pcm-400 文章進(jìn)入pcm-400技術(shù)社區(qū)

可獲得400VP-P輸出的高電壓增強(qiáng)器

電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負(fù)10~30V，需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵(lì)器或壓電器件就要使用專(zhuān)門(mén)的激勵(lì)放大器，也有采用由耐高壓晶體管組成的獨(dú)立電路的。本電路主要應(yīng)用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加
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三星今年將推"相變內(nèi)存" 取代手機(jī)閃存卡

　　三星計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出相變內(nèi)存卡(PCM)，旨在取代當(dāng)前手機(jī)等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術(shù)。　　相變內(nèi)存由相變材料制成，通過(guò)加熱材料形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與閃存存儲(chǔ)相比，相變內(nèi)存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)更加省電，預(yù)計(jì)可延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間20%。　　在速度方面，相變內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)更加明顯，其存取數(shù)據(jù)的速度比閃存快9倍。三星表示，相變內(nèi)存模塊預(yù)計(jì)于今年晚些時(shí)候下線(xiàn)，最初的容量為512MB。三星預(yù)計(jì)，對(duì)于多種電子產(chǎn)品，相變內(nèi)存最終取代當(dāng)前的閃存技術(shù)。　　值得一提的是，相變內(nèi)存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)所需溫度在150至600攝氏度之間，
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恒憶推出新系列相變存儲(chǔ)器

　　恒憶(Numonyx)作為相變存儲(chǔ)技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲(chǔ)器。該系列產(chǎn)品采用被稱(chēng)為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的寫(xiě)入性能、耐寫(xiě)次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性，適用于固線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備、消費(fèi)電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場(chǎng)供貨。　　這種新的嵌入式存儲(chǔ)器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)于一身，一顆存儲(chǔ)器芯片即可實(shí)現(xiàn)很多新功能。今天，新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其寫(xiě)入速度有
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PCM和DSD雙功能的DAC芯片PCM1738

1 概述PCM1718是B-B公司繼24bit/192kHz正弦量方式DAC解碼芯片PCM1704和SACD的DSD解碼芯片PCM1700之后，最新開(kāi)發(fā)的又一片應(yīng)用于高檔音響設(shè)備的雙功能解碼芯片。該芯片既可對(duì)DVD-Audio的24bit/192kHz的PCM編碼數(shù)字音頻
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Windows Mobile下播放PCM音頻的雙緩沖用法

最近用libmad做了些mp3解碼的工作，順便也研究了一下windows下播放PCM音頻數(shù)據(jù)的雙緩沖用法。 libmad的調(diào)用在此暫略過(guò)不表。 libmad解碼出來(lái)的是16bit的PCM數(shù)據(jù)，調(diào)用windows API可對(duì)其實(shí)現(xiàn)播放。不過(guò)
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恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商

　　盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對(duì)市場(chǎng)可預(yù)期的需求增長(zhǎng)，恒憶 (Numonyx) 通過(guò)兩方面的舉措響應(yīng)市場(chǎng)需求，擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過(guò)從高節(jié)點(diǎn)技術(shù)向低節(jié)點(diǎn)技術(shù)的制程升級(jí)，進(jìn)一步擴(kuò)大位級(jí)產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢(shì)，與合資晶圓廠(chǎng)、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。　　展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷(xiāo)售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲(chǔ)器解
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數(shù)字無(wú)線(xiàn)技術(shù)在實(shí)時(shí)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)中應(yīng)用

在當(dāng)今無(wú)線(xiàn)測(cè)控工作站的檢測(cè)信號(hào)與控制信號(hào)傳輸過(guò)程中，一種是傳統(tǒng)的模擬式傳輸，以FM-FM為代表;一種是數(shù)字...
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Numonyx與Intel在相變存儲(chǔ)研究中取得關(guān)鍵性突破

　　相變存儲(chǔ) (PCM) 是一項(xiàng)結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲(chǔ)產(chǎn)品類(lèi)型的不同優(yōu)點(diǎn)的非易失性?xún)?nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM 陣列的 64Mb 測(cè)試芯片，對(duì)于隨機(jī)存取非易失性存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)應(yīng)用而言，這些發(fā)現(xiàn)有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲(chǔ)裝置。　　上述發(fā)現(xiàn)是 Numonyx 與 Intel 長(zhǎng)久以來(lái)共同進(jìn)行的一項(xiàng)研究計(jì)劃的成果，該計(jì)劃的目的著重于研究多層式或堆棧式 PCM 單元陣列。
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英特爾與恒憶公布突破性相變存儲(chǔ)器技術(shù)研究成果

