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克服疫情，大灣區(qū)首臺全自動化SiC動態(tài)測試系統(tǒng)在北理汽車研究院交付

  • _____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，亦是大灣區(qū)的首臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)。此系統(tǒng)集成了來自泰克的專門針對第三代半導體測試的硬件設(shè)備，從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會”上結(jié)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，進行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的
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健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇

  • 可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設(shè)備已成為過去5年來消費電子領(lǐng)域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
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如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率

  • 電網(wǎng)提供的電能是交流電，但我們使用的大多數(shù)設(shè)備都需要直流電，這意味著進行這種轉(zhuǎn)換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見的負載之一。隨著世界關(guān)注能效以保護環(huán)境并管理運營成本，這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數(shù)也有很大的影響。功率因數(shù)(PF) 描述了任何交流電設(shè)備（包括電源）消耗的有用（真實）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉(zhuǎn)換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載，PF 將等于1，但任何負載內(nèi)的無功
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貿(mào)澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學 (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風檢測傳感器腔內(nèi)CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節(jié)省超過75%的空間。貿(mào)澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測器、紅外源和光學濾波器）、用
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揚杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用SGT工藝

  • 4月8日消息，揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工藝，針對電機驅(qū)動、BMS等應用設(shè)計，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機驅(qū)動系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！

  • MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
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瑞森 SGT MOSFET 介紹及應用

  • 最近，瑞森研發(fā)部對功率MOSFET的技術(shù)進行了更新?lián)Q代，這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。
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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?

  • 該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導通的機制，并進一步指出為了避免寄生導通，在選取MOSFET時應遵循什么準則。
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你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴重？

  • 在開關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導致發(fā)熱呢？本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管的半導體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示，對于N溝道型的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管，如圖2所
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最全！20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃

  • 中國半導體功率器件十強企業(yè)：揚杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認證，連續(xù)數(shù)年評為中國半導體功率器件十強企業(yè)。國內(nèi)領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè)：長晶科技（JSCJ）· 主要產(chǎn)品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
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聞達精芯之安，泰然創(chuàng)新于世

  • 安世半導體（Nexperia）是全球半導體行業(yè)公認的基礎(chǔ)半導體器件生產(chǎn)專家，持續(xù)穩(wěn)定地大批量生產(chǎn)超越業(yè)界質(zhì)量標準的高效產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 202204  MOSFET  

同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型，新產(chǎn)品非常適用于電動汽車充電樁、服務器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機驅(qū)動。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動汽車充電樁、服務器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應用損耗并提高可靠性

  • 在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應用，包括服務器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電
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東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關(guān)
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恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動交通領(lǐng)域的采用

  • 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導體模塊在電動交通領(lǐng)域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件，可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程，提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
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