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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率耗散

高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√

  • 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計?！陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護(hù)、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
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大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

  • 在電子電路設(shè)計中，散熱設(shè)計是非常重要的一項指標(biāo)。但在很多設(shè)計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
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運(yùn)算放大器功率耗散的首要問題-II

  • 　　在將一個運(yùn)算放大器設(shè)計成為全新應(yīng)用時經(jīng)常被問到的兩個問題是： 　　1.他的功率耗散“典型值”是多少?在我的第一個帖子進(jìn)行了介紹。 　　2.他的功率耗散“最大值”是多少? 　　應(yīng)該在目標(biāo)電路中評估運(yùn)算放大器的最大功率。我們假定放大器運(yùn)行的第一種情況是這樣的。我們將最低負(fù)載電阻RL加載到輸出上，正如OPA 316電氣特性表中所列出的那樣。這個表格中列出的值為2 k?(紅色橢圓中的值)。 　　   　　當(dāng)VS和 IQ為最大值，并且輸出
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UCSP封裝的熱考慮

  • 摘要：本文討論了UCSP封裝的功率耗散能力和其相對于其他封裝是如何限制輸出功率的。關(guān)鍵詞：UCSP封裝；功率耗散 UCSP 封裝UCSP(晶片級封裝)是一種封裝技術(shù)，它消除了傳統(tǒng)的密封集成電路(IC)的塑料封裝，直接將硅片焊接到PCB上，節(jié)省了PCB空間。但也犧牲了傳統(tǒng)封裝的一些優(yōu)點，尤其是散熱能力。大多數(shù)音頻放大器的封裝都帶有一個裸露焊盤，使IC底層直接連接到散熱器或PCB地層。這種設(shè)計為IC到周圍環(huán)境提供了一條低熱阻的導(dǎo)熱通道，避免器件過熱。使用UCSP封裝，IC通過底部焊球直接焊接到PCB上，因而
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功率耗散介紹

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