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純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。目前，NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成，并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級(jí)防潮性。NP12-0
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“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺(tái)”項(xiàng)目啟動(dòng)

據(jù)賽微電子消息，近日，2023年度國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“智能傳感器”重點(diǎn)專項(xiàng)“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺(tái)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)召開。該項(xiàng)目由賽微電子控股子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司牽頭，聯(lián)合武漢大學(xué)、蘇州大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、武漢敏聲新技術(shù)有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、成都纖聲科技有限公司、上海矽睿科技股份有限公司等單位共同實(shí)施。資料顯示，賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司專業(yè)從事半導(dǎo)體晶
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意法半導(dǎo)體通過全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案提升提升傳感器應(yīng)用開發(fā)者的創(chuàng)造力

意法半導(dǎo)體的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評(píng)估開發(fā)工具，與STM32微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系密切，支持Windows、MacOS和?Linux操作系統(tǒng)。從評(píng)估到配置和編程，通過整合統(tǒng)一傳感器開發(fā)流程，MEMS Studio?可以加快傳感器應(yīng)用軟件開發(fā)，簡(jiǎn)化在開發(fā)項(xiàng)目中增加豐富的情境感知功能。增強(qiáng)的功能有助于應(yīng)用輕松獲取傳感器數(shù)據(jù)，并清晰地顯示可視化的傳感器數(shù)據(jù)，方便開發(fā)者探索傳感器工作模式，優(yōu)化傳感器性能和測(cè)量準(zhǔn)確度。軟件包中還有預(yù)構(gòu)建庫(kù)測(cè)試工具，以及方便的鼠
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為何在RF設(shè)計(jì)中理解波反射非常重要？

在低頻下工作的普通電路與針對(duì)RF頻率設(shè)計(jì)的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計(jì)可采用多種波長(zhǎng)的尺寸，導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計(jì)和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特性?；靖拍詈托g(shù)語(yǔ)假設(shè)以任意負(fù)載端接傳輸線路（例如同軸電纜或微帶線），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負(fù)載端接匹配信號(hào)源的傳輸線路。這些波量是入射到該負(fù)載并從該負(fù)載反射的電壓波的復(fù)振幅。我們現(xiàn)在可以使用這些量來(lái)定義電壓反射系數(shù)Γ，它描述了反射波的復(fù)振幅與入射波復(fù)振幅的比值：反射系數(shù)也可以
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Melexis MLX90830 Triphibian MEMS傳感器在貿(mào)澤開售

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開售Melexis的MLX90830?Triphibian? MEMS壓力傳感器。MLX90830采用懸臂設(shè)計(jì)，可測(cè)量各種環(huán)境下的氣體和液體壓力，精度高，可靠性強(qiáng)。該傳感器既可作為獨(dú)立器件使用，也可嵌入到電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)的膨脹閥、電子壓縮機(jī)或泵中，是HVAC-R應(yīng)用的理想選擇。Melexis?MLX90830傳感器是率先采用Triphibian
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羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列（Sony）合作，達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗(yàn)證的行業(yè)里程碑

羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列（Sony）合作，達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗(yàn)證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗(yàn)證了基于PCT的測(cè)試用例。兩項(xiàng)工作都有助于NTN NB-IoT技術(shù)的市場(chǎng)就緒。在2024年巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)上，羅德與施瓦茨將在其展臺(tái)上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設(shè)備一起進(jìn)行NTN NB-IoT測(cè)試的實(shí)時(shí)演示。與Sony的合作中，羅德與施瓦茨成功驗(yàn)證了Sony的Altair設(shè)備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
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超級(jí)詳細(xì)！17000字圖文讀懂常見MEMS傳感器的原理和構(gòu)造

