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羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧

羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個(gè)可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認(rèn)證達(dá)56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準(zhǔn)他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，在不影響短路耐受時(shí)間的情況下，使單位面積導(dǎo)通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關(guān)損耗比我們的上一代碳
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ROHM開發(fā)出輸出電壓更穩(wěn)定且非常適用于冗余電源的小型一次側(cè)LDO

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出支持高達(dá)45V的額定電壓、50mA輸出電流的一次側(cè)*1LDO穩(wěn)壓器*2（以下簡稱“LDO”）“BD7xxL05G-C系列”（BD725L05G-C、BD730L05G-C、BD733L05G-C、BD750L05G-C），該系列產(chǎn)品非常適用于各種冗余電源*3，用于車載應(yīng)用中，可提高車載電源系統(tǒng)的可靠性。近年來，隨著ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）等的發(fā)展，要求為這些應(yīng)用供電的車載電源系統(tǒng)具有更高的可靠性。因此，越來越多的車載電源系統(tǒng)都開始配備冗余電源，以
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ROHM助力智能功率器件實(shí)現(xiàn)功能安全并減少功率損耗

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統(tǒng)、PLC（Programable Logic Controller）等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關(guān)（Intelligent Power Device，以下簡稱IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產(chǎn)品。這些產(chǎn)品通過替代機(jī)械繼電器和MOSFET，實(shí)現(xiàn)汽車和工業(yè)設(shè)備市場所需的功能安全。新產(chǎn)品已于2022年10月開始暫以系列合計(jì)月產(chǎn)60萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)
關(guān)鍵字： ROHM 智能功率器件功率損耗 IPD

ROHM采用自有的電路和器件技術(shù)“TDACC?” 開發(fā)出有助于安全工作和減少功率損耗的小型智能功率器件

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統(tǒng)、PLC（Programable Logic Controller）等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關(guān)*1（Intelligent Power Device，以下簡稱IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產(chǎn)品。近年來，在汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，圍繞自動(dòng)駕駛（自動(dòng)化）的技術(shù)創(chuàng)新日新月異，對安全性的要求也越來越高。在進(jìn)行設(shè)備開發(fā)時(shí)，必須考慮到如
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ROHM開發(fā)出有助于xEV相關(guān)應(yīng)用的小型化和減少降噪設(shè)計(jì)工時(shí)的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”

與普通產(chǎn)品相比，在主驅(qū)逆變器、OBC等的隔離電路中，安裝面積可減少約30%全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉(zhuǎn)換器和，新產(chǎn)品非常適用于xEV（電動(dòng)汽車）的主驅(qū)逆變器、車載充電器（以下簡稱“OBC”）、電動(dòng)壓縮機(jī)以及PTC加熱器*2等應(yīng)用中配備的柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電源。近年來，為了實(shí)現(xiàn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展，混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車（統(tǒng)稱“xEV”）加速普及。xEV將電力作為主要?jiǎng)恿碓矗⑴鋫淞烁黝愲妱?dòng)汽車特有的應(yīng)用，比如用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的主驅(qū)逆變器、用于空調(diào)的電動(dòng)
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ROHM開發(fā)出隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”，助力xEV相關(guān)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化以及減少降噪設(shè)計(jì)工時(shí)！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7F105EFJ-C”和“BD7F205EFJ-C”，新產(chǎn)品非常適用于xEV（電動(dòng)汽車）的主驅(qū)逆變器、車載充電器（以下簡稱“OBC”）、電動(dòng)壓縮機(jī)以及PTC加熱器*2等應(yīng)用中配備的柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電源。近年來，為了實(shí)現(xiàn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展，混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車（統(tǒng)稱“xEV”）加速普及。xEV將電力作為主要?jiǎng)恿碓矗⑴鋫淞烁黝愲妱?dòng)汽車特有的應(yīng)用，比如用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的主驅(qū)逆變器、用于空調(diào)的電動(dòng)壓縮機(jī)、用于提升車
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什么是DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真

在“DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真”系列中，將介紹使用ROHM Solution Simulator對耐壓80V、輸出5A的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9G500EFJ-LA”組成的電源電路進(jìn)行電路工作仿真，還會(huì)介紹可以同時(shí)執(zhí)行該IC和外置器件肖特基勢壘二極管“RB088BM100TL”溫度仿真的仿真環(huán)境及其使用方法。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?ROHM Solution Simulator的熱分析功能具有以下特點(diǎn)：– 可對含有功率半導(dǎo)體、IC和無源器件的電路進(jìn)行熱-電耦合分析。– 除了電路工作期間的半導(dǎo)體芯片溫度（結(jié)溫）分
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ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸、超低功耗的MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無線耳機(jī)等可聽戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開關(guān)應(yīng)用。近年來，隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導(dǎo)致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)

具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實(shí)施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
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表面溫度測量：熱電偶的固定方法

