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FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車機(jī)會(huì)

本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET 制造 201604

“中國(guó)芯”入資法國(guó)半導(dǎo)體公司

中國(guó)芯片企業(yè)起步較晚，在發(fā)展中屢屢遭受國(guó)際巨頭的“專利圍剿”，通過(guò)支持重點(diǎn)企業(yè)的兼并重組及海外收購(gòu)，培育具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的大型企業(yè)，無(wú)疑是明智的手段，也是最有效的手段。
關(guān)鍵字： Soitec FD-SOI

選擇RF和微波濾波器的八個(gè)竅門(mén)

　　在不了解會(huì)受到何種損害的情況下，具備高深的數(shù)字電子知識(shí)的設(shè)計(jì)師發(fā)現(xiàn)，當(dāng)需要給無(wú)線器件確定濾波器參數(shù)時(shí)，急需復(fù)習(xí)射頻基礎(chǔ)知識(shí)。如果沒(méi)有考慮濾波器類型和最低技術(shù)規(guī)格要求方面的基本要素，可能導(dǎo)致產(chǎn)品不能通過(guò)“測(cè)試”，結(jié)果產(chǎn)品又得重新開(kāi)始設(shè)計(jì)，導(dǎo)致代價(jià)昂貴的生產(chǎn)推遲。另一方面，懂得如何準(zhǔn)確確定濾波器參數(shù)，將有助于使生產(chǎn)出的產(chǎn)品滿足客戶的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)和功能。事實(shí)上，這種知識(shí)有助于在提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的成功機(jī)會(huì)的同時(shí)，控制生產(chǎn)費(fèi)用?！　幕A(chǔ)開(kāi)始　　在當(dāng)今無(wú)線領(lǐng)域，激烈的擴(kuò)展帶寬的競(jìng)爭(zhēng)迫使人們要更加關(guān)注濾波器的性能。如
關(guān)鍵字： RF 微波濾波器

Soitec半導(dǎo)體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國(guó)創(chuàng)新藍(lán)圖

　　全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì)中介紹了該公司在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準(zhǔn)備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會(huì)發(fā)言人包括Soitec公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展部高級(jí)副總裁Thomas Piliszczuk，以及Soitec公司數(shù)字電子商務(wù)部高級(jí)副總裁Christophe Maleville。會(huì)上主要討論的問(wèn)題包括該技術(shù)是否適合各代工廠及應(yīng)用設(shè)計(jì)師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)及
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降低RF電路寄生信號(hào)的八個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則

　　RF電路布局要想降低寄生信號(hào)，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng)造性。記住以下這八條規(guī)則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，而且還可提高工作日程的可預(yù)見(jiàn)性。　　規(guī)則1：接地通孔應(yīng)位于接地參考層開(kāi)關(guān)處　　流經(jīng)所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過(guò)回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號(hào)線路并行布置的接地。在參考層繼續(xù)時(shí)，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過(guò)，如果信號(hào)線路從頂層切換至內(nèi)部或底層時(shí)，回流也必須獲得路徑。　　圖1就是一個(gè)實(shí)例。頂層信號(hào)線路電流下面緊挨著就是回流。當(dāng)它轉(zhuǎn)移到底層時(shí)，回
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改善RF信號(hào)質(zhì)量的電源線噪聲對(duì)策

　　本文以改善RF的信號(hào)質(zhì)量(頻帶外的不必要輻射)為目的，介紹使用了片狀鐵氧體磁珠和片狀電感器的移動(dòng)終端的PA電源線的噪聲對(duì)策方法。　　以智能手機(jī)為首的移動(dòng)無(wú)線終端的Power Amplifier (PA)中，為了抑制不必要的輻射(頻帶外的&雜散發(fā)射)，尋求改善PA的電源質(zhì)量(PI: 電源完整性)的例子很多。在無(wú)線通信中，以國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(ITU)為首，3GPP(無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu))，以及各運(yùn)營(yíng)商都對(duì)不必要的輻射的范圍值設(shè)定了嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。因此，我們有必要通過(guò)PA的電源線的噪聲
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RF integrated module to support CA and global phone

　　第五屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)　　時(shí)間：2016.01.14?下午　　地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地?IC咖啡　　演講主題：RF?integrated?module?to?support?CA?and?global?phone　　演講人：陶鎮(zhèn)?-?Qorvo移動(dòng)產(chǎn)品市場(chǎng)戰(zhàn)略部亞太區(qū)經(jīng)理　　陶鎮(zhèn)：大家早上好!我是陶鎮(zhèn)，來(lái)自Qorvo公司。剛才主持人介紹
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三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片功耗暴降一半

