si-cmos 文章進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)

DSP硬件設(shè)計(jì)的幾個(gè)注意事項(xiàng)

數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP電路板設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并且同簡(jiǎn)單的數(shù)字電路設(shè)計(jì)相比較，面臨更多相似的問(wèn)題。
關(guān)鍵字： DSP CPU CMOS 功耗

用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

摘要：在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向，設(shè)計(jì)了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行
關(guān)鍵字： CMOS ADC 低噪聲成像驗(yàn)證

基于USB2I2C接口的CMOS圖像傳感器在線調(diào)試系統(tǒng)

CMOS圖像傳感器是近年來(lái)發(fā)展最為快速的新型固態(tài)圖像傳感器，它利用其自身的工藝和集成的特點(diǎn)將光電成像陣列與信號(hào)模擬放大和數(shù)字圖像處理電路集成于單芯片內(nèi)，與CCD圖像傳感器相比，具有體積小、功耗低、控制簡(jiǎn)單、
關(guān)鍵字： CMOS 調(diào)試系統(tǒng) 接口 DSP 寄存器

CCD與CMOS的區(qū)別

技術(shù)的角度比較，CCD與CMOS的區(qū)別有如下四個(gè)方面的不同：1.信息讀取方式CCD電荷耦合器存儲(chǔ)的電荷信息，需在同步信號(hào)控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取，電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配
關(guān)鍵字： CCD CMOS

CMOS逐步替代CCD

CMOS相比CCD有一些明顯的優(yōu)勢(shì)，最大優(yōu)勢(shì)就是成本，還有就是采樣速度以及當(dāng)前很多產(chǎn)品都比較看重的功耗。1、首先我們來(lái)說(shuō)說(shuō)CMOS相對(duì)CCD傳感器的最大優(yōu)勢(shì)，那就是成本。生產(chǎn)單位數(shù)量的CMOS的成本卻要比CCD容易很多，因
關(guān)鍵字： CMOS CCD

圖像傳感器知識(shí)大全

圖像傳感器*概述圖像傳感器是組成數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件的不同，可分為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類(lèi)。CCD
關(guān)鍵字：圖象傳感器 CCD CMOS

具有實(shí)時(shí)跟蹤功能的憶阻視覺(jué)傳感器架構(gòu)

　　1.前言　　過(guò)去的幾十年，業(yè)界圍繞CMOS架構(gòu)視覺(jué)傳感器理論進(jìn)行了大量廣泛的研究和探討，旨在于在成像早期階段處理圖像，從場(chǎng)景中提取最重要的特征，如果換作其它方式達(dá)到同樣目的，例如，使用普通計(jì)算技術(shù)，則需要為此花費(fèi)昂貴的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在這個(gè)方面，運(yùn)動(dòng)偵測(cè)是最重要的圖像特征之一，是多個(gè)復(fù)雜視覺(jué)任務(wù)的基礎(chǔ)。本文重點(diǎn)介紹時(shí)間對(duì)比概念，這個(gè)概念在很多應(yīng)用中特別重要，包括交通監(jiān)控、人體運(yùn)動(dòng)拍照和視頻監(jiān)視[2], [4], [5], [7]。這些應(yīng)用要求圖像偵測(cè)精確并可靠，
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS

TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別

　　本文主要講了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　電平的概念：　　什么是電壓、電流、電功率?無(wú)線電愛(ài)好者都十分清楚。而談及“電平”能說(shuō)清楚的人卻不多。盡管人們經(jīng)常遇到，書(shū)刊中亦多次談起電路中的高電平、低電平、電平增益、電平衰減，就連電工必備的萬(wàn)用表上都有專(zhuān)測(cè)電平的方法和刻線，而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字樣也常常可見(jiàn)。盡管如此，
關(guān)鍵字： TTL CMOS

基于單片機(jī)的低成本CMOS圖像采集系統(tǒng)

　　在很多場(chǎng)合，由于客觀條件限制，人們不可能進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行直接觀察，只能用適應(yīng)性更強(qiáng)的電子圖像設(shè)備來(lái)代替完成，在此背景下發(fā)展起來(lái)的圖像技術(shù)成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)應(yīng)用技術(shù)之一，它以直觀、信息內(nèi)容豐富而被廣泛應(yīng)用于許多場(chǎng)合。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)圖像采集，必須要考慮物聯(lián)網(wǎng)的以下特點(diǎn)：　　(1)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)對(duì)價(jià)格敏感。　　物聯(lián)網(wǎng)是信息傳感技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用，傳感節(jié)點(diǎn)數(shù)目成百上千，若每個(gè)節(jié)點(diǎn)的成本提高一點(diǎn)，整個(gè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的成本就會(huì)提高很多。所以傳感節(jié)點(diǎn)圖像采集的成本應(yīng)盡量低。　　(2)大部分物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對(duì)圖像質(zhì)量要求
關(guān)鍵字：單片機(jī) CMOS

MIT開(kāi)發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng)　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)日前開(kāi)發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng)，而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用，其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外，其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。　　據(jù)IEEESpectrum報(bào)導(dǎo)，光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測(cè)的技術(shù)，雖類(lèi)似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度，因?yàn)楣饩€波長(zhǎng)比無(wú)線電波長(zhǎng)小10萬(wàn)倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測(cè)量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫(huà)素離發(fā)光元件的距離以及畫(huà)素方向來(lái)形成全3D世界模型。　　光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測(cè)量
關(guān)鍵字： MIT CMOS

MIT開(kāi)發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng)　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)日前開(kāi)發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng)，而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用，其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外，其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。　　據(jù)IEEE Spectrum報(bào)導(dǎo)，光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測(cè)的技術(shù)，雖類(lèi)似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度，因?yàn)楣饩€波長(zhǎng)比無(wú)線電波長(zhǎng)小10萬(wàn)倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測(cè)量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫(huà)素離發(fā)光元件的距離以及畫(huà)素方向來(lái)形成全3D世界模型。　　光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測(cè)
關(guān)鍵字： MIT CMOS

設(shè)計(jì)原則：?jiǎn)纹瑱C(jī)硬件系統(tǒng)擴(kuò)展外設(shè)

每天新產(chǎn)品時(shí)刻新體驗(yàn)一站式電子數(shù)碼采購(gòu)中心專(zhuān)業(yè)PCB打樣工廠，24小時(shí)加
關(guān)鍵字： ROM PCB CMOS

TTL和CMOS電平的特點(diǎn)、使用方式

　　1，TTL電平(什么是TTL電平)：　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是0.4v。< p=""> 　　特點(diǎn)：　　1.CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作　　3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗
關(guān)鍵字： TTL CMOS

關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平

　　本文主要介紹了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識(shí)要點(diǎn)，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　一、TTL電平：　　TTL 電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯“1”，0V等價(jià)于邏輯“0”，這被稱(chēng)做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。　　TTL 電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的
關(guān)鍵字： TTL CMOS

CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法

　　一、CMOS門(mén)電路　　CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平，輸出信號(hào)就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
關(guān)鍵字： CMOS TTL