功率放大器文章進(jìn)入功率放大器技術(shù)社區(qū)

推挽式B類功率放大器的基本原理

了解推挽式B類放大器的工作原理，如何計(jì)算其效率，以及其性能與電感性負(fù)載A類設(shè)計(jì)的比較。正如我們?cè)谏弦黄恼轮兴懻摰?，單晶體管B類放大器（圖1）使用高Q諧振電路作為負(fù)載來抑制較高的諧波分量。通過使用高Q諧振電路，輸出電壓僅包含基波分量，使放大器能夠忠實(shí)地再現(xiàn)輸入信號(hào)。通過短接諧波分量，高Q諧振使輸出電壓成為基頻的正弦波，盡管集電極電流是半波整流的正弦波。單晶體管B類RF放大器的電路圖。圖1：?jiǎn)尉w管B類RF放大器。除了使用高Q電容器，我們還可以通過迫使兩個(gè)半正弦波脈沖以相反方向通過負(fù)載來消除B
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B類功率放大器介紹

B類功率放大器是如何工作的？是什么讓它比A類功率放大器更高效？在這篇文章中了解答案。高效射頻功率放大器（PA）在許多應(yīng)用中都至關(guān)重要，從手持通信設(shè)備到大型有源元件相控陣天線。例如，在上述手持設(shè)備中，更高的效率意味著更低的功耗，從而可以延長(zhǎng)通話時(shí)間。我們?cè)谥暗奈恼轮辛私獾?，電感性?fù)載的A類放大器提供的最大可獲得效率僅為50%。本文介紹了B類功率放大器，其理論最大效率為78.5%。在討論了B類放大器的基本特性后，我們將探討效率差異的原因。請(qǐng)注意，本文中使用的分析表達(dá)式是近似的，因?yàn)樗鼈兩婕按笮盘?hào)和強(qiáng)非線性，
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電感負(fù)載A類功率放大器簡(jiǎn)介

了解電感負(fù)載共射極級(jí)如何用作功率放大器。本系列的前一篇文章討論了使用電阻性負(fù)載共發(fā)射極電路作為功率放大器（PA）的挑戰(zhàn)和局限性。在最后一節(jié)中，我們了解到，通過使用大型電感器作為共發(fā)射極配置的負(fù)載，可以解決許多挑戰(zhàn)。在本文中，我們將更全面地研究電感性負(fù)載的A類放大器。讓我們從圖1中的基本電感性負(fù)載共射極配置開始我們的研究。電感負(fù)載共射極放大器的電路圖。圖1：電感負(fù)載共射極放大器的簡(jiǎn)單版本您可能已經(jīng)注意到，圖1看起來與我們上次介紹的電感負(fù)載PA有些不同。與本文稍后將討論的放大器版本不同，該電路缺少
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A類功率放大器簡(jiǎn)介：共發(fā)射極PA

射頻放大器設(shè)計(jì)是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)，涉及線性度、效率、增益和輸出功率之間的權(quán)衡。在這里，我們研究共發(fā)射極電路如何能夠或不能用作功率放大器。本系列之前的文章討論了小信號(hào)放大器，它通常設(shè)計(jì)用于增益和線性，而不是功率傳輸。如果接下來的電路具有純電容輸入阻抗，則小信號(hào)放大器可能會(huì)提供特定的電壓或電流增益，而不會(huì)向?qū)嶋H負(fù)載傳輸任何明顯的功率。由于小信號(hào)放大器不處理高功率電平，因此功率處理能力和功率效率也不是其主要設(shè)計(jì)要求。在接下來的幾篇文章中，我們將討論一些截然不同的內(nèi)容：射頻功率放大器。功率放大器（PA）出現(xiàn)在
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車載功放輻射發(fā)射案例分析

車載功放輻射發(fā)射案例評(píng)論：此案例應(yīng)該指出PCB板與金屬外殼的連接方式（是否連接，怎么連接）。以分析騷擾路徑。
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面向GaN功率放大器的電源解決方案

RF前端的高功率末級(jí)功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù)，有時(shí)設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語(yǔ)——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢(shì)。我們將在下
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡(jiǎn)
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100W MOSFET功率放大器電路

我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級(jí)功率放大原理，包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。前置放大器采用差分放大器，驅(qū)動(dòng)級(jí)是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級(jí)差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無噪聲放大信號(hào)
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150W功率放大器電路

