nor閃存文章進(jìn)入nor閃存技術(shù)社區(qū)

第四季NOR閃存出貨量將繼續(xù)下降

　　據(jù)iSuppli公司，由于全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)仍然不確定，預(yù)計(jì)2010年第四季度全球NOR閃存市場(chǎng)連續(xù)第二個(gè)季度下降。　　預(yù)計(jì)2010年第四季度NOR閃存出貨量下降6%，從第三季度的10.7億個(gè)減少到10.1億個(gè)。銷售額預(yù)計(jì)下滑5.3%，從第三季度的11.3億美元降到10.7億美元。　　第三季度NOR市場(chǎng)亦萎縮。雖然當(dāng)季出貨量上升，但平均銷售價(jià)格(ASP)下跌，導(dǎo)致銷售額比第二季度下降9.6%。　　圖2所示為2010年第一季度到第四季度的NOR閃存銷售額。　　綜合來看，第三與第四季度的情況顯示，
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華邦為爾必達(dá)代工的GDDR顯存產(chǎn)能明顯低于預(yù)期

　　據(jù)業(yè)者透露，臺(tái)灣華邦公司最近已經(jīng)開始為爾必達(dá)內(nèi)存公司代工GDDR顯存芯片產(chǎn)品，其月產(chǎn)能為5000片晶圓。不過，由于華邦認(rèn)為NOR閃存毛利更高，因此其保留了部分產(chǎn)能用來制作NOR閃存，這便導(dǎo)致目前華邦公司的GDDR芯片產(chǎn)能僅能滿足爾必達(dá)一半的需求。　　據(jù)業(yè)者分析，由于爾必達(dá)公司顯存業(yè)務(wù)量的激增，爾必達(dá)目前對(duì)華邦GDDR芯片的產(chǎn)能需求在每月1萬片左右，而華邦則被NOR閃存最近的漲價(jià)風(fēng)聲所吸引，增大了NOR閃存的產(chǎn)能，這樣自然就影響到了其GDDR閃存的產(chǎn)能。　　華邦計(jì)劃到下半年將其NOR閃存芯片的
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芯片缺很大電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦

　　由于ODM/OEM廠對(duì)第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動(dòng)IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價(jià)5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價(jià)格并未跟進(jìn)調(diào)漲，顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。　　根據(jù)通路業(yè)者指出，今年中國(guó)農(nóng)歷年期間因終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，大幅去化芯片庫(kù)存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
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閃存新貴NOR創(chuàng)憶公司落戶外高橋新發(fā)展園區(qū)

　　經(jīng)過半年多的積極準(zhǔn)備，落戶于外高橋保稅區(qū)新發(fā)展園區(qū)的創(chuàng)憶公司3月4日正式開業(yè)。該項(xiàng)目總投資額超過3000萬美元。作為優(yōu)秀閃存新貴，創(chuàng)憶公司將立足上海，面向亞太地區(qū)開創(chuàng)閃存市場(chǎng)的新格局。　　作為目前全球最大的NOR閃存制造商的創(chuàng)憶公司，成立于2008年3月，是由英特爾和意法半導(dǎo)體以各自的閃存部門組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)先進(jìn)的產(chǎn)品研發(fā)和檢測(cè)線、和業(yè)界領(lǐng)先的相變存儲(chǔ)器開發(fā)制造能力。　　2009年7月，創(chuàng)憶公司與外高橋保稅區(qū)新發(fā)展公司簽署了廠房租賃合同，200多名研發(fā)人員在占地3700平方米的研發(fā)中心
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傳茂德將與旺宏簽署12英寸晶圓廠轉(zhuǎn)讓協(xié)議

　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)灣內(nèi)存廠商茂德已經(jīng)決定要將其設(shè)在臺(tái)灣新竹科技園區(qū)內(nèi)的12英寸晶圓廠轉(zhuǎn)讓給旺宏公司，旺宏(Macronix)公司是一家專門制作ROM和NOR閃存的芯片廠商。據(jù)悉轉(zhuǎn)讓的價(jià)格在2.18-2.81億美元左右，預(yù)計(jì)兩家廠商很快會(huì)正式宣布這起交易。不過茂德的發(fā)言人曾邦助拒絕就此消息進(jìn)行評(píng)價(jià)，只稱茂德會(huì)在合適的時(shí)候?qū)⒂嘘P(guān)的消息公布出來。　　茂德過去一直在為自己設(shè)在新竹科技園區(qū)的芯片廠尋找買家，據(jù)稱此舉曾引起旺宏和聯(lián)電的興趣。消息來源并指茂德原計(jì)劃在農(nóng)歷新年到來之前完成交易，不過由于買賣雙方在
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Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場(chǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇已帶動(dòng)長(zhǎng)期低迷的NOR閃存市場(chǎng)反彈，類似于整體內(nèi)存市場(chǎng)的情形。　　2009年第四季度總體NOR營(yíng)業(yè)收入為12.3億美元，比第三季度的12.2億美元增長(zhǎng)0.7%。　　“這標(biāo)志這個(gè)市場(chǎng)連續(xù)第三個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)。2009年第一季度形勢(shì)非常糟糕，營(yíng)業(yè)額下降到不足10億美元，”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲(chǔ)分析師Michael Yang表示，“第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入受到來自多個(gè)消費(fèi)產(chǎn)品領(lǐng)域的需求推動(dòng)，包括液晶電視、手機(jī)和電腦。需
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傳鎂光公司欲收購(gòu)Numonyx公司

　　業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購(gòu)Numonyx公司事宜，并稱其仍對(duì)NOR閃存市場(chǎng)抱有興趣。一位市場(chǎng)分析師稱：”我聽說鎂光有可能會(huì)收購(gòu) Numonyx公司，這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產(chǎn)品服務(wù)的一站式廠商。“ 　　此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專門生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來也是Intel內(nèi)部負(fù)責(zé)NOR閃存的部門，不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
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恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商

