首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> wkd-ir

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關(guān) (ZVS) 電路等軟開關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開關(guān)式電源 (SMPS)電路中實(shí)現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當(dāng)今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
  • 關(guān)鍵字： IR  

IR推出性能經(jīng)改良的電子繼電器

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負(fù)載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機(jī)電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實(shí)現(xiàn)更低起動(dòng)電流，以及高水平抗沖擊與振動(dòng)性能，有助降低功耗。IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富
  • 關(guān)鍵字： IR  繼電器  

IR公布2003財(cái)年第四季度業(yè)績(jī)

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 公布2003財(cái)年第四季度業(yè)績(jī)，季內(nèi)營(yíng)業(yè)收益為2.284億美元，不包括早前公布有關(guān)遣散及重組活動(dòng)的開支，模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元)，營(yíng)業(yè)收益則為2.01億美元。計(jì)入共380萬美元的遣散及重組開支后，IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營(yíng)業(yè)收益在預(yù)定指標(biāo)上端，比上季度增加超過6%，比去年同
  • 關(guān)鍵字： IR  

IR全新16A額定集成功率模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)且節(jié)能

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A，全面簡(jiǎn)化變速電子電機(jī)控制電路。 最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機(jī)降低多達(dá)30%的能耗，并專為750W至1.2kW變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如室內(nèi)空調(diào)系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機(jī)。 新功率模塊屬于IR iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列一部分，將一個(gè)三相逆變器功率平臺(tái)、柵驅(qū)動(dòng)器和輔助電路結(jié)合在小巧的高性能絕緣型封裝
  • 關(guān)鍵字： IR  模塊  

IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器性能

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝，采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強(qiáng)電及熱性能，有助降低傳導(dǎo)損耗，卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)的iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達(dá)175°C，標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
  • 關(guān)鍵字： IR  封裝  

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強(qiáng)零電壓開關(guān)操作

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關(guān) (ZVS) 電路等軟開關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開關(guān)式電源 (SMPS)電路中實(shí)現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當(dāng)今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
  • 關(guān)鍵字： IR  

IR推出性能經(jīng)改善良的電子繼電器

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負(fù)載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機(jī)電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實(shí)現(xiàn)更低起動(dòng)電流，以及高水平抗沖擊與振動(dòng)性能，有助降低功耗。IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)
  • 關(guān)鍵字： IR  繼電器  

IR為交錯(cuò)降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器推出XPhase可擴(kuò)展性多相架構(gòu)

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出高度靈活和可擴(kuò)展的XPhase架構(gòu)，適用于需要一個(gè)或更多相位的多相交錯(cuò)降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。首個(gè)Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路，可提供超出CPU電壓調(diào)節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案，適用于服務(wù)器和高端臺(tái)式電腦內(nèi)最先進(jìn)的微處理器。IR XPhase架構(gòu)有別于其它只能驅(qū)動(dòng)有限相位的多相方案，它提供可擴(kuò)展的多相設(shè)計(jì)，滿足先進(jìn)CPU瞬息萬
  • 關(guān)鍵字： IR  

IR推出專攻高頻開關(guān)電源應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型大功率150kHz IGBT

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務(wù)器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關(guān)電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價(jià)格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)
  • 關(guān)鍵字： IR  模擬IC  電源  

IR推出多用途80V MOSFET

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET，額定電壓達(dá)80V，可用作隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器中的原邊和付邊MOSFET，專攻網(wǎng)絡(luò)通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領(lǐng)域。作為原邊MOSFET時(shí)，IRF1312能用于高達(dá)60V最大輸入電壓，因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的半橋或全橋結(jié)構(gòu)。與同類75V MOSFET相比，其80V額定電壓提供額外6% 的防護(hù)帶，使設(shè)計(jì)更加堅(jiān)固耐用。IR中國(guó)
  • 關(guān)鍵字： IR  

IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新MTP隔離式開關(guān)模塊系列，它們以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣，在結(jié)點(diǎn)與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性 (冷卻能力) 比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600V和1200V，它們把高速IGBT和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi)，有助節(jié)省空間和降低組裝成本，可取代分立式解決方案。新器件專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計(jì)，適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源 (UPS)。IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富先生
  • 關(guān)鍵字： IR  模塊  

IR推出可替代機(jī)電式繼電器的300V MOSFET功率器件

  • 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新產(chǎn)品IRF3000。它是一個(gè)300V、N溝道HEXFET功率MOSFET，用于取代多種電信及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的機(jī)電式繼電器。新器件是一種固態(tài)半導(dǎo)體，無機(jī)械部分，故可提高整體系統(tǒng)可靠性，且體積比機(jī)電式繼電器低30%之多。IRF3000比機(jī)電式繼電器更具效率，導(dǎo)通電阻比機(jī)械繼電器低90%以上，最大限度地減低了傳導(dǎo)損耗。新器件的柵電荷極低，可最大程度減低開關(guān)損耗。IRF3000比繼電器更易驅(qū)動(dòng)，有助簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并降低整體
  • 關(guān)鍵字： IR  繼電器  

IR披露最高集成度智能功率模塊

  • 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier)披露首個(gè)iNTERO可編程隔離式智能功率模塊 (PI-IPM)，在單一封裝內(nèi)將功率平臺(tái)整合到嵌入式驅(qū)動(dòng)器板上，納入一個(gè)可編程數(shù)字信號(hào)處理器。新器件型號(hào)為PIIPM50P12B004，額定值為1200V和50A，具備電流傳感、隔離、柵驅(qū)動(dòng)器及功率平臺(tái)保護(hù)功能，可直接與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器主機(jī)及輸入平臺(tái)接口，方案內(nèi)設(shè)有基本應(yīng)用指令集及開發(fā)工具，效率高、堅(jiān)固耐用，噪音低。該模塊電流反饋環(huán)路頻寬5kHz，提供平直的安全操作區(qū)，融合了IGBT技術(shù)，采用EMP封
  • 關(guān)鍵字： IR  模塊  

IR推出更小的集成式開關(guān)(6.29)

  • 　　功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出高效、低成本強(qiáng)化集成開關(guān)IRIS系列，將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi)，可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，減少了印制電路板尺寸及25%的元件數(shù)目。與交流-直流開關(guān)電源的分立電路相比，效率相同，甚至更佳。 　　全新IRIS集成開關(guān)系列將一個(gè)低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個(gè)雙電壓及電流控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi)，適用于通用輸入及單輸入60W至180W開關(guān)電源的反激變換技術(shù)。 　
  • 關(guān)鍵字： IR  模擬IC  電源  
共344條 23/23 |‹ « 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473