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賽普拉斯推出采用 65 納米工藝技術(shù)的 SRAM

  •   賽普拉斯-SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先公司,日前宣布,該公司在業(yè)界率先推出采用 65 納米線(xiàn)寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲(chǔ)器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開(kāi)發(fā)的工藝技術(shù)。新型 SRAM 實(shí)現(xiàn)了目前市場(chǎng)上最快的 550 MHz時(shí)鐘速度,在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 80
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賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出的三款SRAM新品

  •   2009年4月8日,北京訊,日前,賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM,進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市場(chǎng)上密度最大的低功耗 SRAM,旨在延長(zhǎng)高端銷(xiāo)售點(diǎn)終端、游戲應(yīng)用、VoIP 電話(huà)、手持消費(fèi)和醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用的電池工作時(shí)間。新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接,能充分滿(mǎn)足音頻處理、無(wú)線(xiàn)和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用
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基于SRAM的FPGA連線(xiàn)資源的一種可測(cè)性設(shè)計(jì)

  • 本文提出在FPGA芯片內(nèi)插入多條移位寄存器鏈的方法,可使測(cè)試開(kāi)關(guān)盒連線(xiàn)資源的時(shí)問(wèn)比傳統(tǒng)的測(cè)試方法和已有的一種方法時(shí)間上減少了99%以上,大大降低了測(cè)試的時(shí)間,降低了測(cè)試成本,并且消耗的硬件面積比大約在5%左右,在可接受的范圍內(nèi)。
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MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應(yīng)用

  •   微控制器環(huán)境要求在盡可能小的封裝里實(shí)現(xiàn)最多的通用I/O。存微控制器尺寸和成本的限制下,M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標(biāo)準(zhǔn)功能。但MIPS32 M4K內(nèi)核所具有的一些特點(diǎn)使其非常適用于微控制器應(yīng)用領(lǐng)域。這就涉及到本文重點(diǎn)討論的一個(gè)內(nèi)容--SRAM接口,這是MIPS32 M4K內(nèi)核的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)功能。   微控制器應(yīng)用需要僅用最少的接口邏輯就可以在處理器內(nèi)核和存儲(chǔ)系統(tǒng)之間實(shí)現(xiàn)緊密耦合。MIPS32M4K內(nèi)核SRAM接口就是一個(gè)比較完美的解決方案。   
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基于FPGA的mif文件創(chuàng)建與使用

  •   1 引言   在一些需要特殊運(yùn)算的應(yīng)用電路中,只讀存儲(chǔ)器ROM是關(guān)鍵元件,設(shè)計(jì)人員通常利用ROM創(chuàng)建各種查找表,從而簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),提高電路的處理速度和穩(wěn)定性。FPGA是基于SRAM的可編程器件。掉電后FPGA上的配置信息將全部丟失,所以由FPGA構(gòu)造的數(shù)字系統(tǒng)在每次上電后要依賴(lài)于外部存儲(chǔ)器來(lái)主動(dòng)配置或在線(xiàn)被動(dòng)配置。真正意義上的ROM應(yīng)具有掉電后信息不丟失的特性,因此利用FPGA實(shí)現(xiàn)的ROM只能認(rèn)為器件處于用戶(hù)狀態(tài)時(shí)具備ROM功能。使用時(shí)不必要刻意劃分,而ROM單元的初始化則是設(shè)計(jì)人員必須面對(duì)的問(wèn)題。
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IBM已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM芯片

  •   IBM周一宣布,已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM(靜態(tài)存儲(chǔ)器)單元。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,SRAM芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試驗(yàn)新工藝的設(shè)備,速度更快、體積更小且技術(shù)更復(fù)雜,主要負(fù)責(zé)在數(shù)據(jù)被處理之前暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。   IBM認(rèn)為SRAM芯片的生產(chǎn)是縮小整個(gè)微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高,并減少耗電。   IBM希望,到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機(jī)構(gòu)副總裁陳博士表示:“隨著處理器內(nèi)核數(shù)量增多,人們對(duì)微處理器中存儲(chǔ)器的需求也在日漸增加。為
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世界上最小的靜態(tài)存儲(chǔ)單元問(wèn)世

  •   8月18日,美國(guó)IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)等機(jī)構(gòu)共同宣布,世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)有效靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下,制造出有效存儲(chǔ)單元。   SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備,比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì),僅占0.1平方微米,打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。   新的研究工作是在
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基于A(yíng)RM的嵌入式系統(tǒng)中從串配置FPGA的實(shí)現(xiàn)

  •   1 引言   ARM(Advanced RISC Machines)既可以認(rèn)為是一個(gè)公司。也可以認(rèn)為是對(duì)一類(lèi)微處理器的統(tǒng)稱(chēng),還可以認(rèn)為是一項(xiàng)技術(shù)?;贏(yíng)RM技術(shù)的微處理器應(yīng)用約占據(jù)了32位RISC微處理器75%以上的市場(chǎng)份額,ARM技術(shù)正在逐步滲入到人們生活的各個(gè)方面[1]。到目前為止,ARM微處理器及技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域,包括工業(yè)控制領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、成像和安全產(chǎn)品等。   FPGA(Field Programmable Gate Array)是一種高密度現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯器件,
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FPGA應(yīng)用愈加廣泛 行業(yè)演進(jìn)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)

