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實(shí)現(xiàn)SiC器件與先進(jìn)電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配,并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”

  • 為各行業(yè)提供所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布:公司已與南京航空航天大學(xué)自動化學(xué)院電氣工程系達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將攜手建立聯(lián)合電驅(qū)動實(shí)驗(yàn)室,共同研發(fā)針對碳化硅(SiC)功率電子應(yīng)用的全方位優(yōu)化、匹配先進(jìn)電機(jī)的電控系統(tǒng),以充分發(fā)揮SiC器件的高頻、高壓、高溫、高效率、高功率密度等性能優(yōu)勢,更好地滿足工業(yè)、航空和新能源汽車應(yīng)用的廣泛需求。先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用 (如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等)需要相匹配的逆變器支持,但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。CISSOID與南京航空航天大學(xué)自動化學(xué)院電
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如何“榨干”SiC器件潛能?這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例

  • 隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長,光儲充一體化市場為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展,逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性,探討安森美(onsemi)系列先進(jìn)的封裝技術(shù)為加速SiC導(dǎo)入新能源領(lǐng)域應(yīng)用提供的參考范例。光儲充應(yīng)用市場需求持續(xù)上漲從逆變器到充電器,SiC在新能源產(chǎn)業(yè)鏈中的全方位革命眾所周知,SiC材料具有卓越的高溫性能、高效率、高頻開關(guān)能力以及耐高溫和高可靠性等,為功率電子
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第2講:三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史

  • 三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用高性能、高可靠性且高性價(jià)比的SiC器件,本篇章帶你了解三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史。三菱電機(jī)從上世紀(jì)90年代已經(jīng)開始啟動SiC相關(guān)的研發(fā)工作。最初階段,SiC晶體的品質(zhì)并不理想,適合SiC的器件結(jié)構(gòu)和制造工藝仍處于探索階段,但研發(fā)人員堅(jiān)信SiC MOSFET是能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件,因此一直致力于相關(guān)研發(fā)。三菱電機(jī)于2003年開發(fā)出耐壓2
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SiC器件如何顛覆不間斷電源設(shè)計(jì)?

  • 不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設(shè)施、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和其他關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電。憑借先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),這些系統(tǒng)能夠確保可靠供電,提供濾波功能,并在發(fā)生短期電網(wǎng)斷電時(shí)保障供電。對于更長時(shí)間的停電,這些系統(tǒng)可以提供足夠的時(shí)間讓關(guān)鍵設(shè)備安全地關(guān)閉。 UPS的設(shè)計(jì)要項(xiàng)一文中,我們帶大家了解了UPS的使用用例與具體產(chǎn)品規(guī)格,本文將從SiC器件的角度出發(fā),幫助您設(shè)計(jì) UPS 或其他電池儲能系統(tǒng)。SiC正在推動革命碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品,即所謂的寬禁帶產(chǎn)品,可以
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SiC器件與Si技術(shù)的對比優(yōu)勢及在PFC和Boost轉(zhuǎn)換器、硬/軟開關(guān)電路、電動汽車牽引逆變器等應(yīng)用中的趨勢

  • SiC的應(yīng)用始于2000年,最早在PFC中采用了SiC JBS二極管。隨后是在光伏行業(yè)中,開始使用SiC二極管和FET。但是,最近在EV車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用的激增,顯著推動了SiC需求的增長。電動汽車逆變器、650V設(shè)備的新興應(yīng)用以及服務(wù)器電源和5G電信整流器等的應(yīng)用有望推動SiC需求的快速增長。本文介紹了這些SiC器件相對于現(xiàn)有Si技術(shù)的優(yōu)勢。SiC器件的優(yōu)點(diǎn)與IGBT相比,使用SiC FET的優(yōu)勢已得到充分證明。較寬的4H-SiC帶隙允許形成電壓阻擋層,理想情況下,其電阻要比相應(yīng)的
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半導(dǎo)體材料知多少?SiC器件與Si器件性能比較

  • SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面?電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講...
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