MEMS傳感器是當(dāng)今最熱門的傳感器種類，MEMS技術(shù)使傳感器微型化、低功耗、集成化成為可能，是未來(lái)傳感器技術(shù)的發(fā)展方向之一。本文編譯自傳感器寶典——《現(xiàn)代傳感器手冊(cè)——原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》，說明了MEMS電容式傳感器、MEMS觸覺傳感器、MEMS壓電式加速度計(jì)等常見傳感器的原理和構(gòu)造，可選自己感興趣的部分MEMS傳感器知識(shí)閱讀。如需《現(xiàn)代傳感器手冊(cè)——原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》（美第五版，790P，PDF）一書電子文檔，可在傳感器專家網(wǎng)公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù)【現(xiàn)代傳感器手冊(cè)】獲取下載鏈接。本文內(nèi)容較全面，可按目錄獲取需要的
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“白菜化”的有源相控陣?yán)走_(dá)

就在幾個(gè)月之前，一則消息被各大媒體平臺(tái)報(bào)道：2023年7月3日，為維護(hù)國(guó)家安全和利益，中國(guó)相關(guān)部門發(fā)布公告，決定自8月1日起，對(duì)鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實(shí)行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識(shí)到，不知道從什么時(shí)候開始，我國(guó)的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國(guó)。根據(jù)一份中國(guó)地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報(bào)告顯示，目前鎵的世界總儲(chǔ)量約 23 萬(wàn)噸，中國(guó)的鎵金屬儲(chǔ)量居世界第一，約占世界總儲(chǔ)量的 80%-85%，而我國(guó)的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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『這個(gè)知識(shí)不太冷』探索 RF 濾波器技術(shù)（上）

『這個(gè)知識(shí)不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識(shí)的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點(diǎn)的知識(shí)點(diǎn)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補(bǔ)缺。在過去十年中，移動(dòng)無(wú)線數(shù)據(jù)快速增長(zhǎng)，使得運(yùn)營(yíng)商愈加迫切地需要新頻段和新技術(shù)，以滿足用戶對(duì)無(wú)線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動(dòng)了無(wú)線技術(shù)的發(fā)展，也增加了對(duì)增強(qiáng)型射頻(RF)濾波器技術(shù)的需求，以幫助減少系統(tǒng)干擾，擴(kuò)大RF覆蓋范圍，增強(qiáng)接收器性能，并提升共存特性。本篇內(nèi)容將介紹RF濾波器的工作原理，以及如今的應(yīng)用中使用的各種技術(shù)版本。首先介紹關(guān)于濾波器的一些基本實(shí)情，以及它們帶
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歷時(shí) 7 年研制，賽微電子 MEMS-OCS 光鏈路交換器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2023 年 12 月 24 日，北京賽微電子股份有限公司發(fā)布關(guān)于全資子公司 MEMS-OCS 啟動(dòng)量產(chǎn)的公告，全資子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的縮寫，即微電子機(jī)械系統(tǒng)，簡(jiǎn)稱為微機(jī)電系統(tǒng)）工藝為某客戶制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的縮寫，即光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗(yàn)證（工藝開發(fā)與試產(chǎn)的總耗費(fèi)時(shí)間超過 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到該客戶發(fā)出的
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射頻芯片制造商威訊聯(lián)合半導(dǎo)體將兩家中國(guó)工廠出售給立訊精密

IT之家 12 月 19 日消息，射頻芯片制造商美國(guó)威訊聯(lián)合半導(dǎo)體有限公司（Qorvo）宣布，與立訊精密建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并達(dá)成最終協(xié)議，向后者出售位于北京和山東德州的組裝和測(cè)試工廠，預(yù)計(jì)明年上半年完成交易。據(jù)IT之家了解，交易完成后，立訊精密將接管上述工廠的運(yùn)營(yíng)和資產(chǎn)，包括物業(yè)、廠房、設(shè)備與現(xiàn)有員工。威訊聯(lián)合半導(dǎo)體將保留在中國(guó)的銷售、工程和客戶支持員工，繼續(xù)為客戶提供服務(wù)。立訊精密將根據(jù)新簽訂的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議為威訊聯(lián)合半導(dǎo)體組裝和測(cè)試產(chǎn)品。威訊聯(lián)合半導(dǎo)體首席財(cái)務(wù)官格蘭特?布朗（Grant Br
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莫干山高新區(qū)高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)

浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司開業(yè)儀式舉行，標(biāo)志著總投資5.4億元的高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，日前，浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司開業(yè)儀式舉行，標(biāo)志著高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)悉，浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司MEMS芯片制造項(xiàng)目總投資5.4億元，位于高新區(qū)城北園區(qū)的核心區(qū)域，占地74畝，新增建筑面積8.9萬(wàn)平方米，項(xiàng)目一期建成6英寸晶圓高端MEMS芯片量產(chǎn)線，將進(jìn)一步優(yōu)化湖州市德清縣芯片制造產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
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設(shè)計(jì)一款具有過溫管理功能的USB供電RF功率放大器

國(guó)際電信聯(lián)盟(ITU)將433.92 MHz工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)頻段分配給1區(qū)使用，該區(qū)域在地理上由歐洲、非洲、俄羅斯、蒙古和阿拉伯半島組成。盡管最初旨在用于無(wú)線電通信之外的應(yīng)用，但多年來(lái)無(wú)線技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)步使得ISM頻段在短距離無(wú)線通信系統(tǒng)中頗受歡迎。ITU 1 區(qū)的運(yùn)營(yíng)商無(wú)需為使用433.92 MHz頻段獲得許可，常見應(yīng)用包括軟件定義無(wú)線電、醫(yī)療設(shè)備和重型機(jī)械的工業(yè)無(wú)線電控制系統(tǒng)。在美國(guó)，433.92 MHz頻段由獲得許可的業(yè)余無(wú)線電臺(tái)使用。任何無(wú)線電傳輸應(yīng)用都需要高增益放大器來(lái)驅(qū)動(dòng)天線。根據(jù)應(yīng)
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芯片巨頭ADI是如何成長(zhǎng)的？用“芯”架起物理與數(shù)字的橋梁，為科技向善“超越一切可能”

1. 2022年增長(zhǎng)了46%?2023年初，市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner發(fā)布了全球前20名半導(dǎo)體廠商的排名，從營(yíng)收漲跌幅來(lái)看，ADI（Analog Devices, Inc.）2022年?duì)I收同比增長(zhǎng)46%，在全球前20大半導(dǎo)體廠商中營(yíng)收增長(zhǎng)幅度最大（注：部分原因來(lái)自于2021年對(duì)Maxim的收購(gòu)）。而2022年全球半導(dǎo)體業(yè)市場(chǎng)表現(xiàn)低迷，據(jù)Garner統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)1.1%。 ? ? ? ? ? ? ? &nb
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為狀態(tài)監(jiān)控選擇MEMS加速度計(jì)時(shí)，有哪些關(guān)鍵但經(jīng)常被忽視的參數(shù)？

MEMS加速度計(jì)對(duì)于檢測(cè)故障情況、幫助防止意外斷電或避免發(fā)生其他代價(jià)高昂的事件至關(guān)重要。作為一名負(fù)責(zé)為狀態(tài)監(jiān)控(CbM)應(yīng)用選擇和安裝合適傳感器的工程師，需要在做出選擇之前仔細(xì)考慮多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，然而這些參數(shù)常常被忽視。本文將討論您在做出選擇時(shí)應(yīng)特別留意的一些關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)。問題:為狀態(tài)監(jiān)控選擇MEMS加速度計(jì)時(shí)，有哪些關(guān)鍵但經(jīng)常被忽視的參數(shù)？答案:在MEMS加速度計(jì)的選擇過程中，經(jīng)常被低估或忽視的關(guān)鍵參數(shù)有傳感器的量程、帶寬和諧振頻率。如果這些參數(shù)太低或僅能勉強(qiáng)滿足需求，將會(huì)導(dǎo)致測(cè)量效果不理想。簡(jiǎn)介MEMS加速
關(guān)鍵字： ADI MEMS