  •   FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯器件)產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)從原來(lái)的通信擴(kuò)展到消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、測(cè)試測(cè)量等廣泛的領(lǐng)域。而應(yīng)用的變化也使FPGA產(chǎn)品近幾年的演進(jìn)趨勢(shì)越來(lái)越明顯:一方面,F(xiàn)PGA供應(yīng)商致力于采用當(dāng)前最先進(jìn)的工藝來(lái)提升產(chǎn)品的性能,降低產(chǎn)品的成本;另一方面,越來(lái)越多的通用IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))或客戶(hù)定制IP被引入FPGA中,以滿(mǎn)足客戶(hù)產(chǎn)品快速上市的要求。此外,F(xiàn)PGA企業(yè)都在大力降低產(chǎn)品的功耗,滿(mǎn)足業(yè)界越來(lái)越苛刻的低功耗需求。   第一時(shí)間采用新工藝提升性能降低成本   半導(dǎo)體產(chǎn)品的集成度和成本
  • 關(guān)鍵字: FPGA  ASIC  SRAM  低功耗  

基于DSP的廣播級(jí)數(shù)字音頻延時(shí)器

  •   音頻延時(shí)器可用于廣播電臺(tái)直播節(jié)目。它將音頻信號(hào)延時(shí)一段時(shí)間后播出,以避免主持人的口誤或聽(tīng)眾熱線(xiàn)中聽(tīng)眾的一些不健康言論通過(guò)廣播媒體傳播,從而實(shí)現(xiàn)直播節(jié)目的安全播出。作為廣播級(jí)設(shè)備,音頻延時(shí)器對(duì)動(dòng)態(tài)范圍、失真、信噪比和頻率響應(yīng)等性能指標(biāo)要求很高,因此一般采用數(shù)字技術(shù)。采用計(jì)算機(jī)內(nèi)置全雙工聲卡硬盤(pán),可以以軟件方式實(shí)現(xiàn)音頻信號(hào)眨時(shí),但使用操作不方便,可靠性較差,性能價(jià)格比較低。本文提出的基于高精度∑-ΔADC和DSP芯片的廣播級(jí)數(shù)字音頻延時(shí)器,具有性能指標(biāo)高、操作簡(jiǎn)便、功能齊全等特點(diǎn),該設(shè)
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利用永久性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)智能汽車(chē)功能的全面調(diào)用

  •   假設(shè)8個(gè)月前你駕車(chē)駛上了一個(gè)帶急轉(zhuǎn)彎的高速公路坡道。由于轉(zhuǎn)彎時(shí)速度太快,汽車(chē)自動(dòng)采取了主動(dòng)安全和懸掛措施來(lái)避免駛離道路。   主動(dòng)安全措施包括汽車(chē)制動(dòng)、電子穩(wěn)定控制和安全帶的預(yù)拉。智能汽車(chē)可以記憶曾采取的主動(dòng)安全措施以及當(dāng)時(shí)的速度、GPS位置和軸承的情況。   現(xiàn)在假設(shè)你的配偶正在前述坡道上駕車(chē)行駛,但這次是在下雨天。通過(guò)調(diào)用8個(gè)月前記憶的坡道位置和車(chē)輛軸承情況,以及了解當(dāng)前路況的濕滑程度,智能汽車(chē)能提前采取正確措施來(lái)防止汽車(chē)滑出坡道并撞上迎面而來(lái)的卡車(chē)。   上述事例展示了全面調(diào)用(total
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飛思卡爾與意法聯(lián)合開(kāi)發(fā)車(chē)載微控制器

  •   美國(guó)飛思卡爾半導(dǎo)體(FreescaleSemiconductor)上市了配備Power架構(gòu)CPU內(nèi)核“e200z0”的車(chē)用32bit微控制器的三個(gè)系列“MPC560xP”、“MPC560xS”及“MPC560xB”(英文發(fā)布資料)。這些產(chǎn)品均為與意法合資的意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)聯(lián)合開(kāi)發(fā)。采用了90nm工藝技術(shù)制造。   MPC560xP系列適用于汽車(chē)的底盤(pán)及安全控制。主要用
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高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲(chǔ)與傳輸控制邏輯設(shè)計(jì)

  •   隨著信息科學(xué)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)采集和存儲(chǔ)技術(shù)廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信、遙測(cè)遙感等領(lǐng)域。在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,由ADC轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器 中,再進(jìn)行相應(yīng)的處理,保證快速準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)傳輸處理是實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集的一個(gè)關(guān)鍵。由于高速ADC的轉(zhuǎn)換率很高,而大容量RAM相對(duì)ADC輸出速度較慢, 保持高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過(guò)程的可靠性、實(shí)時(shí)性是一個(gè)比較棘手的問(wèn)題。對(duì)于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的大容量高速度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、傳輸,本文提出一種基于FPGA的多片RAM實(shí) 現(xiàn)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和傳輸?shù)姆桨福?yīng)用于1GS/s數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,實(shí)現(xiàn)了以低
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瑞薩科技發(fā)布采用1MB片上SRAM的微控制器

  •   近日,瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產(chǎn)品型號(hào),這些集成了1M字節(jié)片上SRAM的器件適用于數(shù)字音頻和圖形儀表盤(pán)應(yīng)用。樣品將從2008年8月開(kāi)始在日本交付。   作為SuperH*1 系列32位RISC微控制器/微處理器的組成部分,SH7262和SH7264屬于針對(duì)數(shù)字音頻應(yīng)用的SH7260系列微控制器。芯片上集成的1M字節(jié)SRAM,可以用來(lái)取代外部SDRAM。這將有助于實(shí)現(xiàn)主要采用單芯片的圖形儀表盤(pán)系統(tǒng)強(qiáng)大的
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基于SRAM的可重配置電路

  • 基于SRAM的可重配置PLD(可編程邏輯器件)的出現(xiàn),為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者動(dòng)態(tài)改變運(yùn)行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來(lái)保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能,改變這些數(shù)據(jù),也就改變了器件的邏輯功能。
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sram介紹

  SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě),它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時(shí)間,固定要對(duì)DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]

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