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CGD為電機控制帶來GaN優(yōu)勢

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發(fā) GaN 在電機控制應(yīng)用中的參考設(shè)計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應(yīng)用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

  • 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運行，
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X-Fab增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

  • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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CGD與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場信息、實現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi   | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團隊，在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗
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X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預(yù)計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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美國周二表示，已經(jīng)撤銷了許可證，禁止公司向被制裁的華為等公司運輸芯片

  • 據(jù)一名知情人士透露，一些公司在周二收到通知，稱他們的許可證立即被撤銷。此舉是在上個月華為發(fā)布了首款A(yù)I功能筆記本電腦MateBook X Pro之后采取的。該電腦由英特爾（INTC.O）新推出的Core Ultra 9處理器提供動力。筆記本電腦的推出引發(fā)了共和黨議員的抨擊，他們稱這表明美國商務(wù)部已經(jīng)向英特爾發(fā)出了向華為出售芯片的許可證。商務(wù)部在一份聲明中表示：“我們已經(jīng)撤銷了一些出口至華為的許可證?！痹摬块T拒絕具體說明已撤銷了哪些許可證。此舉首次由路透社報道，此前，共和黨的中國鷹派議員一直在施加壓力，敦促
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

  • 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器

  • D類音頻放大器參考設(shè)計(EPC9192)讓模塊化設(shè)計具有高功率和高效，從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計，可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負(fù)載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設(shè)計，其主板配有兩個PWM調(diào)制器和兩個半橋功率級子板，實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設(shè)計的靈活性高，使
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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高通驍龍 X Elite 芯片初上手：跑分亮眼、功耗優(yōu)異、AI 性能出色

  • 4 月 8 日消息，國外科技媒體 Windows Latest 幾周前受邀前往高通位于圣迭戈的總部，親身體驗了驍龍 X Elite 平臺產(chǎn)品，在最新博文中分享了跑分、游戲?qū)崪y和 NPU 性能等相關(guān)信息。跑分該媒體使用 3D Mark、Jetstream 等軟件進行了相關(guān)測試，IT之家基于該媒體報道，附上 23W 驍龍 X Elite 處理器（系統(tǒng)瓦數(shù)，而非封裝瓦數(shù)）和英特爾酷睿 Ultra 7 155H 處理器的跑分對比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
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氮化鎵器件讓您實現(xiàn)具成本效益的電動自行車、無人機和機器人

  • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(EPC9193)讓您實現(xiàn)具有更高性能的電機系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大，而且同時降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本：●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計，在每個開關(guān)位置使用單個FET，可提供高達30ARMS 的最大輸出電流?！? ?EPC91
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將達100億美元，SiC功率器件市場急速擴張

  • SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預(yù)計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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GaN引領(lǐng)未來寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962

  • Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創(chuàng)新的射頻技術(shù)，為移動、基礎(chǔ)設(shè)施與國防/航空航天市場提供核心技術(shù)及解決方案，致力于實現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強大的技術(shù)實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產(chǎn)品在市場上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動5G網(wǎng)絡(luò)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中，GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

  • 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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