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Spansion成立安全及高級技術(shù)事業(yè)部
- 北京,2007年8月2日-全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布任命行業(yè)經(jīng)驗豐富的Carla Golla為新成立的安全及高級技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁。Golla女士直接匯報給CEO辦公室,她負責推動Spansion安全存儲解決方案的制定和部署,包括公司的MirrorBit® HD-SIM™產(chǎn)品系列。此外,她還負責制定公司的高級技術(shù)戰(zhàn)略,利用與臺積電的合作,拓展MirrorBit在40nm及更先進制程下的發(fā)展。 Spansion總
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Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計平臺上預(yù)先驗證
- 北京,2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布,其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機參考設(shè)計平臺上的預(yù)先驗證。MediaTek總部位于臺灣,是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導體芯片設(shè)計公司之一。在MediaTek參考設(shè)計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗證,將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C更快地推向中國及其它高速增長市場。 在未來幾年內(nèi),中國將成為推動新型手機發(fā)
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NAND Flash和NOR Flash的比較
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因
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ST推出新的汽車級32-Mbit NOR閃存
- ST推出一個新的符合汽車級質(zhì)量標準、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車儀表板系統(tǒng)、汽車多媒體和其它的需要快速訪問大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門設(shè)計。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度,該系列還將增加一個64-Mbit的NOR閃存IC,到2007年底,還將增加一個128-Mbit的NOR閃存。 采用ST的最先進的0.11µm閃存制造工藝,M29W320可以在2.7V到3
- 關(guān)鍵字: NOR 汽車級32-Mbit 閃存 消費電子 消費電子
ST推出新的汽車級32-Mbit NOR閃存
- ST推出一個新的符合汽車級質(zhì)量標準、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車儀表板系統(tǒng)、汽車多媒體和其它的需要快速訪問大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門設(shè)計。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度,該系列還將增加一個64-Mbit的NOR閃存IC,到2007年底,還將增加一個128-Mbit的NOR閃存。 采用ST的最先進的0.11µm閃存制造工藝,M29W320可以在2.7V
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全球NOR閃存市場05年銷售收入將增長7%
- 據(jù)外電報道,據(jù)研究機構(gòu)Semico研究公司稱,NOR閃存市場將扭轉(zhuǎn)當前市場銷售收入下降的局面,在2006年的銷售收入將達到創(chuàng)紀錄的110億美元。然而,在2005年,NOE閃存市場將僅比2004年增長7%。 Semico非易揮發(fā)存儲器服務(wù)經(jīng)理Jim Handy在聲明中稱,NOR閃存目前銷售收入的下降是供需不平衡的結(jié)果。這種不平衡的情況將在2006年得到糾正。由于內(nèi)存產(chǎn)品供過于求,所有的產(chǎn)品的價格都將下跌。NOR閃存也不例外,也將同內(nèi)存市場的產(chǎn)品一起下跌。市
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nor介紹
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)??? [ 查看詳細 ]
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