測量表面溫度時(shí)，熱電偶的固定方法和導(dǎo)線的處理會(huì)影響測量結(jié)果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 將熱電偶的測量端（連接端）固定到IC等封裝上的方法有兩種：①使用聚酰亞胺（PI）膠帶等；②使用環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑。? JEDEC推薦使用環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑的方法。? 除了熱電偶測量端的固定方法外，導(dǎo)線的處理也會(huì)影響到測量結(jié)果，因此應(yīng)沿著發(fā)熱源敷設(shè)導(dǎo)線。測量表面溫度時(shí)，熱電偶的固定方法和導(dǎo)線的處理會(huì)影響測量結(jié)果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。熱電偶的固定方法：粘貼方法將熱電偶的
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恒流負(fù)載導(dǎo)致的啟動(dòng)故障

內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動(dòng)前輸出端被施加恒流負(fù)載時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)無法啟動(dòng)的問題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器在啟動(dòng)前被施加恒流負(fù)載時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)無法啟動(dòng)的故障。?內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器的這種故障可以通過使用具有電流下垂特性的過電流保護(hù)電路的線性穩(wěn)壓器來解決。?如果因恒流負(fù)載而使電流流過在IC的輸出引腳和接地之間的ESD保護(hù)二極管或寄生二極管，則IC可能會(huì)劣化甚至損壞，因此需要在IC的輸出引腳和接地之間連接肖特基勢壘二極管來進(jìn)行保護(hù)。內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器
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LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)

在下面的表格中，匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時(shí)，LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實(shí)現(xiàn)ZVS工作，部分諧振方式是使用激勵(lì)電流對MOSFET的輸出電容Coss進(jìn)行充電和放電。這樣可以減少開關(guān)損耗，從而可以減小MOSFET封裝和散熱器的尺寸。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?雖然LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)損耗低，但受失諧的影響，開關(guān)損耗可能會(huì)增加，并且可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET損壞。?LLC轉(zhuǎn)換器使用PFM方式來控制輸出電壓。由于LLC的增益頻率特性具有兩個(gè)諧振頻率，因此根據(jù)fsw被分
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內(nèi)置線性穩(wěn)壓器的電源無法啟動(dòng)的故障案例：直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障

這種故障類似于“案例3：直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障①”，多發(fā)生于電路模塊的電路電流在電源電壓上升時(shí)和下降時(shí)明顯不同的情況。圖1為電路電流示例。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?當(dāng)作為負(fù)載的電路模塊在電源電壓上升時(shí)和下降時(shí)電流存在顯著差異時(shí)，可能會(huì)發(fā)生啟動(dòng)故障。?需要充分評估折返式限流電路的特性和輸出電流（負(fù)載）的特性。案例4：直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障②這種故障類似于“案例3：直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障①”，多發(fā)生于電路模塊的電路電流在電源電壓上升時(shí)和下降時(shí)明顯不同的情況。圖1為電路電流示例。圖2表示將該電路模塊與“案例2：恒流負(fù)載導(dǎo)
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ROHM開發(fā)出以1220尺寸達(dá)到1W業(yè)界超高額定功率的分流電阻器“LTR10L”

——“MCR系列”通用型分流電阻器的兩款機(jī)型也已更新，產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)出“LTR系列”的長邊電極型分流電阻器“LTR10L”，同時(shí)，“MCR系列”通用型分流電阻器中的兩款機(jī)型也已更新為“MCR10L”和“MCR18L”，產(chǎn)品陣容得到進(jìn)一步強(qiáng)化。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? &nb
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ROHM開發(fā)出數(shù)十毫瓦超低功耗的設(shè)備端學(xué)習(xí) AI芯片,無需云服務(wù)器,在設(shè)備端即可實(shí)時(shí)預(yù)測故障

*設(shè)備端（On-device）學(xué)習(xí)：?在同一AI芯片上進(jìn)行學(xué)習(xí)和訓(xùn)練全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款設(shè)備端學(xué)習(xí)*AI芯片（配備設(shè)備端學(xué)習(xí)AI加速器的SoC），該產(chǎn)品利用 AI（人工智能）技術(shù)，能以超低功耗實(shí)時(shí)預(yù)測內(nèi)置電機(jī)和傳感器等的電子設(shè)備的故障（故障跡象檢測），非常適用于IoT領(lǐng)域的邊緣計(jì)算設(shè)備和端點(diǎn)*1。通常，AI芯片要實(shí)現(xiàn)其功能，需要進(jìn)行設(shè)置判斷標(biāo)準(zhǔn)的“訓(xùn)練”，以及通過學(xué)到的信息來判斷如何處理的“推理”。在這種情況下，“訓(xùn)練”需要匯集龐大的數(shù)據(jù)量形成數(shù)據(jù)庫并隨時(shí)
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rohm介紹

Rohm株式會(huì)社為全球知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，ROHM公司總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進(jìn)入了晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國硅谷的日本企業(yè),在硅谷開設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心.以當(dāng)時(shí)的企業(yè)規(guī)模，憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [ 查看詳細(xì) ]