德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導體的需求。
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SiC 英飛凌
TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power
Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC
Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數據，其中Tesla在1
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SiC 功率器件 TrendForce
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
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雜散電感 SiC IGBT 開關特性
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析S
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IGBT SiC 開關特性
在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數據中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣
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Qorvo SiC MOSFET
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
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碳化硅 SiC MOSFET
近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進展。從國內外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產前夕，國產廠商方面則有更多廠家具備量產能力，產業(yè)鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據悉，該工廠由Wolfsp
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SiC 8英寸
SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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GaN SiC
3月28日消息，當地時間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產線一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設備進場，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開始生產，預計竣工達產后Wolfspeed的SiC襯底產量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產更多的芯片，從而減少邊緣浪
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SiC 碳化硅
電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
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安森美 SiC 電池儲能
進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為，車市降價是由于新技術帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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SiC
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
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納微半導體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進一步兼容CiA 601-4標準，可實現≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網絡多節(jié)點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質量；此外，超高的EMC表現，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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納芯微 振鈴抑制 CAN SIC
先進電機應用（如高轉速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
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SiC 逆變器 電機 CISSOID Silicon Mobility
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