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ASML官網(wǎng)顯示：支持7nm高端DUV光刻機(jī)仍可出口

  • 荷蘭政府宣布了限制某些先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口的新規(guī)定，這些規(guī)定將于9月1日生效。具體而言，荷蘭政府將要求先進(jìn)芯片制造設(shè)備的公司在出口之前須獲得許可證。ASML在其官網(wǎng)發(fā)表聲明稱，該公司未來出口其先進(jìn)的浸潤式DUV光刻系統(tǒng)（即TWINSCAN NXT:2000i及后續(xù)浸潤式系統(tǒng)）時(shí)，將需要向荷蘭政府申請(qǐng)出口許可證。而ASML強(qiáng)調(diào)，該公司的EUV系統(tǒng)的銷售此前已經(jīng)受到限制。據(jù)ASML官網(wǎng)提供的信息，該公司目前在售的主流浸沒式DUV光刻機(jī)產(chǎn)品共有三款，分別是：TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國廠商公布新專利

  • 近日，據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專利，專利申請(qǐng)?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)
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包括光刻！美國禁運(yùn)6項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

  • 近日美國商務(wù)部工業(yè)安全局（BIS）宣布將六項(xiàng)新興技術(shù)添加到《出口管理?xiàng)l例》（EAR）的商務(wù)部管制清單（CCL）中。據(jù)了解，目前受到出口管制的新興技術(shù)總數(shù)已經(jīng)達(dá)到了37項(xiàng)。美國商務(wù)部在官網(wǎng)發(fā)布公告中寫道：“此舉是為了支持關(guān)鍵及新興技術(shù)這一國家戰(zhàn)略.”“關(guān)鍵技術(shù)和新興技術(shù)國家戰(zhàn)略是保護(hù)美國國家安全，確保美國在軍事、情報(bào)和經(jīng)濟(jì)事務(wù)中保持技術(shù)領(lǐng)先地位的重要戰(zhàn)略部署。”美國商務(wù)部部長(zhǎng)Wilbur Ross說道，并表示“美國商務(wù)部已經(jīng)對(duì)30多種新興技術(shù)的出口實(shí)施了管控，我們將繼續(xù)評(píng)估和確定未來還有哪些技術(shù)需要管控
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臺(tái)積電公布3納米光刻規(guī)劃及未來路線

  • 臺(tái)積電昨天召開了第一次虛擬技術(shù)研討會(huì)，公布了3納米光刻及未來路線計(jì)劃。過去幾年，臺(tái)積電已經(jīng)與英特爾旗鼓相當(dāng)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域占據(jù)了領(lǐng)導(dǎo)地位。在今年年初英特爾宣布推遲其7納米工藝后，臺(tái)積電正抓住機(jī)會(huì)，以行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的身份繼續(xù)“攻城略地”。據(jù)臺(tái)積電高級(jí)副總裁米玉杰表示，該公司有計(jì)劃繼續(xù)提供有意義的節(jié)點(diǎn)改進(jìn)，直到N3及以下?？偟膩碚f，7納米得到了一系列產(chǎn)品系列的支持，而不僅僅是單一的芯片類型或類別，它貢獻(xiàn)了臺(tái)積電2020年第二季度36%的收入。接下來，關(guān)于N5和N6節(jié)點(diǎn)的一些更新。根據(jù)臺(tái)積電的說法，N6比N5的邏輯密
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Intel/臺(tái)積電/ASML齊捧EUV光刻：捍衛(wèi)摩爾定律

  • 日前，中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)（CSTIC）在上海開幕，為期19天，本次會(huì)議重點(diǎn)是探討先進(jìn)制造和封裝。其中，光刻機(jī)一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進(jìn)工藝的設(shè)備，EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認(rèn)為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。Yen援引統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至2019年第四季度，ASML當(dāng)年共售出53臺(tái)EUV NXE：3400系列EUV光刻機(jī)，使用EUV機(jī)器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到1000萬片。他說，EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
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泛林集團(tuán)發(fā)布應(yīng)用于EUV光刻的技術(shù)突破

  • 近日，泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù)。泛林集團(tuán)研發(fā)的這項(xiàng)全新的干膜光刻膠技術(shù)，結(jié)合了泛林集團(tuán)在沉積、刻蝕工藝上的領(lǐng)導(dǎo)地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時(shí)微電子研究中心?(imec)?戰(zhàn)略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團(tuán)的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢(shì)，從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領(lǐng)先的芯片制造商已開始將EUV光刻系統(tǒng)應(yīng)用于大規(guī)模量產(chǎn)，進(jìn)一步提升生產(chǎn)率和分辨率將幫助他們以更合理
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日韓決裂，半導(dǎo)體誰最受傷？

