首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> sige:c

格羅方德推出性能增強型130nm 硅鍺射頻技術，以促進下一代無線網(wǎng)絡通信發(fā)展

  • 　　格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶而打造，適用于汽車雷達、衛(wèi)星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網(wǎng)絡的應用。 　　格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術是該公司130nm高性能硅鍺系列產(chǎn)品的最新成員，它可協(xié)助客戶制定射頻解決方案，以在更遠距離實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)吞吐量，同時耗能更少。這項先進技術大幅提升了異質結雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數(shù)、改善信號完整性并將硅鍺 8XP
  • 關鍵字： 格羅方德  SiGe  

IBM針對RF芯片代工升級制程技術

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： IBM  RF芯片  代工升級  制程技術  SiGe  SOI  

飛思卡爾新產(chǎn)品引領高性能射頻技術發(fā)展

  • 　　無線技術的便利性已經(jīng)得到所有人的認可，無線技術的優(yōu)勢也通過技術的不斷演進變得越來越明顯，從而帶動整個無線市場的快速普及。射頻不是一個簡單的元器件，而是一個涉及多個半導體器件的解決方案。 　　作為這個市場的領導者之一，飛思卡爾半導體提供廣泛的射頻低功率產(chǎn)品組合，滿足目前復雜且具有挑戰(zhàn)性的應用及市場需求。從通用放大器、增益模塊、信號控制產(chǎn)品到功能豐富的低噪聲放大器和高性能RFIC，飛思卡爾利用各種基于III-V的技術和先進的SiGe芯片工藝為客戶提供解決方案，滿足無線基礎設施、無線通信、蜂窩通信、工業(yè)、
  • 關鍵字： 飛思卡爾  SiGe  MMZ25333B  

泰克下一代70GHz示波器將采用IBM的9HP硅鍺芯片制造技術

  • 泰克公司日前宣布，其下一代高性能實時示波器將采用IBM的最新9HP硅鍺 (SiGe) 芯片制造工藝。IBM的第五代半導體技術與早前宣布的正在申請專利的異步時間插值 (Asynchronous Time Interleaving) 技術將使新示波器帶寬達到70 GHz并實現(xiàn)信號保真度改善。
  • 關鍵字： 泰克  示波器  SiGe  

高線性度SiGe下變頻混頻器

  • 2.3GHz至4GHz、SiGe下變頻混頻器具有業(yè)內最佳的性能Maxim在2010年IIC上海站重點向觀眾展示了以下應用...
  • 關鍵字： 高線性度  SiGe  變頻混頻器  

華虹NEC 0.13 / 0.18微米SiGe工藝技術成功進入量產(chǎn)

  • 世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領先地位的0.13/0.18微米SiGe工藝技術進入量產(chǎn)。由此成為國內首家、全球少數(shù)幾家可以提供0.13/0.18微米SiGe量產(chǎn)工藝的代工廠之一。
  • 關鍵字： 華虹NEC  工藝  SiGe  

SiGe MEMS技術

  • MEMS技術自20世紀70年代末80年代初掀起第一輪商業(yè)化浪潮，其后經(jīng)歷了四次較大的變革。如今，除傳統(tǒng)的應用外，推動第四輪商業(yè)化的其它應用包括一些面向射頻無源元件、在硅片上制作的音頻、生物和神經(jīng)元探針，以及生化
  • 關鍵字： 技術  MEMS  SiGe  

鍺化硅（SiGe）技術在測試技術中的應用

  • 鍺化硅技術(Silicon germanium)從20世紀80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導體材料，應用領域非常廣泛，尤其在新一代移動設備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大
  • 關鍵字： SiGe  鍺化硅  測試技術  中的應用    

瑞薩電子推出新型SiGe:C異質接面晶體管

  • 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業(yè)界的低噪聲效能。
  • 關鍵字： 瑞薩  晶體管  SiGe:C HBT  

基于SiGe HBT的射頻有源電感設計

  • 電感在射頻單片集成電路中具有重要作用，主要具備阻抗轉換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術的迅速...
  • 關鍵字： SiGe  HBT  射頻有源電感  晶體  反饋  

基于SiGe HBT的射頻有源電感的設計

  • 本文設計了四種結構的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結果表明由晶體管構成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結構中，由共射放大器與共集放大器級聯(lián)反饋構成的有源電感性能較好。采用回轉器原理實現(xiàn)的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調諧性。
  • 關鍵字： 電感  設計  有源  射頻  SiGe  HBT  基于  

探討固定及移動WiMAX系統(tǒng)對無線射頻子系統(tǒng)的設計要求

Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器

  • 　　Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器(LNA)產(chǎn)品線的最新成員MAX2667/MAX2669。這兩款完全集成的LNA采用Maxim先進的SiGe工藝設計，具有0.65dB的超低噪聲系數(shù)，與分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收機的靈敏度和讀取范圍。MAX2667/MAX2669具有業(yè)內最佳的性能、最小的尺寸和最低的電流損耗，是智能手機、個人導航設備(PND)及其它電池供電手持設備的理想選擇。 　　MAX2667/MAX2669提供不同的線性指標選項，以滿足不同的系統(tǒng)要求。對于要求在存
  • 關鍵字： Maxim  LNA  SiGe  MAX2667  MAX2669   

SiGe半導體獲“最受尊敬的私營半導體企業(yè)獎”提名

  • 　　全球領先的硅基射頻 (RF) 前端模塊 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供應商SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 已獲全球半導體聯(lián)盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名為2010年度“最受尊敬的私營半導體企業(yè)獎”之候選者，優(yōu)勝者將于12月9日在硅谷圣克拉拉會議中心舉辦的頒獎晚宴上宣布。 　　
  • 關鍵字： SiGe  半導體  
共51條 1/4 1 2 3 4 »

sige:c介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sige:c!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sige:c的理解，并與今后在此搜索sige:c的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

SiGe:C    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473