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大容量NANDFlash在多媒體手機(jī)中的應(yīng)用

  • 1 引言

    隨著手機(jī)市場競爭的日趨激烈，多媒體手機(jī)逐漸成為市場的寵兒。因?yàn)橛写罅康亩嗝襟w數(shù)據(jù)，因此大容量存儲是多媒體手機(jī)所要解決的首要問題。

    NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NOR的特點(diǎn)是
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NANDFlash買賣雙方協(xié)商 閃存芯片合約價下跌達(dá)30%

  • 　　歷經(jīng)過去2個月的不斷地交涉協(xié)商后，7月底時多數(shù)的NANDFlash買賣雙方業(yè)者，終于就多數(shù)的NANDFlash芯片合約價格大致達(dá)成了共識。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場及系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的傳統(tǒng)淡季，再加上2Q季底效應(yīng)的影響，下游客戶多優(yōu)先忙于去化手頭的過剩庫存，故他們在此期間回補(bǔ)庫存的意愿也都不太高。
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基于PNX1501的NandFlash在線燒錄系統(tǒng)

  • 　　隨著電子產(chǎn)品市場的不斷擴(kuò)大，閃存器無疑將獲得極大的增長。這種增長在很大程度上取決于存儲器的非易失性 ...
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基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計(jì)

  • 基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計(jì),摘要：本文首先給出了NandFlash的硬件特點(diǎn)，分析了Linux MTD層(Memow Technology Device)的特性，基于東南大學(xué)國家ASIC中心自主設(shè)計(jì)的嵌入式微處理器芯片SEP4020，給出了Linux下NandFlash驅(qū)動的詳細(xì)設(shè)計(jì)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)
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NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動開發(fā)

  • NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
    隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性，復(fù)雜性對構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求，需要閃存設(shè)備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
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SSD有望成為新半導(dǎo)體需求市場

  • 　　隨著NANDFlash(非易失閃存技術(shù))價格的持續(xù)下滑，作為下一代存儲設(shè)備的SSD(SolidStateDrive，固態(tài)硬盤)有望成為新的半導(dǎo)體市場需求。在2010年以后，SSD將會成為世界NANDFlash存儲市場中的主要品種，而各大存儲技術(shù)相關(guān)企業(yè)也將從今年開始正式展開激烈的市場競爭。 　　市場規(guī)模將達(dá)100億美元 　　SSD是利用現(xiàn)有的DRAM和NANDFlash等存儲技術(shù)和控制器來制作的下一代存儲設(shè)備。與競爭產(chǎn)品HDD(硬盤驅(qū)動器)相比，SSD具有安全性高、功耗低、數(shù)據(jù)傳送速度快、無機(jī)械噪
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SSD將成為新的半導(dǎo)體需求市場

  • 　　為跟上技術(shù)進(jìn)步的發(fā)展步伐，2008年半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、材料、零部件行業(yè)將出現(xiàn)新一輪產(chǎn)品研發(fā)熱。該行業(yè)大舉引進(jìn)最新的高效率生產(chǎn)技術(shù)，挑起了夯實(shí)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的重任。 　　挑戰(zhàn)微細(xì)化納米技術(shù) 　　最近發(fā)表的ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖)深入分析了今后15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向。 　　回顧該行業(yè)技術(shù)發(fā)展的軌跡，我們發(fā)現(xiàn)，人們除了把目光聚集到High-k門極電介質(zhì)的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術(shù))上之外，還格外關(guān)注存儲器與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)間的對話。2007年11月在夏威夷召開的ITPC(半
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基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 文章詳細(xì)說明了從Nandflash引導(dǎo)操作系統(tǒng)要完成的主要任務(wù)和實(shí)現(xiàn)方法，并給出了在S3C2410上實(shí)現(xiàn)Nandflash啟動的試驗(yàn)結(jié)果。
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基于DSP芯片PNX1501的NandFlash在線燒錄系統(tǒng)

  • 隨著電子產(chǎn)品市場的不斷擴(kuò)大，閃存器無疑將獲得極大的增長。這種增長在很大程度上取決于存儲器的非易失性、低功耗、高密度和重量輕等特點(diǎn)。
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nandflash介紹

NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在： 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁 [ 查看詳細(xì) ]

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