首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sram

實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn) | STM32G071 從 standby 模式退出后的 SRAM 數(shù)據(jù)保留

  • 01 問(wèn)題的描述某客戶(hù)使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒,想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊(cè)的描述,配置了相應(yīng)的比特位,但是發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)仍然保持不了。02 問(wèn)題的復(fù)現(xiàn)根據(jù)客戶(hù)的描述,以及 STM32G071 的最新版參考手冊(cè) RM0444 發(fā)現(xiàn),在 standby 模式下,可以通過(guò)設(shè)置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力,相應(yīng)的 API 接口函數(shù)為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
  • 關(guān)鍵字: STM32G071  standby  SRAM  

SRAM正在測(cè)試3D打印原型曲柄

  • SRAM正在通過(guò)與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件,開(kāi)始制造真正可用的3D打印原型曲柄。基于這種人工智能設(shè)計(jì)流程,我們可能會(huì)看到完全重新構(gòu)想的SRAM曲柄投放市場(chǎng)。不容置疑的是,SRAM在這種新的設(shè)計(jì)方法中投入了大量精力,并且他們已經(jīng)在真實(shí)的道路上,用這款電腦設(shè)計(jì)的山地車(chē)曲柄進(jìn)行了的多次迭代測(cè)試……使用Autodesk,SRAM能夠從空白開(kāi)始,讓人工智能根據(jù)曲柄組中的作用力和各種自動(dòng)化制造過(guò)程,為原型曲柄組篩選出最佳的設(shè)計(jì)形式。到目前為止,似乎SRAM已經(jīng)
  • 關(guān)鍵字: SRAM  3D打印  

格芯贏得AI芯片業(yè)務(wù)

  • 像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負(fù)擔(dān)得起7nm技術(shù),但初創(chuàng)公司和其他規(guī)模較小的公司卻因?yàn)閺?fù)雜的設(shè)計(jì)規(guī)則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術(shù)提供了一條替代途徑,通過(guò)減小電壓而不是晶體管尺寸來(lái)降低功耗。格芯還開(kāi)發(fā)了專(zhuān)門(mén)針對(duì)AI加速而優(yōu)化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結(jié)果是,典型AI運(yùn)算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶(hù)已經(jīng)利用初代12LP技術(shù)獲得了業(yè)界領(lǐng)先的結(jié)果,首批采用12LP+工藝制造的產(chǎn)品將于
  • 關(guān)鍵字: AI  CNN  SRAM  CPU  芯片  

使用帶有片上高速網(wǎng)絡(luò)的FPGA的八大好處

  • 引言自從幾十年前首次推出FPGA以來(lái),每種新架構(gòu)都繼續(xù)在采用按位(bit-wise)的布線結(jié)構(gòu)。雖然這種方法一直是成功的,但是隨著高速通信標(biāo)準(zhǔn)的興起,總是要求不斷增加片上總線位寬,以支持這些新的數(shù)據(jù)速率。這種限制的一個(gè)后果是,設(shè)計(jì)人員經(jīng)?;ㄙM(fèi)大量的開(kāi)發(fā)時(shí)間來(lái)嘗試實(shí)現(xiàn)時(shí)序收斂,犧牲性能來(lái)為他們的設(shè)計(jì)布局布線。傳統(tǒng)的FPGA布線基于整個(gè)FPGA中水平和垂直方向上運(yùn)行的多個(gè)獨(dú)立分段互連線(segment),在水平和垂直布線的交叉點(diǎn)處帶有開(kāi)關(guān)盒(switch box)以實(shí)現(xiàn)通路的連接。通過(guò)這些獨(dú)立段和開(kāi)
  • 關(guān)鍵字: ATT  FCU  SRAM  FMAX  

瑞薩電子宣布擴(kuò)大IP授權(quán)范圍

  • 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723)今日宣布擴(kuò)大其備受歡迎的IP的授權(quán)范圍,幫助設(shè)計(jì)師能夠在瞬息萬(wàn)變的行業(yè)中滿(mǎn)足廣泛的客戶(hù)需求。自即日起,客戶(hù)將可訪問(wèn)諸如尖端的7nm(納米)SRAM和TCAM,以及領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)(TSN)等IP。此外,瑞薩電子正致力于打造包括PIM(內(nèi)存處理)的系統(tǒng)IP,該技術(shù)首次在2019年6月的會(huì)議論文中提出,作為AI(人工智能)加速器引起廣泛關(guān)注。利用這些IP,客戶(hù)可迅速啟動(dòng)其先進(jìn)的半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,例如為領(lǐng)先的5G網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)下一代AI芯
  • 關(guān)鍵字: IP  SRAM  

