閃存芯片將可適用于兩位元存儲單元設計和三位元存儲單元設計。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲單
關鍵字： SanDisk NAND 閃存芯片

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存明年將轉(zhuǎn)向更高級別制程

　　鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術。　　Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
關鍵字：鎂光 NAND 25nm

基于FLASH星載存儲器的高效管理研究

NAND FLASH開始廣泛應用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎,結(jié)合空間應用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概念對存儲器數(shù)據(jù)進行管理,制定了針
關鍵字： FLASH 星載存儲器

全球存儲器短缺的三個理由

　　2010年全球存儲器可能出現(xiàn)供應缺貨，而且非常可能會延續(xù)下去。為什么?可能有三個原因，1)，存儲器市場復蘇;2)，前幾年中存儲器投資不足;3)，由ASML供應的光刻機交貨期延長。　　巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報告中指出，通過存儲器的食物供應鏈看到大量的例證，認為目前存儲器供應偏緊的局面將持續(xù)2010整年，甚至延伸到2011年。　　據(jù)它的報告稱，2010年全球NAND閃存的位增長可達70%，而2009增長為41%。2010年全球DRAM的位增長達52%。　　Luke認為
關鍵字：存儲器 NAND 光刻機

傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

　　消息人士周三透露，東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。　　報道稱，東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠，但受經(jīng)濟衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠計劃。　　市場調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報告稱，全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場，其NAND閃存
關鍵字：東芝 NAND 閃存芯片

Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品

　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 　　按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
關鍵字： Hynix 26nm NAND 閃存芯片

傳鎂光公司欲收購Numonyx公司

　　業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜，并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱：”我聽說鎂光有可能會收購 Numonyx公司，這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產(chǎn)品服務的一站式廠商。“ 　　此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專門生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來也是Intel內(nèi)部負責NOR閃存的部門，不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
關鍵字： Numonyx NAND NOR閃存

技術領先領先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

　　在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業(yè)務的一個驚人規(guī)劃，他們計劃在閃存技術和SSD產(chǎn)品市場上取得領先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場上扮演領軍人的角色?？雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。　　Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
關鍵字： Intel NAND 閃存

應用材料兩名高管因竊取三星技術機密被捕

　　據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。　　美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經(jīng)確認此事，并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應用材料副總裁，另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。　　應用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
關鍵字：應用材料 DRAM NAND

創(chuàng)造消費價值是關鍵

　　32位MCU強勢增長　　從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位，到10月底時，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭，這
關鍵字： MCU NAND NOR Android

危機中求生存東芝擬關閉福岡NAND工廠

　　據(jù)日本經(jīng)濟新聞報導，東芝計劃今年關閉其國內(nèi)2個NAND閃存工廠之一,而把存儲芯片封裝工作全部集中于另一工廠。　　即將關閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福岡縣宮若市,該廠生產(chǎn)設備以及約400名員工將被轉(zhuǎn)移到東芝三重縣四日市的工廠。　　為降低生產(chǎn)成本，東芝會將日本本部作為其研發(fā)及測試中心，并加速將量產(chǎn)工作移往海外。
關鍵字：東芝 NAND

英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

　　英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術——該技術能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產(chǎn)品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量，提供更高的成本效益。　　NAND閃存可用于存儲消費電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容，即使在電源關閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動了該技術持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術，也是全球最精密的半導體技術——這項技術成就將
關鍵字：英特爾 25納米 NAND

蘋果刺激NAND Flash需求　各界引頸盼望

　　蘋果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相，內(nèi)建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強心針!根據(jù)外資和市調(diào)機構(gòu)估計，2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時也為產(chǎn)業(yè)開創(chuàng)新應用領域。惟近期NAND Flash報價波動相當平靜，并未反映蘋果效應，下游廠指出，大陸在農(nóng)歷年前又開始嚴查走私，因此當?shù)匦枨箐J減，預計年后才會發(fā)動補貨行情。　　蘋果推出的平板計算機(Tablet PC)
關鍵字： Apple SSD NAND

Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內(nèi)領先六個月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
關鍵字： Intel NAND 25nm

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]