　　蘋(píng)果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買(mǎi)下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認(rèn)為，此舉并不會(huì)影響與蘋(píng)果合作的晶圓代工廠生意。　　據(jù)SemiWiki報(bào)導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋(píng)果買(mǎi)下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規(guī)模相對(duì)小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋(píng)果所需的應(yīng)用處理器(AP)。　　蘋(píng)果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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RF研發(fā)商ParkerVision訴蘋(píng)果高通等4家公司專利侵權(quán)

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，佛羅里達(dá)州的RF(射頻)技術(shù)研發(fā)商ParkerVision本周向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)和佛羅里達(dá)州地區(qū)法院提出起訴，指控蘋(píng)果、三星、LG和高通等4家公司侵犯了它的某些無(wú)線連網(wǎng)專利?！　arkerVision表示，高通和三星制造的無(wú)線接收器侵犯它的4項(xiàng)無(wú)線連網(wǎng)專利。蘋(píng)果、三星和LG都在各自的移動(dòng)產(chǎn)品中使用了侵權(quán)的高通芯片，三星自主研發(fā)的Shannon 928 RF收發(fā)器也面臨著進(jìn)一步的審查?！　”景干婕暗膶＠ǖ?879817號(hào)、第7929638號(hào)、第8571135號(hào)和第911
關(guān)鍵字： RF 蘋(píng)果

“芯”技術(shù)，“芯”夢(mèng)想

　　2015年11月27日，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇，繼9月23日首場(chǎng)在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開(kāi)帷幕。來(lái)自北京、長(zhǎng)三角、西部地區(qū)的150多位IC設(shè)計(jì)精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)和市場(chǎng)熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?！　」緢?zhí)行副總裁范恒先生和執(zhí)行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現(xiàn)場(chǎng)，與參會(huì)嘉賓互動(dòng)交流。同時(shí)公司派出了陣容
關(guān)鍵字：華虹 RF-CMOS

選擇RF和微波濾波器的八大竅門(mén)

　　在不了解會(huì)受到何種損害的情況下，具備高深的數(shù)字電子知識(shí)的設(shè)計(jì)師發(fā)現(xiàn)，當(dāng)需要給無(wú)線器件確定濾波器參數(shù)時(shí)，急需復(fù)習(xí)射頻基礎(chǔ)知識(shí)。如果沒(méi)有考慮濾波器類型和最低技術(shù)規(guī)格要求方面的基本要素，可能導(dǎo)致產(chǎn)品不能通過(guò)“測(cè)試”，結(jié)果產(chǎn)品又得重新開(kāi)始設(shè)計(jì)，導(dǎo)致代價(jià)昂貴的生產(chǎn)推遲。另一方面，懂得如何準(zhǔn)確確定濾波器參數(shù)，將有助于使生產(chǎn)出的產(chǎn)品滿足客戶的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)和功能。事實(shí)上，這種知識(shí)有助于在提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的成功機(jī)會(huì)的同時(shí)，控制生產(chǎn)費(fèi)用?！　幕A(chǔ)開(kāi)始　　在當(dāng)今無(wú)線領(lǐng)域，激烈的擴(kuò)展帶寬的競(jìng)爭(zhēng)迫使人們要更加關(guān)注濾波器的性能。如
關(guān)鍵字： RF，微波濾波器

手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線，估與手
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 FD-SOI

量化射頻（RF）干擾對(duì)線性電路的影響

　　典型的精密運(yùn)算放大(運(yùn)放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶可能期望千兆赫水平的RF信號(hào)衰減到非常低的水平，因?yàn)樗鼈冞h(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而，實(shí)際情況并非如此。事實(shí)上，包含在放大器內(nèi)的靜電放電(ESD)二極管、輸入結(jié)構(gòu)和其它非線性元件會(huì)在放大器的輸入端對(duì)RF信號(hào)進(jìn)行“整流”。在實(shí)際意義上，RF信號(hào)被轉(zhuǎn)換成一種直流(DC)偏移電壓，這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。　　用戶也許會(huì)問(wèn)：“對(duì)于由給定RF信號(hào)產(chǎn)生的DC偏移電壓，我如何確定其幅
關(guān)鍵字：量化射頻 RF

如何實(shí)現(xiàn)軟件定義無(wú)線電動(dòng)態(tài)范圍的最大化

本文回顧了軟件定義無(wú)線電發(fā)展，介紹了擴(kuò)大軟件定義無(wú)線電的動(dòng)態(tài)范圍的電路元件、計(jì)算和仿真工具，并重點(diǎn)關(guān)注ADC的性能和頻率規(guī)劃。
關(guān)鍵字：軟件定義無(wú)線電(SDR) 動(dòng)態(tài)范圍信號(hào) RF 201509

Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國(guó)CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對(duì)他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　　　Leti位于法國(guó)格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶　　不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
關(guān)鍵字： FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)