  • 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時(shí)間，此次出口限制可謂是對(duì)韓國企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
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首次加入EUV極紫外光刻！臺(tái)積電二代7nm+工藝已量產(chǎn)

  • 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先Intel、三星一大步。
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芯片是如何被制造出來的？芯片光刻流程詳解

  • 　　在集成電路的制造過程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強(qiáng)酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的復(fù)制品。
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我國成功研制出的世界首臺(tái)分辨力最高紫外超分辨光刻裝備？

  • 　　昨天關(guān)于中國成功超分辨率光刻機(jī)的新聞刷爆了朋友圈，這個(gè)新聞出來以后，輿論出現(xiàn)了兩個(gè)極端，一堆人說很牛，一堆人說吹牛。那么這兩種說法到底誰對(duì)誰錯(cuò)呢?　　我們先看一下新聞：　　由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所主導(dǎo)的項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”29日通過驗(yàn)收?！　∵@是我國成功研制出的世界首臺(tái)分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機(jī)由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制，光刻分辨力達(dá)到22納米，結(jié)合多重曝光技術(shù)后，可用于制造10納米級(jí)別的芯片。　　中科院理化技術(shù)研究所許祖彥院士等驗(yàn)收組專家一致表示，該光刻機(jī)在365nm光源波長(zhǎng)
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基于模型的建議：光刻友好設(shè)計(jì)成功的導(dǎo)航

  • 如今對(duì)于一些技術(shù)節(jié)點(diǎn)，設(shè)計(jì)人員需要在晶圓代工廠流片和驗(yàn)收之前進(jìn)行光刻友好設(shè)計(jì)(Litho Friendly Design) 檢查。由于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的解析度增進(jìn)技術(shù)(RET) 限制，即使在符合設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 的設(shè)計(jì)中，我們?nèi)钥吹搅烁嗟闹圃靻栴}。
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“合肥造”光刻設(shè)備將打破國外壟斷

  • 　　中國芯片制造業(yè)高端裝備一直以來依賴國外進(jìn)口，尤其是高端光刻設(shè)備受到西方封鎖，有錢也買不到，或是毫無競(jìng)價(jià)權(quán)，國內(nèi)進(jìn)口集成電路裝備采購每年達(dá)數(shù)十億美元。在高新區(qū)的合肥芯碁微電子裝備有限公司，正在通過自主創(chuàng)新，改變這種現(xiàn)況。 　　據(jù)介紹，合肥芯碁微電子裝備有限公司主要經(jīng)營微電子高端裝備研發(fā)、制造、技術(shù)服務(wù)。公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)是以曾承接國家02重大科技專項(xiàng)《130—65nm制版光刻設(shè)備及產(chǎn)業(yè)化》項(xiàng)目核心人員為基礎(chǔ)，結(jié)合國內(nèi)外業(yè)界精英組成，60%以上碩博士。團(tuán)隊(duì)骨干均為國內(nèi)首創(chuàng)激光直寫光刻設(shè)備、激光曝光
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晶圓制造人才告急，校企聯(lián)動(dòng)與在職培訓(xùn)缺一不可

  • 摘要：近日，明導(dǎo)公司與北京理工大學(xué)合作創(chuàng)建了光電聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。合作儀式期間，部分專家學(xué)者談到目前晶圓制造人才非常缺乏，人才培養(yǎng)迫在眉睫。
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  OPC  RET  光刻  201407  

Molecular Imprints 將為半導(dǎo)體大批量制造提供先進(jìn)光刻設(shè)備

  • 　Molecular Imprints, Inc. (MII) 是高分辨率與低擁有成本納米圖案成形系統(tǒng)和解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商。MII 將利用其創(chuàng)新的 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術(shù)成為半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備大批量圖案成形解決方案的全球市場(chǎng)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商
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SEMI：2013年全球光刻掩膜板市場(chǎng)預(yù)計(jì)可達(dá)33.5億美元規(guī)模

  • 技術(shù)問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢(shì)下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn)，更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應(yīng)運(yùn)而生，但卻僅有部份的客戶會(huì)轉(zhuǎn)移至更小尺寸的產(chǎn)品，而且似乎對(duì)于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個(gè)正在萎縮的市場(chǎng)上找到它的平衡點(diǎn)，既能進(jìn)行技術(shù)升級(jí)發(fā)展也能兼顧資本成本。 　　SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》，對(duì)2011年的光刻掩膜板市場(chǎng)提供詳細(xì)的分析，并以全球七個(gè)主要地區(qū)，包括北美、日本、歐洲、臺(tái)灣、
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光刻介紹

光刻 　　利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長(zhǎng)期以來由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來，并開始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]

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