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NI發(fā)布11款基于PXI的RF開(kāi)關(guān)模塊
- 美國(guó)國(guó)家儀器有限公司(National Instruments,簡(jiǎn)稱NI)發(fā)布了11款新的RF開(kāi)關(guān),將50 和75 Ohm 應(yīng)用的PXI RF開(kāi)關(guān)模塊的選擇增多了一倍。這些模塊包括4x1、4x1匹配、4x1雙向、8x1雙向多路復(fù)用器以及四重SPDT和雙匹配SPDT通用配置。有了這些產(chǎn)品,工程師們可以基于性價(jià)比和改善信號(hào)完整性的考慮,自主選擇優(yōu)化他們的RF開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)。6款新的2.5 GHz 75 ohm模塊是NI為高頻率視頻應(yīng)用(例如置頂盒測(cè)試等)推出的第一批產(chǎn)品。5款2.7 GHz 50 ohm模塊是NI現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: NI RF 電源技術(shù) 開(kāi)關(guān)模塊 模擬技術(shù) 模塊
帶有MSP430與Chipcon RF模塊的開(kāi)發(fā)工具
- 編號(hào)為MSP-EXP430FG4618的MSP430實(shí)驗(yàn)板可幫助設(shè)計(jì)人員利用高集成度片上信號(hào)鏈(SCoC)MSP430FG4618 或 14 引腳小型F2013 微控制器快速開(kāi)發(fā)超低功耗醫(yī)療、工業(yè)與消費(fèi)類嵌入式系統(tǒng)。該電路板除集成兩個(gè) 16 位 MSP430 器件外,還包含一個(gè) TI(Chipcon 產(chǎn)品線)射頻 (RF) 模塊連接器,以用于開(kāi)發(fā)低功耗無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。另外,它還支持多種輸入輸出選項(xiàng),其中包括擴(kuò)音器、蜂鳴器、液晶顯示屏 (LCD)、電容觸摸板、按鈕以及引腳板原型空間等。 利用兩款 MSP430
- 關(guān)鍵字: Chipcon MSP430 RF 單片機(jī) 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 模塊
加拿大Lyrtech推出四通道雙波段射頻接收機(jī)Quad Dual-Band RF Transceiver
- 加拿大Lyrtech公司推出新產(chǎn)品:四通道雙波段射頻接收機(jī)“Quad Dual-Band RF Transceiver”。近幾年,Lyrtech公司一直致力于MIMO技術(shù)的開(kāi)發(fā)和優(yōu)化設(shè)計(jì)工作,該產(chǎn)品成為L(zhǎng)yrtech MIMO系統(tǒng)集成解決方案的重要組成部分。 Quad Dual-Band RF Transceiver 是由Lyrtech和COMLAB 公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)的。該接收機(jī)是一個(gè)四通道MIMO射頻模擬前端,
- 關(guān)鍵字: Dual-Band Quad RF Transceiver 電源技術(shù) 加拿大Lyrtech 模擬技術(shù) 四通道雙波段射頻接收機(jī) 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
- 摘 要:本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用,分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線,設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程,分析了制造工藝的難點(diǎn),并提出了解決方案。關(guān)鍵詞:RF 功率 MOSFET;LDMOSFET;器件結(jié)構(gòu);制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字: LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝
從嵌入CMOS MEMS振蕩器展望IC設(shè)計(jì)的潛在變革
- 摘要: 隨著CMOS MEMS振蕩器大規(guī)模制造技術(shù)的成熟,應(yīng)用將涉及汽車、電視、攝像機(jī)、個(gè)人電腦、便攜式設(shè)備等等幾乎一切電子設(shè)備,本文向中國(guó)工程師概要介紹CMOS MEMS諧振器主流技術(shù)及行業(yè)動(dòng)態(tài)、在IC中嵌入CMOS MEMS振蕩器的設(shè)計(jì)流程以及相關(guān)支持工具的發(fā)展趨勢(shì)。關(guān)鍵詞: MEMS,振蕩器,CMOS MEMS,IC設(shè)計(jì),EDA MEMS技術(shù)將會(huì)給幾乎所有種類的電子產(chǎn)品帶來(lái)一場(chǎng)革命,特別是隨著CMOS MEMS振蕩器大規(guī)模制造技術(shù)的成熟,消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商、硬盤制造商以及其它產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 0701_A MEMS 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊 振蕩器 EDA IC設(shè)計(jì)
MEMS產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟最新報(bào)告: 微機(jī)電系統(tǒng)器件首次被廣泛用于消費(fèi)電子設(shè)備中
- EMS和微結(jié)構(gòu)兩大產(chǎn)業(yè)的行業(yè)協(xié)會(huì)“微機(jī)電系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟” (MIG)公布了一年一度的產(chǎn)業(yè)報(bào)告,該報(bào)告論述了MEMS產(chǎn)業(yè)內(nèi)高速增長(zhǎng)的細(xì)分市場(chǎng)。以MEMS集成為焦點(diǎn)的《MIG產(chǎn)業(yè)報(bào)告》預(yù)測(cè)今年將是MEMS大舉進(jìn)攻消費(fèi)電子市場(chǎng)的一年,主要目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括用于遙控游戲控制臺(tái)的基于加速計(jì)的運(yùn)動(dòng)傳感器、在手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)內(nèi)集成的用于穩(wěn)定圖像的雙軸陀螺儀、聲學(xué)模塊內(nèi)的硅話筒、實(shí)現(xiàn)多種定時(shí)應(yīng)用(如替代手表晶振)的硅諧振器。 MEMS器件是一種整合了智能傳感器和半導(dǎo)體電路的微型機(jī)器,有利于提高多種
- 關(guān)鍵字: MEMS 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 微機(jī)電系統(tǒng)器件 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
飛思卡爾使EDGE RF 子系統(tǒng)尺寸減半
- 緊湊型解決方案支持 DigRF 接口,縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間 通過(guò)擴(kuò)大其支持Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE) 手機(jī)設(shè)計(jì)的RF產(chǎn)品,飛思卡爾半導(dǎo)體揭開(kāi)了公司第一款RF CMOS 90 納米收發(fā)器的神秘面紗。新RFX275-30是一個(gè)收發(fā)器子系統(tǒng),具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低發(fā)送和接收電流、高接收器靈敏度,并且結(jié)構(gòu)非常緊湊。通過(guò)簡(jiǎn)化編程,新
- 關(guān)鍵字: EDGE RF 尺寸減半 單片機(jī) 飛思卡爾 嵌入式系統(tǒng) 子系統(tǒng)
基于MEMS的閃耀光柵數(shù)字微鏡顯示技術(shù)
- 技術(shù)背景 在pmp個(gè)人媒體播放器等便攜式應(yīng)用中,tft液晶顯示器已成為主流配置。雖然tft液晶顯示器具有圖像清晰、對(duì)比度高等優(yōu)點(diǎn),但其耗電占了pmp系統(tǒng)耗電的70%以上。隨著分辨率不斷提高,屏幕加大,顯示器的功耗也同步增長(zhǎng)。由于液晶顯示器的光源利用率不足10%,降低亮度并不能有效地節(jié)省電力,迫不得已的辦法是盡可能減少顯示屏的工作時(shí)間,或者是采用盡可能小的顯示屏,結(jié)果使觀賞舒適性降低,導(dǎo)致pmp的實(shí)用價(jià)值大打折扣。 理想的適合于便攜用途的顯示技術(shù)應(yīng)在電池供電環(huán)境下有盡可能長(zhǎng)的工作時(shí)間、盡可能小的體積、盡可
- 關(guān)鍵字: MEMS
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