nand　文章進(jìn)入nand　技術(shù)社區(qū)

NAND閃存市場近兩月呈現(xiàn)“崩潰”現(xiàn)象

　　市場研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師Bryan Lewis表示，2008年的NAND閃存市場原本已經(jīng)朝著成長趨勢前行，但現(xiàn)在卻出現(xiàn)了10%的下滑。Lewis表示，雖然有多數(shù)半導(dǎo)體類別市場仍成長強(qiáng)勁，但NAND閃存市場卻在過去的兩個(gè)月內(nèi)呈現(xiàn)“崩潰”現(xiàn)象。　　考慮到宏觀經(jīng)濟(jì)因素及庫存過剩帶來的歐美市場需求趨緩，Gartner認(rèn)為，2008年NAND閃存的市場營收僅139億美元，與去年相較下滑10.1%。Lewis表示：「閃存市場過去一度被看好，現(xiàn)在卻被認(rèn)為將會(huì)顯著下滑。閃存需
關(guān)鍵字： NAND 半導(dǎo)體 Gartner 市場需求

商刊：三星看中了SanDisk的什么價(jià)值

　　北京時(shí)間9月8日《商業(yè)周刊》文章指出，領(lǐng)先的閃存卡廠商SanDisk的業(yè)績一直沒什么起色，但是它有很多對三星有用的東西，比如專利權(quán)、鑰匙鏈驅(qū)動(dòng)和MP3播放器等。　　在過去的一年時(shí)間里，閃存芯片價(jià)格一直在下跌，加上其數(shù)字媒體設(shè)備的銷售狀況也沒有任何起色，SanDisk也許很快就會(huì)被三星集團(tuán)收購。　　三星公開表示它正在考慮是否收購SanDisk之后，SanDisk股票在9月5日暴漲了31％。 SanDisk發(fā)布了一項(xiàng)聲明，但是沒有證實(shí)或否認(rèn)三星是否提出了收購要約。　　在股價(jià)暴漲之前，SanDi
關(guān)鍵字：三星 SanDisk 閃存卡數(shù)字媒體 NAND

全球半導(dǎo)體廠商逆勢擴(kuò)張市場競爭白熱化

　世界經(jīng)濟(jì)蕭條和半導(dǎo)體價(jià)格下跌讓全球半導(dǎo)體市場陰云密布。世界半導(dǎo)體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認(rèn)為，世界排名第5的德國DRAM廠商奇夢達(dá)等部分企業(yè)最近面臨嚴(yán)重危機(jī)，隨著產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)入重新洗牌階段，半導(dǎo)體價(jià)格已跌至谷底。　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的危機(jī)已達(dá)到頂點(diǎn) 　最近，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著前所未有的危機(jī)。尤其
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND DRAM 奇夢達(dá)

12寸晶圓首超8寸晶圓主導(dǎo)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能

　　根據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，12寸晶圓首度超越8寸晶圓，在全球晶圓制造產(chǎn)能（wafermanufacturingcapacity）以及實(shí)際加工晶圓（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分別占總產(chǎn)能的44%以及總加工硅晶圓的47%. 　　此外SIA并指出，整體晶圓產(chǎn)能利用率仍在89%的高水平，其中先進(jìn)制程的利用率甚至超過95%.SIA總裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求約八成的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 12寸 8寸晶圓 NAND

英特爾發(fā)布高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品規(guī)劃

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部日前發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅(qū)動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺(tái)式機(jī)客戶端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器、存儲(chǔ)設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計(jì)算機(jī)中的硬盤驅(qū)動(dòng)器。　　與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD）和目前市場上的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計(jì)算機(jī)開/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
關(guān)鍵字：英特爾固態(tài)驅(qū)動(dòng)器 SSD NAND

Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。　　據(jù)國外媒體報(bào)道，Hynix表示，該新廠位于清州，月產(chǎn)量可達(dá)到30萬件，并有望于在數(shù)月后提高到50萬件。　　Hynix在清州還建有另外兩個(gè)芯片制造廠，目前正在運(yùn)作當(dāng)中。　　Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示，公司計(jì)劃加強(qiáng)產(chǎn)品在價(jià)格方面的競爭力，并在接下來的研發(fā)道路中保持高水準(zhǔn)的投資。
關(guān)鍵字： NAND Hynix 快閃記憶體

臺(tái)灣工研院建固態(tài)硬盤認(rèn)證平臺(tái)

　　固態(tài)硬盤(SSD)借低價(jià)電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國際大廠結(jié)合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢走在前列，臺(tái)系陣營為了急起直追，由當(dāng)?shù)毓I(yè)情報(bào)機(jī)構(gòu)工研院、測試廠百佳泰和臺(tái)廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認(rèn)證平臺(tái)，希望藉此機(jī)會(huì)把SSD硬件測試平臺(tái)建立起來，為臺(tái)灣廠商臺(tái)廠搶占固態(tài)硬盤市場先機(jī)。　　工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達(dá)80GB的SSD產(chǎn)品，2009年還將推出100GB產(chǎn)品，其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤 NAND 閃存芯片 SSD

英特爾筆記本專用SSD硬盤30天內(nèi)上市

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅(qū)動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺(tái)式機(jī)客戶端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器、存儲(chǔ)設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計(jì)算機(jī)中的硬盤驅(qū)動(dòng)器。　　與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)和目前市場上的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計(jì)算機(jī)開/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 固態(tài) 驅(qū)動(dòng)器 SSD HDD

NAND閃存市場價(jià)格一路下滑降幅超10%

　　來自閃存制造業(yè)界的消息稱，預(yù)計(jì)在八月份晚期，當(dāng)前閃存芯片市場上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價(jià)格將雙雙下滑10%. 　　NAND閃存芯片多用于當(dāng)前的消費(fèi)類產(chǎn)品上，包括蘋果的iPhone手機(jī)、iPod音樂播放器以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費(fèi)類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但今年卻無法止住NAND閃存芯片價(jià)格下滑步伐。　　三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度，由于NAND閃存價(jià)格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
關(guān)鍵字：閃存 NAND 芯片三星

NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級(jí)單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會(huì)議的論文和2007
關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC

三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關(guān)鍵字：三星閃存 NAND DRAM

三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體 DRAM NAND

東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

　　東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)。隨著帶有控制器功能的存儲(chǔ)器需求不斷擴(kuò)大，東芝已經(jīng)采取行動(dòng)使其在這個(gè)不斷擴(kuò)大的市場上占領(lǐng)領(lǐng)先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
關(guān)鍵字：東芝 NAND 閃存嵌入式

TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計(jì)劃于九月份開始銷售。　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級(jí)單元（SLC）和多級(jí)單元（MLC） NAND 閃存，實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC）和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲(chǔ)容量，因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
關(guān)鍵字： TDK NAND 閃存控制器 LSI

Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術(shù)

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領(lǐng)域的共同開發(fā)項(xiàng)目。　　據(jù)國外媒體報(bào)道，根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兩家公司將合作擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品和實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而應(yīng)對未來五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。　　根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術(shù)項(xiàng)目，聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品，并進(jìn)行資源整合以促
關(guān)鍵字： NAND 閃存 Hynix 意法半導(dǎo)體 Numonyx