基于J750EX測(cè)試系統(tǒng)的SRAM VDSR32M32測(cè)試技術(shù)研究

  • 作者:王鑫,王烈洋,占連樣,陳像,張水蘋(píng),湯凡,黃小琥,李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機(jī)器(SRAM)用其對(duì)大
  • 關(guān)鍵字: SRAM  測(cè)試  

基于 QDR-IV SRAM 實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器 IP設(shè)計(jì)

  • 網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器。計(jì)數(shù)器用來(lái)記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開(kāi)的次數(shù)以及特定事件的次數(shù),比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字: SRAM  網(wǎng)絡(luò)  

新式儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)能加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛嗎?

  •   MRAM新創(chuàng)公司STT開(kāi)發(fā)出一種存儲(chǔ)器專(zhuān)有技術(shù),據(jù)稱(chēng)可在增加數(shù)據(jù)保持的同時(shí)降低功耗,使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色?它能成為加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎?  磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開(kāi)發(fā)出MRAM專(zhuān)用技術(shù),據(jù)稱(chēng)能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
  • 關(guān)鍵字: MRAM  SRAM  

RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼?

  •   RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容,故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。   按照存儲(chǔ)信息的不同,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。   SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。   SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
  • 關(guān)鍵字: SRAM  DRAM  

嵌入式存儲(chǔ)器的前世今生,作為電子工程師的你知道嗎?

  •   隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類(lèi)已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上,形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲(chǔ)器,在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧?! 〗谂_(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中,首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。預(yù)計(jì)試產(chǎn)主要采用2
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  SRAM  

賽普拉斯授權(quán)UMC生產(chǎn)的 65nm 和 40nm SRAM 器件榮獲航空航天級(jí) QML 認(rèn)證

  •   包括抗輻射存儲(chǔ)器在內(nèi)的先進(jìn)嵌入式系統(tǒng)解決方案市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UMC”)今日聯(lián)合宣布,賽普拉斯 65nm 和 40nm 技術(shù)平臺(tái)成為業(yè)界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認(rèn)證的平臺(tái),為其未來(lái)產(chǎn)品鋪平了道路。UMC的 Fab 12A(位于臺(tái)灣臺(tái)南)生產(chǎn)的新一代 144 Mb 四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) II+、
  • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  SRAM   

Cypress于聯(lián)華電子制造的65及40納米SRAM元件通過(guò)航空級(jí)QML認(rèn)證

  •   聯(lián)華電子與抗輻射記憶體 (Radiation hardened memories) 領(lǐng)導(dǎo)廠商Cypress今 ( 15日) 共同宣布,Cypress的65和40奈米的技術(shù)平臺(tái)率先業(yè)界,完成其先進(jìn)產(chǎn)品流程合格製造商清單 (QML) 的認(rèn)證。 聯(lián)華電子位于臺(tái)灣臺(tái)南的Fab 12A所製造的下一代144-Mbit四倍資料速率 (QDR) II +,144-Mbit&nbs
  • 關(guān)鍵字: Cypress  SRAM  

基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——外部SRAM

  • 所謂外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM(SRAM)。外部SRAM存儲(chǔ)器也有不少種類(lèi)。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲(chǔ)器既有優(yōu)點(diǎn)又有缺點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: SRAM  存儲(chǔ)器  RAM  FPGA  

針對(duì)微控制器應(yīng)用的FPGA實(shí)現(xiàn)

  • 當(dāng)你打開(kāi)任何智能電子設(shè)備(從老式的電視遙控器到全球定位系統(tǒng)),會(huì)發(fā)現(xiàn)幾乎所有的設(shè)備都至少采用了一個(gè)微控制器(MCU),很多設(shè)備里還會(huì)有多個(gè)微控制器。MCU往往被用于專(zhuān)用的終端產(chǎn)品或設(shè)備中,它能夠很好地完成特殊任務(wù)。另一方面,PC的大腦,即微處理器被設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)許多通用的功能。微控制器可用于降低成本,加固工業(yè)和自動(dòng)化應(yīng)用,將其嵌入FPGA中時(shí),還可以通過(guò)重新編程迅速改變功能。這種靈活性使得單個(gè)設(shè)備可應(yīng)用于接口標(biāo)準(zhǔn)不同的多個(gè)市場(chǎng)。
  • 關(guān)鍵字: 微控制器  SRAM  FPGA  
共184條 1/13 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

sram介紹

  SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě),它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時(shí)間,固定要對(duì)DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]

熱門(mén)主題

NVSRAM    OSRAM    樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473