　　英特爾公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項(xiàng)突破性的相變存儲(chǔ)器(PCM)研究成果，這種新的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)結(jié)合了目前各種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。研究人員首次展示了能夠在單個(gè)硅片上堆疊或放置多個(gè)PCM陣列層的64Mb測(cè)試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲(chǔ)器設(shè)備鋪平了道路，能夠?yàn)殡S機(jī)存取非易失性存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)應(yīng)用降低所占用的空間。　　這項(xiàng)成果由恒憶和英特爾聯(lián)合開(kāi)發(fā)，雙方一直在合作探索多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和恒憶的研究人員現(xiàn)在能夠展示垂直集成的存儲(chǔ)器單元PCMS(
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三星看好PCM內(nèi)存潛力有望取代NAND和NOR閃存

　　三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢(shì)可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動(dòng)存儲(chǔ)形式. 　　多年來(lái),半導(dǎo)體廠(chǎng)商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過(guò),它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類(lèi)似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì)發(fā)生改變,晶體的變化對(duì)應(yīng)計(jì)算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ). 　　一直以來(lái),包括英特爾和英飛凌在內(nèi)的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們?cè)噲D將這種存儲(chǔ)器的體積減小,增存儲(chǔ)加速度與容量.支持PCM的人士認(rèn)為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 　　三星半導(dǎo)體
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加大在華投資恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)

　　全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠(chǎng)房租賃合同，正式投資落戶(hù)上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專(zhuān)程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會(huì)了外高橋保稅區(qū)管委會(huì)主任助理、功能區(qū)域黨工委副書(shū)記、管委會(huì)副主任簡(jiǎn)大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂，共同見(jiàn)證了這一重要?dú)v史時(shí)刻。　　恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門(mén)組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
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恒憶與三星合作的生意經(jīng)

　　2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory，PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格，兩大存儲(chǔ)器廠(chǎng)商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒(méi)有永遠(yuǎn)的對(duì)手”。　　韓國(guó)三星電子稱(chēng)霸存儲(chǔ)器行業(yè)已有多時(shí)，其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長(zhǎng)期無(wú)可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲(chǔ)器行業(yè)的新寵，其正式成立距今不過(guò)一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM，并利
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恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM

　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格，此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿(mǎn)足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。　　相較于
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三星電子和Numonyx將聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代記憶體PCM

　　6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。　　三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開(kāi)發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級(jí)聽(tīng)筒、移動(dòng)電話(huà)和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱(chēng)，PCM讀寫(xiě)速度非?？?，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。　　三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預(yù)計(jì)明年將推出兼容設(shè)備。
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瞄準(zhǔn)亞洲存儲(chǔ)增長(zhǎng)商機(jī) 恒憶積極開(kāi)拓經(jīng)銷(xiāo)商網(wǎng)絡(luò)

　　全球非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯(lián)強(qiáng)、世平、文曄、東棉、金龍等授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商合作，在中國(guó)大陸地區(qū)銷(xiāo)售恒憶產(chǎn)品，并提供支持服務(wù)。通過(guò)這個(gè)穩(wěn)固的經(jīng)銷(xiāo)商網(wǎng)絡(luò)，恒憶在亞洲區(qū)的產(chǎn)品與技術(shù)布局將更加完整，足以滿(mǎn)足亞洲快速增長(zhǎng)的嵌入式與無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)需求，尤其是在數(shù)字消費(fèi)電子、通信和手持裝置等領(lǐng)域。　　亞洲市場(chǎng)規(guī)模龐大且具備驚人的發(fā)展?jié)摿Γ诤銘浀娜虿季种惺冀K占有關(guān)鍵性地位，中國(guó)大陸及臺(tái)灣地區(qū)更是其中最具代表性、成長(zhǎng)最快、爆發(fā)力最強(qiáng)的市場(chǎng)。根據(jù)iSuppli與Web Feet的研究顯示，2
關(guān)鍵字： Numonyx 非易失性存儲(chǔ) PCM 手持裝置 NOR RAM