功率放大電路是輸出阻抗最小的電路，用于驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器等負(fù)載，這些負(fù)載需要低阻抗大功率。在這里，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)使用推挽式 AB 類配置的功率放大器電路，以獲得 150W 的功率來驅(qū)動(dòng) 8 歐姆的負(fù)載（揚(yáng)聲器）。功率放大器電路的原理：該電路的基本原理是雙極結(jié)型晶體管的不同偏置方式。麥克風(fēng)輸出的電信號(hào)非常低。使用 CE 配置的雙極結(jié)型晶體管在 A 類模式下偏壓，可將該低壓信號(hào)放大至可持續(xù)電平。在這種模式下，輸出為反相放大信號(hào)。該信號(hào)為低功耗信號(hào)。以 AB 類配置排列的兩個(gè)達(dá)林頓功率晶體管可放大該信號(hào)的功率電平。
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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是德科技推出全新解決方案加速功率放大器數(shù)字預(yù)失真測(cè)試

●? ?全新的迭代學(xué)習(xí)控制算法將功率放大器的數(shù)字預(yù)失真測(cè)試時(shí)間從幾小時(shí)縮短到幾分鐘●? ?測(cè)試方法助力功率放大器制造商縮短研發(fā)周期并加快上市時(shí)間●? ?漢威光電（Hexawave）是富采控股（Ennostar Group ）的子公司，率先采用全新的測(cè)試方法來表征高效寬帶砷化鎵功率放大器是德科技公司近日宣布，推出全新的迭代學(xué)習(xí)控制（ILC）測(cè)試方法極大縮短功率放大器的數(shù)字預(yù)失真 (DPD) 測(cè)試時(shí)間。是德科技提供先進(jìn)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案，旨在加
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功率放大器模塊及其在5G設(shè)計(jì)中的作用

多射頻設(shè)計(jì)人員都對(duì) Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒有斗爭(zhēng)就沒有進(jìn)步?！痹跒?5G 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，尤其如此?？萍加型淖儫o線通信，但也會(huì)帶來設(shè)計(jì)難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。這篇博文首次發(fā)布在 Mouser Electronics 網(wǎng)站https://www.mouser.com/blog/power-amplifier-modules-role-5g-design 上。5G 是無線通信市場(chǎng)領(lǐng)域有史以來十分重要的強(qiáng)大技術(shù)之一。與 4G 相比，5
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一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率放大器

摘要：針對(duì)WIFI 6E頻段的設(shè)備需求，設(shè)計(jì)了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級(jí)放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用自適應(yīng)偏置電路結(jié)構(gòu)解決HBT晶體管在大功率輸入下偏置點(diǎn)變化及自熱效應(yīng)引起增益及線性度惡化的問題。測(cè)試結(jié)果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段內(nèi)，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關(guān)鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
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功率放大器原理與常用功放芯片

功率放大器原理利用三極管的電流控制作用或場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號(hào)變化的電流。因?yàn)槁曇羰遣煌穹筒煌l率的波，即交流信號(hào)電流，三極管的集電極電流永遠(yuǎn)是基極電流的β倍，β是三極管的交流放大倍數(shù)，應(yīng)用這一點(diǎn)，若將小信號(hào)注入基極，則集電極流過的電流會(huì)等于基極電流的β倍，然后將這個(gè)信號(hào)用隔直電容隔離出來，就得到了電流（或電壓）是原先的β倍的大信號(hào)，這現(xiàn)象成為三極管的放大作用。經(jīng)過不斷的電流放大，就完成了功率放大。功率放大器基本組成功率放大器通常由3部分組成：前置放大器、驅(qū)動(dòng)放大器、末級(jí)
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功率放大器介紹

功率放大器簡(jiǎn)介　　利用三極管的電流控制作用或場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號(hào)變化的電流。因?yàn)槁曇羰遣煌穹筒煌l率的波，即交流信號(hào)電流，三極管的集電極電流永遠(yuǎn)是基極電流的β倍，β是三極管的交流放大倍數(shù)，應(yīng)用這一點(diǎn)，若將小信號(hào)注入基極，則集電極流過的電流會(huì)等于基極電流的β倍，然后將這個(gè)信號(hào)用隔直電容隔離出來，就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號(hào)，這現(xiàn)象成為三極管的放大作用 [ 查看詳細(xì) ]