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MOS—FET甲乙類功率放大器

LED驅(qū)動器參考設(shè)計 針對蠟燭燈泡【Power Integrations】

  • 中國廣州LEDCHINA2011展會，2011年3月1日–離線LED照明高壓驅(qū)動器領(lǐng)域的領(lǐng)導者PowerIntegrations公司今...
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TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當個開關(guān)...
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LinkSwitch-PH系列LED驅(qū)動器IC【Power Integrations】

Power Integrations發(fā)布超薄表面貼裝型封裝電源IC

  • ???????用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布其行業(yè)領(lǐng)先的TOPSwitch-JX電源轉(zhuǎn)換IC系列新增了創(chuàng)新的eSOP?超薄功率封裝形式。這款全新的超薄表面貼裝型封裝非常適合最大功率在65 W以下、不使用散熱片的緊湊敞開式設(shè)計，如超薄LCD電視輔助電源、機頂盒、PC待機和DVD播放器等產(chǎn)品的電源。
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首爾半導體推出高亮度LED新品加速攻克照明市場

  • 　　今天宣布正式推出高亮度Z-Power LED Z系列新品Z7和 Z6。LED照明市場前景看好，為此，首爾半導體計劃將每月推出1到2款新品滿足客戶的多樣化需求。 　　Z-Power LEDZ7系列(4W)是采用特殊的陶瓷PCB生產(chǎn)的高亮度白光LED產(chǎn)品，提供了5500K色溫和440lm照明亮度。值得一提的是，作為可代替P7系列LED產(chǎn)品的Z7系列，以9mm x7mm x 3.2mm的超小型封裝，輕松滿足各類室內(nèi)、室外用照明產(chǎn)品的應用需求。 　　與現(xiàn)有的P7系列產(chǎn)品相比，Z7系列的占位面積大幅減小(僅
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CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領(lǐng)導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
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Power Integrations推出集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正的控制器芯片

  • 　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時簡化系統(tǒng)設(shè)計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIP?封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。 　
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Power Integrations推出PI Expert Suite V8

  • 　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日發(fā)布其廣受歡迎的電源設(shè)計軟件PI Expert Suite的最新版本V8。最新版軟件能夠大幅縮短首個原型的設(shè)計時間，顯著減少在實現(xiàn)成品之前所需的原型迭代次數(shù)，從而進一步提高電源設(shè)計團隊的工作效率。 　　
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Power Integrations推出創(chuàng)新離線式開關(guān)LinkZero-AX

  • 　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日推出集成離線式開關(guān)IC - LinkZero-AX，新器件能使設(shè)計師設(shè)計出零瓦待機功耗的輔助電源。LinkZero-AX采用創(chuàng)新的斷電模式，可在最終產(chǎn)品閑置時有效關(guān)斷輔助電源。
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POWER PCB內(nèi)電層分割及鋪銅

  • 　　PCB新手看過來]POWER PCB內(nèi)層屬性設(shè)置與內(nèi)電層分割及鋪銅　　看到很多網(wǎng)友提出的關(guān)于POWER PCB內(nèi)層正負片設(shè)置和內(nèi)電層分割以及鋪銅方面的問題，說明的帖子很多，不過都沒有一個很系統(tǒng)的講解。今天抽空把這些東西
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IBM為Power芯片設(shè)計無電源“深休眠”模式

  • 　　IBM正在為Power處理器開發(fā)一種深休眠模式，該模式可以讓芯片在空閑時幾乎不耗費能源。IBM的Power7芯片已經(jīng)有三種休眠模式，分別為 nap，sleep和heavy sleep。這三種模式是否執(zhí)行或執(zhí)行哪種方式由當時處理器的負載和某應用程序能容忍多大的延遲來決定。 　　這種新的休眠模式會幾乎完整的切斷處理器的電源，同理，從該模式恢復過來的時間也比較長，大約10到20毫秒。 　　IBM已將這種模式定名為“Winkle”。但哪款芯片將采用新的休眠模式還未可知，官方也沒有更
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如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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MOS-FET開關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
  • 關(guān)鍵字： MOS-FET  開關(guān)電路    
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