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ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應用

  • 近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗，可實現(xiàn)設(shè)備中冷卻機構(gòu)的小型化。同時，通過更高頻率的開關(guān)動作，還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化?？梢姡琒iC是可以同時實現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
  • 關(guān)鍵字： ROHM  SiC  汽車  

走過疑慮 SiC器件終迎春天

  • 在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
  • 關(guān)鍵字： SiC  Cree  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰脼閷虻亩搪纺褪苣芰Φ?。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
  • 關(guān)鍵字： 電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  

SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案設(shè)計

  • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
  • 關(guān)鍵字： SiC  集成技術(shù)  生物電信號  采集方案  

基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

  • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
  • 關(guān)鍵字： EEG  SiC  生物電信號采集  IMEC  

第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  第三代半導體材料  

ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應用的高效化與小型化

  • 　　<概要>　　全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?！　”井a(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計優(yōu)化，實現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應
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汽車功率元器件市場前景廣闊

  • 　　汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。 　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
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汽車功率元器件市場前景廣闊

  • 　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點，使用200毫米(和
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功率半導體：自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

  • 　　與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長期低估,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
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電源設(shè)計控必須了解的2017三大趨勢

  • 　　2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動創(chuàng)新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
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ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

  • 　　2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半導體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時ROHM將在E4館設(shè)有展位(展位號：4100)，向與會觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來到現(xiàn)場還將有ROHM的專業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹，期待您的到來?！　OHM展位信息　　"慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導體制造商，&
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新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

  • 　　日本 DISCO 公司的科學家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場中的滲透較慢，主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
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“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線圖？

  • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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