　　盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對(duì)市場(chǎng)可預(yù)期的需求增長(zhǎng)，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場(chǎng)需求，擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點(diǎn)技術(shù)向低節(jié)點(diǎn)技術(shù)的制程升級(jí)，進(jìn)一步擴(kuò)大位級(jí)產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢(shì)，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。　　展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲(chǔ)器解
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恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景

　　盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對(duì)市場(chǎng)可預(yù)期的需求增長(zhǎng)，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場(chǎng)需求，擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點(diǎn)技術(shù)向低節(jié)點(diǎn)技術(shù)的制程升級(jí)，進(jìn)一步擴(kuò)大位級(jí)產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢(shì)，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。　　展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
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Spansion陷入困境 Numonyx重登NOR閃存廠商排名榜首

　　iSuppli指出，Numonyx趁對(duì)手Spansion遇到麻煩之際，在第二季度重回NOR閃存廠商排名榜首。　　Numonyx第二季度NOR閃存收入攀升至3.8億美元，較第一季度增長(zhǎng)5000萬美元。Numonyx第二季度在NOR閃存中的市場(chǎng)份額達(dá)到34.6%。　　iSuppli同時(shí)指出，Spansion第二季度收入減少2200萬美元至3.76億美元，市場(chǎng)份額降至34.2%。　　iSuppli公司移動(dòng)存儲(chǔ)資深分析師Michael Yang指出，Numonyx和Spansion今年的排名爭(zhēng)奪非
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Numonyx 在第二季度成為 NOR閃存市場(chǎng)中的王者

　　在過去五年，Spansion 和恒憶一直在拼命爭(zhēng)搶 NOR 閃存市場(chǎng)的頭把交椅，曾數(shù)次輪流坐莊。雖然經(jīng)歷了并購(gòu)、擴(kuò)張和剝離，但它們之間的競(jìng)爭(zhēng)并沒有減弱，都想抓住任何機(jī)會(huì)來壓倒對(duì)方。據(jù) iSuppli 公司，第二季度輪到恒憶領(lǐng)先，成為 NOR 市場(chǎng)的老大。然而，它的優(yōu)勢(shì)非常微弱，只領(lǐng)先 1.1 個(gè)百分點(diǎn)。　　在第二季度，恒憶營(yíng)業(yè)收入達(dá)到 3.8億美元，Spansion 是3.76億美元。恒憶第二季度取得明顯增長(zhǎng)，但第一季度營(yíng)業(yè)收入只有 3.3 億美元。與此同時(shí)，Spansion 公司的營(yíng)業(yè)收入低于
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手機(jī)拆機(jī)分析揭示移動(dòng)存儲(chǔ)的未來

　　NAND和mDRAM激增，NOR-less機(jī)型增多　　手機(jī)內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化？　　在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)，隨著手機(jī)從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具，手機(jī)所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動(dòng)DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。　　這種轉(zhuǎn)變的背后，是因?yàn)槭袌?chǎng)需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用于保存語音/音樂、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機(jī)RAM
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Spansion榮獲同洲電子最佳合作伙伴獎(jiǎng)

　　全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）日前宣布，公司榮獲由中國(guó)數(shù)字視訊龍頭企業(yè)同洲電子頒發(fā)的最佳合作伙伴獎(jiǎng)。為同洲電子提供高容量、安全存儲(chǔ)產(chǎn)品的Spansion是唯一獲得這一殊榮的NOR閃存供應(yīng)商。　　在雙方已逾三年的合作中，Spansion為同洲電子銷往國(guó)內(nèi)外的機(jī)頂盒產(chǎn)品提供了一系列豐富的MirrorBit NOR®閃存解決方案。　　“中國(guó)消費(fèi)者對(duì)具有更先進(jìn)功能的機(jī)頂盒產(chǎn)品的需求在日益增加，”同洲電子總裁袁明表示，&ldquo
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Spansion® NOR閃存在MediaTek參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上完成預(yù)先驗(yàn)證

Spansion宣布，其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上的預(yù)先驗(yàn)證。MediaTek總部位于臺(tái)灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司之一。在MediaTek參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上完成對(duì)Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗(yàn)證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C(jī)更快地推向中國(guó)及其它高速增長(zhǎng)市場(chǎng)。在未來幾年內(nèi)，中國(guó)將成為推動(dòng)新型手機(jī)發(fā)展的全球三大主要地區(qū)之一。對(duì)于希望在新興地區(qū)增加新用戶的運(yùn)營(yíng)商及OEM廠商而言，主流手機(jī)
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Spansion發(fā)布NOR閃存解決方案

Spansion發(fā)布了其為新興市場(chǎng)設(shè)計(jì)的NOR VS系列閃存解決方案。該系列旨在使手機(jī)OEM廠商能夠提供簡(jiǎn)化的、高性能的入門級(jí)手機(jī)，滿足中國(guó)、印度、俄羅斯等手機(jī)用戶數(shù)量迅速增長(zhǎng)地區(qū)的需求。典型的針對(duì)新興市場(chǎng)的入門級(jí)手機(jī)包括從基本的、僅有語音功能的機(jī)型到帶有低相素?cái)z像頭及2D游戲的彩屏手機(jī)。Spansion® NOR VS系列的容量從16Mb到64Mb，裸片尺寸的減小高達(dá)30%，從而使手機(jī)OEM廠商能夠開發(fā)出比早期產(chǎn)品更具成本效率、性能更高的解決方案。 NOR&nbs
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nor閃存介紹

flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是 [ 查看詳細(xì) ]

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